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宋崇申

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

主题

  • 8篇电路
  • 8篇三维集成电路
  • 8篇集成电路
  • 7篇辅助圆
  • 5篇圆片
  • 5篇互连
  • 5篇高深宽比
  • 4篇电镀
  • 4篇刻蚀
  • 3篇键合
  • 2篇电镀过程
  • 2篇电镀技术
  • 2篇通孔
  • 2篇微型传感器
  • 2篇绝缘
  • 2篇感器
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体制造
  • 2篇半导体制造技...
  • 2篇传感

机构

  • 9篇清华大学

作者

  • 9篇刘理天
  • 9篇宋崇申
  • 9篇王喆垚
  • 8篇蔡坚
  • 6篇陈倩文
  • 1篇徐向明

年份

  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种电路器件三维集成的方法
本发明公开了一种电路器件三维集成的方法，所述方法包括：在带有电路器件的第一衬底圆片的正面制造盲孔；将第一衬底圆片的正面与辅助圆片进行键合，将所述第一衬底圆片进行背面减薄处理，使所述盲孔开口形成通孔；以所述辅助圆片上的金属...
王喆垚宋崇申徐向明刘理天
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无转移圆片的三维集成电路实现方法
本发明公开了属于半导体和微传感器制造技术领域的一种三维集成电路实现方法。该方法利用刻蚀技术对衬底圆片局部进行减薄，并在局部减薄区刻蚀高深宽比通孔，由于只是局部减薄，衬底圆片强度得以保证，从而不需要转移圆片；另外采用自底向...
王喆垚宋崇申蔡坚陈倩文刘理天
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三维集成电路的实现方法
本发明公开了一种三维集成电路的实现方法，属于半导体制造技术和三维集成技术领域。所述方法包括：在第一层电路圆片的键合面或辅助圆片的键合面淀积电镀种子层；使用所述辅助圆片作为支撑对第一层电路圆片的背面进行减薄并刻蚀穿透圆片的...
王喆垚宋崇申蔡坚刘理天
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三维集成电路的实现方法
本发明公开了一种三维集成电路的实现方法，属于半导体制造技术和三维集成技术领域。所述方法包括：在第一层电路圆片的键合面或辅助圆片的键合面淀积电镀种子层；使用所述辅助圆片作为支撑对第一层电路圆片的背面进行减薄并刻蚀穿透圆片的...
王喆垚宋崇申蔡坚刘理天
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高深宽比三维垂直互连及三维集成电路的实现方法
本发明公开了属于半导体制造技术和微型传感器制造技术领域的一种高深宽比三维垂直互连及三维集成电路的实现方法。所述方法包括：在制作好平面集成电路或者微型传感器的半导体圆片正面进行深反应离子刻蚀，获得深孔；在正面淀积绝缘层、扩...
王喆垚宋崇申陈倩文蔡坚刘理天
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无转移圆片的三维集成电路实现方法
本发明公开了属于半导体和微传感器制造技术领域的一种三维集成电路实现方法。该方法利用刻蚀技术对衬底圆片局部进行减薄，并在局部减薄区刻蚀高深宽比通孔，由于只是局部减薄，衬底圆片强度得以保证，从而不需要转移圆片；另外采用自底向...
王喆垚宋崇申蔡坚陈倩文刘理天
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基于SOI圆片的三维集成电路的实现方法
本发明公开一种基于SOI圆片的三维集成电路的实现方法。所述方法包括：刻蚀去除制造好集成电路的绝缘体上硅(SOI)圆片对应垂直互连的SOI器件层；利用有机聚合物将SOI圆片与辅助圆片临时键合，去除SOI圆片衬底将SOI层向...
王喆垚陈倩文宋崇申蔡坚刘理天
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高深宽比三维垂直互连及三维集成电路的实现方法
本发明公开了属于半导体制造技术和微型传感器制造技术领域的一种高深宽比三维垂直互连及三维集成电路的实现方法。所述方法包括：在制作好平面集成电路或者微型传感器的半导体圆片正面进行深反应离子刻蚀，获得深孔；在正面淀积绝缘层、扩...
王喆垚宋崇申陈倩文蔡坚刘理天
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基于SOI圆片的三维集成电路的实现方法
本发明公开一种基于SOI圆片的三维集成电路的实现方法。所述方法包括：刻蚀去除制造好集成电路的绝缘体上硅(SOI)圆片对应垂直互连的SOI器件层；利用有机聚合物将SOI圆片与辅助圆片临时键合，去除SOI圆片衬底将SOI层向...
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