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曹广军

作品数：23 被引量：23H指数：3
供职机构：华中理工大学固体电子学系更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文期刊文章

领域

  • 17篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 7篇铁电
  • 7篇铁电薄膜
  • 5篇电路
  • 4篇集成电路
  • 4篇功率集成
  • 4篇功率集成电路
  • 4篇VDMOS
  • 3篇退火
  • 3篇NMOS
  • 2篇电特性
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇数值模拟
  • 2篇晶体管
  • 2篇半导体
  • 2篇PZT
  • 2篇P阱
  • 2篇SIPOS
  • 2篇C-V特性
  • 2篇MOS器件
  • 2篇场效应

机构

  • 23篇华中理工大学
  • 2篇东南大学
  • 2篇四川压电与声...

作者

  • 23篇曹广军
  • 9篇于军
  • 7篇周文利
  • 7篇刘三清
  • 7篇谢基凡
  • 6篇应建华
  • 4篇吴正元
  • 4篇秦祖新
  • 2篇刘光廷
  • 2篇王敬义
  • 2篇何华辉
  • 2篇丘思畴
  • 2篇徐维锋
  • 2篇周子新
  • 2篇李乃平
  • 1篇戴进
  • 1篇彭昭廉

传媒

  • 11篇华中理工大学...
  • 5篇微电子学
  • 4篇压电与声光
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 9篇1996
  • 5篇1995
  • 2篇1994
  • 3篇1993
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MFS和MFOS结构的C－V特性研究被引量：1
1996年
采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．
于军周文利曹广军谢基凡
关键词：场效应晶体管C-V特性铁电薄膜
PZT／SiO_2／Si界面的XPS分析被引量：5
1996年
采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善．
于军周文利曹广军谢基凡
关键词：PZT二氧化硅铁电薄膜XPS
新型节能电子镇流器的研制
1995年
对电子镇流器的工作原理作了较全面的分析，并从理论上系统地论述了电子镇流器的软激励特性、频率稳定度、输入电流波形的低畸变性、光输出稳定性和预热启动特性。
于军谢基凡曹广军吴正元
关键词：电子镇流器电流波形预热启动镇流器
SIPOS／Si异质结特性的研究
1996年
采用红外吸收光谱分析了ＳＩＰＯＳ薄膜中Ｓｉ－Ｏ键的结构，对比分析了热退火和快速灯光退火对ＳＩＰＯＳ中Ｓｉ－Ｏ键结构的影响，并结合ＳＩＰＯＳ／Ｓｉ结构的Ｃ－Ｖ、Ｉ－Ｖ测试结果，对该结构的异质结特性进行了分析。
曹广军徐彦忠
关键词：热退火半绝缘多晶硅
PZT／Si异质结的电特性研究
1996年
采用Ｓｏｌ／Ｇｅｌ工艺制备ＰＺＴ／Ｓｉ结构，从该结构的极化特性、开关特性和Ｉ－Ｖ特性等方面研究了硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结特性．并以这种效应分析了ＦＲＡＭ电容中铁电薄膜的疲劳机制．
于军周文利曹广军谢基凡
关键词：铁电薄膜电特性
氧化锌薄膜热退火特性的研究被引量：1
1993年
对退火前后氧化锌薄膜的结构特性、化学组分及化学价态,以及缺陷特性进行了详尽的研究.结果表明,低温热退火是改善氧化锌薄膜结构特性、化学组分及化学价态,并且减少缺陷的良好方法.
曹广军刘光廷周子新杨龙其
关键词：氧化锌薄膜半导体材料退火
铁电薄膜和铁电场效应存储器研究被引量：1
1995年
简述了铁电场效应管ＦＦＥＴ工作原理；说明了器件对薄膜和结构的要求；指出了铁电薄膜的电滞回线及金属铁电半导体结构的Ｃ－Ｖ特性。
周文利于军曹广军
关键词：铁电薄膜C-V特性存储器
对接沟道 NMOS 结构杂质分布的二维数值模拟被引量：1
1997年
针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析．结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成．
徐维锋刘三清应建华曹广军
关键词：数值模拟MOS器件
速度检测专用芯片电路的设计
1994年
对具有周期性运动特点的物体，采用计量周期运动时间以及通过周期运动行程与周期运动时间的除法运算可获得其运动速度，本文所论述的就是基于这个思想而进行的一种检测速度的新型电路设计方法。该设计采用集成芯片电路的设计方法，电路可由单片集成电路实现。电路主要由周期计时电路、周期数据预置电路、运算电路及时钟和时序等电路构成。这种电路用于速度检测，具有检测范围广和检测精度高的特点，速度测量范围可覆盖三个数量级，电路处理误差小于千分之一。
刘三清秦祖新曹广军应建华
关键词：电路设计
P（L）ZT铁电薄膜裂纹特性分析被引量：1
1995年
对铁电薄膜热处理过程中产生的裂纹的特性进行了分析。通过实验，研究了裂纹与铁电薄膜微细图形的尺寸、图形形状，以及衬底材料的关系，确定了铁电薄膜无裂纹设计规则及无裂纹工艺。
曹广军于军周文利吴正元
关键词：铁电薄膜退火PZT薄膜
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