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邹志超

作品数：16 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 12篇离子注入
  • 8篇脉冲电源
  • 6篇金属
  • 5篇样片
  • 4篇等离子体
  • 4篇蒸汽压
  • 4篇基片
  • 4篇饱和蒸汽压
  • 3篇等离子
  • 3篇等离子体浸没...
  • 3篇射频电源
  • 3篇晶格
  • 2篇单质
  • 2篇电极
  • 2篇氧化物
  • 2篇振荡频率
  • 2篇正离子
  • 2篇气口
  • 2篇浅结
  • 2篇鞘层

机构

  • 16篇中国科学院微...

作者

  • 16篇李超波
  • 16篇邹志超
  • 15篇窦伟
  • 2篇赵丽莉
  • 1篇夏洋
  • 1篇罗军

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 9篇2014
  • 1篇2013
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种等离子体浸没离子注入系统
本发明公开了一种等离子体浸没离子注入系统，包括：离子注入腔室、进气口、出气口、基片台、射频电源、脉冲电源；其中，所述等离子体浸没离子注入系统还包括：注入源，所述注入源与所述进气口连接，用于给所述离子注入腔室注入金属气体源...
赵丽莉邹志超窦伟李超波
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一种离子注入设备
本发明公开了一种离子注入设备，包括：离子注入腔室、进气口、出气口、基片台、射频电源、脉冲电源；其中，所述离子注入设备还包括：注入源，所述注入源与所述进气口连接，用于给所述离子注入腔室注入金属气体源；加热装置，所述加热装置...
邹志超李超波窦伟
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离子注入剂量的检测方法
本发明公开了一种离子注入剂量的检测方法，包括获取等离子体的谐振频率ω<Sub>e</Sub>；根据谐振频率ω<Sub>e</Sub>通过计算获得ICP放电产生的等离子体中离子的密度n<Sub>pi</Sub>，板形鞘层的...
窦伟李超波邹志超
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离子注入系统
本发明公开了一种离子注入系统，包括隔板，所述隔板设置在所述基片台外围，且通过所述基片台与注入电极连接；所述隔板用于将所述离子注入腔室分隔为上离子注入腔室及下离子注入腔室，且在对样片进行离子注入时，所述隔板随注入电极的升降...
李超波窦伟邹志超
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离子注入剂量的检测方法
本发明公开了一种离子注入剂量的检测方法，包括获取等离子体的谐振频率ω<Sub>e</Sub>；根据谐振频率ω<Sub>e</Sub>通过计算获得ICP放电产生的等离子体中离子的密度n<Sub>pi</Sub>，板形鞘层的...
窦伟李超波邹志超
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一种半导体离子注入均匀性的改善方法
本发明提供公开了一种半导体离子注入均匀性的改善方法，包含：对硅基片进行预非晶化；对所述硅基片进行离子注入，其中，所述硅基片的部分表面与离子注入的方向成锐角或钝角；修复所述硅基片在预非晶化时形成的晶格损伤。本发明提供半导体...
窦伟邹志超李超波
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离子注入系统
本发明公开了一种离子注入系统，包括隔板，所述隔板设置在所述基片台外围，且通过所述基片台与注入电极连接；所述隔板用于将所述离子注入腔室分隔为上离子注入腔室及下离子注入腔室，且在对样片进行离子注入时，所述隔板随注入电极的升降...
李超波窦伟邹志超
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等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用被引量：1
2014年
基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火。利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复。
邹志超李超波罗军夏洋
关键词：等离子体浸没离子注入鞘层FINFET
离子注入系统
本发明公开了一种离子注入系统，包括一设有加热盘的基片台，所述基片台包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分位于所述离子注入腔室内，用于给所述离子注入安置待注入样片；所述第二部分位于所述离子注入腔室外，与所述脉冲电源连接；...
窦伟李超波邹志超
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一种离子注入系统
本发明公开了一种离子注入系统，包括：离子注入腔室、进气口、出气口、基片台、射频电源、脉冲电源；其中，所述待注入样片具有第一面和第二面，其中第一面的面积大于所述第二面的面积；且，所述气体流向具有第一方向；所述基片台的所述第...
李超波邹志超窦伟
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共2页<12>
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