张佳雯
- 作品数：11 被引量：14H指数：2
- 供职机构：陕西师范大学物理学与信息技术学院更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 用分光光度法研究非晶硅薄膜的光学性质被引量：2
- 2008年
- 提出了一种测量薄膜透射光谱的方法.该方法用自制的夹具改进了分光光度计,保证了在测量大小不同的样品时参考光的强度和入射到待测样品上光的强度相同.利用改进后的分光光度计测量了沉积在玻璃衬底上非晶硅薄膜的透射光谱,并对透射光谱进行了拟合和计算,确定出非晶硅薄膜的光学常量和厚度.
- 方晓玲高斐刘伟王建军晏春愉张佳雯
- 关键词：分光光度计非晶硅薄膜折射率
- Cu_2O薄膜的制备方法被引量：2
- 2009年
- 氧化亚铜(Cu2O)薄膜在太阳能电池及其它光电器件上有重要应用,它具有无毒、制备成本低、材料广泛易得等优点。制备Cu2O薄膜的方法主要有热蒸发、溅射、化学气相沉积和电化学沉积等,本文对Cu2O薄膜的制备方法进行了综述与展望。
- 孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧
- 关键词：热蒸发溅射化学气相沉积
- 用模拟退火算法研究非晶硅薄膜的光学性质被引量：1
- 2009年
- 在玻璃衬底上采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)法制备了非晶硅薄膜(A-Si:H)。用紫外-可见-近红外分光光度计测出了其透射光谱。采用模拟退火算法研究了透射光谱,得出了薄膜的厚度、折射率和吸收系数随波长变化的关系式、光学带隙等光学常数,并对该方法的优缺点进行了讨论。
- 晏春愉高斐张佳雯方晓玲刘伟
- 关键词：模拟退火算法透射光谱光学常数
- 用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶被引量：1
- 2009年
- 以Si为衬底,SiO2+Ge为复合靶,用超晶格方法(SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层交替生长)和磁控溅射技术制备镶嵌于Si/Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶。X射线衍射(XRD)结果表明:退火样品中有Ge纳米晶生成。Ge纳米晶的声子限域效应引起Raman散射谱的Ge-Ge振动峰向低频移动。X射线光电子能谱(XPS)分析表明Ge主要以Ge0和Ge4+形式分别存在于所制备的超晶格中的SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层中。透射电子显微镜(TEM)研究表明,Ge纳米晶被限制在SiO2+Ge层中且结晶性好。实验结果说明,相比于通常的单层介质膜方法,用该超晶格方法极大地提高了Ge纳米晶的密度,尺寸和空间分布的均匀性。
- 晏春愉高斐张佳雯方晓玲刘伟孙杰权乃承
- 关键词：磁控溅射退火均匀性
- 退火对ZnS薄膜结构和光学特性的影响
- CdSe和CdS作为CuInSe薄膜太阳电池的窗口层已经为人们所熟知,而Cd的化合物可能带来的重金属污染并且对电池的短波响应有一定的影响,这促使人们寻找其替代物,ZnS已经被认为是一种有前途的窗口层材料,可以替代CdS在...
- 权乃承高斐孙杰张佳雯晏春愉
- 关键词：ZNS薄膜热蒸发退火光学带隙光致发光
- 文献传递
- 镶嵌于介质膜中的锗纳米晶的制备及其特性研究
- 本论文研究在硅衬底上利用磁控溅射及退火的方法制备含Ge纳米晶的SiO复合膜。研究退火温度,Ge含量等因素对复合膜中Ge纳米晶结构的影响。提出了超晶格的制备方法,在Si衬底上制备了镶嵌于SiOGeNy膜中的多层Ge纳米晶,...
- 张佳雯
- 关键词：磁控溅射退火
- 文献传递
- 铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜被引量：1
- 2008年
- 多晶硅薄膜在微电子和能源科学领域有着广泛的应用。本文介绍了利用铝诱导晶化非晶硅制备多晶硅薄膜的方法,叙述了铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的一般过程,着重讨论了铝诱导晶化非晶硅的机理和在制备过程中各种参数对多晶硅薄膜质量的影响。
- 刘伟高斐方晓玲王建军张佳雯晏春愉
- 关键词：铝诱导晶化多晶硅薄膜晶化机理
- 通过氧化Cu膜制备Cu2O薄膜
- 氧化亚铜(CuO)是一种应用潜力很大的半导体材料,具有无毒,制备成本低,材料广泛易得等优点,被广泛地应用于太阳电池、高效光化学电池光电极、磁器件和光催化等。CuO太阳电池的理论转化效率可达20%,但是至今为止获得的光电转...
- 孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧
- 关键词：CU膜退火
- 文献传递
- 通过氧化Cu膜制备Cu_2O薄膜被引量：2
- 2009年
- 通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄膜。四探针测量得到所制备的Cu2O薄膜电阻率为0.22Ωcm。用紫外可见光分光光度计(UV-vis)研究了Cu2O薄膜的光学特性,得出其光学带隙为2.4eV。
- 孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧
- 关键词：CU膜退火
- 退火温度对镶嵌于SiO_2膜中的Ge纳米晶结构的影响被引量：1
- 2009年
- 采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构。结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750℃。运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样品中Ge纳米晶的尺寸。通过XRD谱计算复合膜的内部压应力,得出由其引起的拉曼峰位的蓝移量,得出结论:压应力是造成拉曼模拟曲线与实验曲线峰位偏离的主要原因。
- 张佳雯高斐晏春愉孙杰权乃承刘伟方晓玲
- 关键词：磁控溅射退火SIO2膜
