陈博源
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家高技术研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置
- 陈博源陈之战施尔畏严成锋
- 该发明属于晶体生长领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置.该生长装置包括真空室、石墨坩埚和感应线圈.该发明的生长装置基于物理气相传输(PVT)技术生长高纯半绝缘碳化硅体单晶，无需特殊的生长工艺.其主要特点为：...
- 关键词：
- 关键词：单晶
- 氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用被引量：2
- 2009年
- 采用浓度为10%的氢氟酸(HF)刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响.经24h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压(I-V)曲线.低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C元素是以非晶态存在.通过研究高温快速退火下元素的互扩散及HF与SiC表层反应机理,发现SiC表面富碳层是这两种方法形成欧姆接触的关键因素.
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- 关键词：欧姆接触SIC互扩散
- 籽晶辅助化学气相传输法生长ZnO单晶的特征研究被引量：1
- 2007年
- 采用籽晶辅助化学气相传输法生长得到φ32mm ZnO单晶体.X射线衍射表明晶体沿c轴方向生长。结晶质量较好,中心部位摇摆曲线半高宽47arcsec,边缘部分为78.4arcsec.利用Rainan谱、光致发光谱等研究了ZnO晶体退火前后的缺陷和光学性质,表明经氧气氛退火后晶体缺陷明显减少,晶体质量进一步提高.
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- 关键词：氧化锌摇摆曲线拉曼光谱光致发光谱
- 基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置
- 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置。本发明的基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法中，籽晶位于坩埚底部，且位于低温区，原料位于坩埚顶部，且位于高温区；生长过程中籽晶...
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- 文献传递
- 一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置
- 本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置。该生长装置包括真空室、石墨坩埚和感应线圈。本发明的生长装置基于物理气相传输(PVT)技术生长高纯半绝缘碳化硅体单晶，无需特殊的生长工艺。其主要特点为：...
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- 文献传递
- 原料空隙率对6H-SiC晶体生长初期的影响被引量：1
- 2010年
- 生长准备中不同的装料方式导致原料的空隙率不同.在其它生长工艺参数保持一致的前提下研究了不同空隙率的原料(50%、55%、60%)对SiC晶体生长初期生长速率和结晶质量的影响.实验发现,在晶体生长初期生长速率随原料空隙率的增大而升高,过快的结晶速率导致晶体的结晶质量下降.同时利用有限元方法模拟了不同空隙率的原料(50%、55%、60%)在生长初期内部温度场分布、质量输运以及晶体生长速度.因为在生长温度下原料内的热量传输主要依靠SiC颗粒间的热辐射,所以空隙率增大会导致其等效热导率增大.模拟结果表明:60%空隙率的原料最短时间内达到稳态传热,初期晶体生长速率最大.模拟的结果合理地解释了原料空隙率对SiC晶体生长初期的影响规律.
- 刘熙陈博源陈之战宋力昕施尔畏
- 关键词：碳化硅生长速率有限元
- 基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置
- 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置。本发明的基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法中，籽晶位于坩埚底部，且位于低温区，原料位于坩埚顶部，且位于高温区；生长过程中籽晶...
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- 一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置
- 本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置。该生长装置包括真空室、石墨坩埚和感应线圈。本发明的生长装置基于物理气相传输(PVT)技术生长高纯半绝缘碳化硅体单晶，无需特殊的生长工艺。其主要特点为：...
- 陈博源陈之战施尔畏严成锋肖兵
