您的位置： 专家智库 > >

周文利

作品数：23 被引量：55H指数：4
供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划湖北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇中文期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇电气工程
  • 3篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇生物学
  • 1篇化学工程

主题

  • 11篇铁电
  • 11篇铁电薄膜
  • 6篇晶体管
  • 5篇PZT
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇C-V特性
  • 2篇电场
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇铁电场效应晶...
  • 2篇穆斯堡尔
  • 2篇穆斯堡尔谱
  • 2篇穆斯堡尔谱研...
  • 2篇二极管
  • 2篇PLD
  • 2篇ZR
  • 2篇AU
  • 2篇I-V特性
  • 2篇PB

机构

  • 22篇华中理工大学
  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 22篇周文利
  • 20篇于军
  • 12篇谢基凡
  • 7篇王耘波
  • 7篇曹广军
  • 4篇王华
  • 4篇郑远开
  • 4篇刘刚
  • 3篇高俊雄
  • 2篇吴正元
  • 2篇朱丽丽
  • 1篇刘涛
  • 1篇徐静平
  • 1篇彭良强
  • 1篇魏龙
  • 1篇赵建洪
  • 1篇周东祥
  • 1篇饶友新
  • 1篇余志文

传媒

  • 13篇华中理工大学...
  • 4篇Journa...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇微电子技术
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 3篇2001
  • 6篇2000
  • 4篇1999
  • 2篇1997
  • 5篇1996
  • 2篇1995
共 23 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
SmSrMnO巨磁电阻材料晶格不稳定性研究被引量：2
1999年
对Ｓｍ ２／３Ｓｒ１／３ ＭｎＯ３＋ δ巨磁电阻材料样品在７７ Ｋ 至室温范围进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱测量．结果显示，正电子平均寿命τｍ 随着温度的降低在２００～１５０ Ｋ 温区出现与晶格结构不稳定有关的反常下降， 这一过程发生在磁有序起始温度之前；而伴随着绝缘体－金属型转变（１１５ Ｋ），多普勒展宽谱参数Ｓ明显增加，表明了电子的离域化．
王耘波于军周文利魏龙
关键词：巨磁电阻材料锰氧化物钙钛矿型
MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响被引量：5
1999年
为制备符合铁电场效应晶体管（ Ｆ Ｆ Ｅ Ｔ） 及铁电存储二极管（ Ｆ Ｍ Ｄ） 要求的高质量铁电薄膜，采用 Ｐ Ｌ Ｄ （ Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 工艺， 制备了不同 Ｍ Ｆ （ Ｉ） Ｓ 结构的硅基铁电薄膜系统由 Ｃ－ Ｖ特性的对比分析可见， 影响 Ｃ－ Ｖ 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外， 还有薄膜的结构设计在此基础上， 为改善铁电薄膜的 Ｃ－ Ｖ
于军董晓敏赵建洪周文利谢基凡郑远开刘刚
关键词：铁电薄膜C-V特性PLD法二极管
电子镇流器的可靠性设计
1996年
讨论了电子镇流器可靠性设计的有关原理和方法，并从电路网络的固有可靠性设计、降额设计、电磁兼容设计与耐环境设计等方面论述了ＨＵＳＴ－ＹＺ４０ＥＢ型电子镇流器可靠性设计与制造的技术方案．
于军谢基凡刘刚周文利
关键词：电子镇流器可靠性
Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究被引量：2
1997年
采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关，对应500nmPZT，记忆窗口约3V．实验表明Au／PZT／SiO2／Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能．
于军周文利赵建洪谢基凡黄歆
关键词：铁电薄膜场效应晶体管FET
铁电薄膜和铁电场效应存储器研究被引量：1
1995年
简述了铁电场效应管ＦＦＥＴ工作原理；说明了器件对薄膜和结构的要求；指出了铁电薄膜的电滞回线及金属铁电半导体结构的Ｃ－Ｖ特性。
周文利于军曹广军
关键词：铁电薄膜C-V特性存储器
MFS和MFOS结构的C－V特性研究被引量：1
1996年
采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．
于军周文利曹广军谢基凡
关键词：场效应晶体管C-V特性铁电薄膜
PZT／SiO_2／Si界面的XPS分析被引量：5
1996年
采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善．
于军周文利曹广军谢基凡
关键词：PZT二氧化硅铁电薄膜XPS
铁电场效应晶体管被引量：7
2000年
介绍了铁电场效应晶体管 (FFET)的基本结构、存储机制、制作方法 ,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在 FFET中应用的进展情况 ,探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对 FFET存储特性的影响 ,对
王华于军周文利王耘波谢基凡周东祥朱丽丽
关键词：铁电薄膜晶体管
基因芯片中的微电子刻蚀技术被引量：4
2000年
基因芯片是运用微电子加工技术以及基因分子的自组装技术在微小芯片上组装成千上万个不同的 ＤＮＡ微阵列，实现以基因为主的生命信息的大规模检测。本文利用氧化、光刻、蒸发、溅射等一系列集成电路刻蚀技术，研究了适于电化学检测的基因芯片微阵列的制备，并提出了这种芯片中微流路的制备工艺方案。
余志文于军徐静平周文利
关键词：基因芯片微阵列光刻集成电路
双极型晶体管GP模型参数自动提取系统被引量：2
1999年
在叙述晶体管模型参数提取原理的基础上，着重介绍了自制晶体管ＧＰ模型参数自动提取系统的工作原理．该系统通过计算机控制实现数据自动采集、采用模型参数总体优化提取方法提取晶体管ＧＰ模型参数．运用该系统对ＭＪＥ１３００５晶体管进行参数提取及ＰＳＰＩＣＥ模拟。
高俊雄于军周文利郑远开
关键词：双极型晶体管
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0