马建福
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 倒筒式射频溅射自偏压对Ba0．65Sr0．35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响
- 采用倒筒式射频溅射方法,在 Pt/Ti/SiO/Si 基片上制备了 BaSrTiO(简称 BST)薄膜。研究了自偏压对 BST 薄膜结构及电学性能的影响。在较高自偏压下制备的 BST 薄膜具有高度的(100) 择优取向,...
- 赵强罗一生刘祚麟马建福张万里
- 关键词：BST射频溅射热释电系数探测率
- 文献传递
- 用于BST薄膜热释电单元探测器的CMOS放大电路设计
- 在分析热释电红外探测器响应信号特征的基础上,针对 BST 薄膜单元器件的应用要求, 设计了一种带有源跟随器的基于 CMOS 结构的高增益单元放大电路,进行了理论分析和计算,并给出了仿真结果。
- 蔡炘富马建福吴传贵张万里
- 关键词：热释电探测器CMOS
- 文献传递
- 热释电红外探测阵列的工作原理、性能指标及应用
- 介绍了热释电效应和热释电红外探测阵列的工作原理及工作模式,分析了几个重要和常用热释电探测阵列的性能参数,并简述了此阵列的发展情况及其在军、民领域的应用。
- 马建福蔡炘富吴传贵张万里
- 关键词：非制冷红外焦平面阵列性能参数
- 文献传递
- 用于BST薄膜热释电单元探测器的CMOS放大电路设计
- 2007年
- 在分析热释电红外探测器响应信号特征的基础上,针对BST薄膜单元器件的应用要求,设计了一种带有源跟随器的基于CMOS结构的高增益单元放大电路,进行了理论分析和计算,并给出了仿真结果.
- 蔡炘富马建福吴传贵张万里
- 关键词：热释电探测器CMOS
- 倒筒式射频溅射频偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响
- 2007年
- 采用倒筒式射频溅射方法,在Pt、Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C.cM-2.K-7.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.
- 赵强罗一生刘祚麟马建福张万里
- 关键词：BST射频溅射热释电系数探测率
- 热释电红外探测阵列的工作原理、性能指标及应用被引量：3
- 2007年
- 介绍了热释电效应和热释电红外探测阵列的工作原理及工作模式,分析了几个重要和常用热释电探测阵列的性能参数,并简述了此阵列的发展情况及其在军、民领域的应用.
- 马建福蔡炘富吴传贵张万里
- 关键词：非制冷红外焦平面阵列性能参数
