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方晓玲

作品数：9 被引量：17H指数：2
供职机构：陕西师范大学物理学与信息技术学院更多>>
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相关领域：电子电信理学农业科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇农业科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇硅薄膜
  • 5篇非晶硅
  • 4篇非晶硅薄膜
  • 3篇退火
  • 3篇铝诱导晶化
  • 3篇光学
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇纳米
  • 2篇溅射
  • 2篇光谱
  • 2篇光学性
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇银纳米粒子
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光特性

机构

  • 9篇陕西师范大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 9篇方晓玲
  • 7篇高斐
  • 7篇刘伟
  • 6篇张佳雯
  • 6篇晏春愉
  • 4篇王建军
  • 2篇孙杰
  • 2篇权乃承
  • 1篇张玉荣
  • 1篇李发荣
  • 1篇李貅
  • 1篇宋建平
  • 1篇李贵安
  • 1篇马少华

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇陕西师范大学...
  • 1篇Chines...
  • 1篇光学技术
  • 1篇光子学报
  • 1篇现代显示

年份

  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
用分光光度法研究非晶硅薄膜的光学性质被引量：2
2008年
提出了一种测量薄膜透射光谱的方法.该方法用自制的夹具改进了分光光度计,保证了在测量大小不同的样品时参考光的强度和入射到待测样品上光的强度相同.利用改进后的分光光度计测量了沉积在玻璃衬底上非晶硅薄膜的透射光谱,并对透射光谱进行了拟合和计算,确定出非晶硅薄膜的光学常量和厚度.
方晓玲高斐刘伟王建军晏春愉张佳雯
关键词：分光光度计非晶硅薄膜折射率
用模拟退火算法研究非晶硅薄膜的光学性质被引量：1
2009年
在玻璃衬底上采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)法制备了非晶硅薄膜(A-Si:H)。用紫外-可见-近红外分光光度计测出了其透射光谱。采用模拟退火算法研究了透射光谱,得出了薄膜的厚度、折射率和吸收系数随波长变化的关系式、光学带隙等光学常数,并对该方法的优缺点进行了讨论。
晏春愉高斐张佳雯方晓玲刘伟
关键词：模拟退火算法透射光谱光学常数
Preparation and Fluorescence Properties of Co-doped Nanocomposite Film Based on Supra Molecular Structure被引量：5
2006年
为改善功能分了的特性,提出一种基于金属纳米粒子-偶氮染料复合物共掺杂超分子结构功能材料的设计新方法.并依照此方法制备出复合材料,观测了其显微结构,测量了其紫外-可见光吸收,研究了该超分子结构复合体系的荧光特性.实验发现,由于金属银纳米粒子的掺杂,使得超分子结构复合体系中功能分子甲基橙在溶液态体系的荧光强度增强近5倍,而在两种不同结构(共混结构和包覆结构)的薄膜态超分子结构体系中,其荧光强度分别被猝灭15%和20%.研究结果表明,复合膜中采用超分子结构完全能够改善功能分子的特性.
李贵安李貅宋建平李发荣马少华张玉荣方晓玲
关键词：超分子结构纳米复合薄膜银纳米粒子荧光特性
用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶被引量：1
2009年
以Si为衬底,SiO2+Ge为复合靶,用超晶格方法(SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层交替生长)和磁控溅射技术制备镶嵌于Si/Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶。X射线衍射(XRD)结果表明:退火样品中有Ge纳米晶生成。Ge纳米晶的声子限域效应引起Raman散射谱的Ge-Ge振动峰向低频移动。X射线光电子能谱(XPS)分析表明Ge主要以Ge0和Ge4+形式分别存在于所制备的超晶格中的SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层中。透射电子显微镜(TEM)研究表明,Ge纳米晶被限制在SiO2+Ge层中且结晶性好。实验结果说明,相比于通常的单层介质膜方法,用该超晶格方法极大地提高了Ge纳米晶的密度,尺寸和空间分布的均匀性。
晏春愉高斐张佳雯方晓玲刘伟孙杰权乃承
关键词：磁控溅射退火均匀性
铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜被引量：1
2008年
多晶硅薄膜在微电子和能源科学领域有着广泛的应用。本文介绍了利用铝诱导晶化非晶硅制备多晶硅薄膜的方法,叙述了铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的一般过程,着重讨论了铝诱导晶化非晶硅的机理和在制备过程中各种参数对多晶硅薄膜质量的影响。
刘伟高斐方晓玲王建军张佳雯晏春愉
关键词：铝诱导晶化多晶硅薄膜晶化机理
非晶硅薄膜光学性质的研究及铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜
太阳能电池在缓解能源危机和解决环境污染方面有重要的研究和应用价值。在各类太阳电池中薄膜太阳电池以低成本和较高转换效率的特点成为当前的研究和开发热点,特别是多晶硅薄膜太阳电池,具有原料来源丰富、成本低廉、能耗低、性能稳定高...
方晓玲
关键词：等离子体增强化学气相沉积非晶硅多晶硅
文献传递
退火温度对镶嵌于SiO_2膜中的Ge纳米晶结构的影响被引量：1
2009年
采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构。结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750℃。运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样品中Ge纳米晶的尺寸。通过XRD谱计算复合膜的内部压应力,得出由其引起的拉曼峰位的蓝移量,得出结论:压应力是造成拉曼模拟曲线与实验曲线峰位偏离的主要原因。
张佳雯高斐晏春愉孙杰权乃承刘伟方晓玲
关键词：磁控溅射退火SIO2膜
铝诱导晶化非晶硅薄膜研究被引量：4
2007年
应用晶化非晶硅(a-Si)薄膜铝诱导方法,采用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、光学显微镜(Optical Microscopy,OM)和原子力显微镜(Atomic Force Microscopy,AFM)等测试手段,研究了退火条件对样品晶化的影响.结果表明,样品在300℃下退火后仍为非晶态;退火温度为400℃时,样品开始晶化.随着退火时间的增加,薄膜晶化程度越来越高,晶粒越来越大,同时薄膜表面粗糙度增加.
刘伟高斐方晓玲王建军张佳雯晏春愉
关键词：铝诱导晶化非晶硅薄膜晶化率退火时间
低温铝诱导形成纳米硅的特性研究
2007年
采用玻璃/氢化非晶硅(a-Si∶H)/铝结构,在低温(≤350℃)下,应用铝诱导晶化法(AIC),形成了纳米硅(nc-Si).利用X射线衍射(XRD)光谱、拉曼(Raman)光谱和紫外可见近红外光谱(UV-Vis-NIR),研究了退火升温时间对a-Si∶H薄膜的结构及其光学特性的影响.结果表明,随着退火升温时间的增加,a-Si∶H膜的晶化率Xc增加而硅晶粒尺寸基本不变,光吸收系数α增加.这主要是由于铝和氢化非晶硅膜之间的氧化层很薄以及退火升温导致Al-Si之间的互扩散增强,使硅的成核密度很高和扩散到a-Si∶H膜中的铝浓度较高造成的.
王建军高斐刘伟方晓玲
关键词：非晶硅纳米硅铝诱导晶化拉曼光谱
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