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刘刚

作品数：8 被引量：27H指数：3
供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇二极管
  • 2篇多孔硅
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇单片微型机
  • 1篇电子镇流器
  • 1篇硬件
  • 1篇振荡器
  • 1篇镇流器
  • 1篇制冷
  • 1篇制冷设备
  • 1篇湿敏
  • 1篇湿敏器件
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇微处理器
  • 1篇微结构
  • 1篇微型机
  • 1篇温度补偿
  • 1篇温度补偿晶体...

机构

  • 8篇华中理工大学

作者

  • 8篇刘刚
  • 4篇周文利
  • 4篇于军
  • 3篇谢基凡
  • 2篇郑远开
  • 2篇介晓瑞
  • 1篇秦祖新
  • 1篇应建华
  • 1篇刘三清
  • 1篇郑小年
  • 1篇胡伟轩
  • 1篇饶友新
  • 1篇高俊雄

传媒

  • 7篇华中理工大学...
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
VDMOSFET结构设计被引量：3
1991年
本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构特点,提供了具体设计参数及部分二维数值分析结果.
刘刚刘三清秦祖新应建华
关键词：VDMOSFET半导体器件
多孔硅微结构及其稳定性研究被引量：1
1997年
应用低温氮吸附法测量了多孔硅（ＰＳ）样品的比表面积、孔容及孔径分布等微结构参数，总结出这些微结构参数随环境条件及工艺参数的变化规律．根据ＰＳ特性的测试结果，进一步论述了处理工艺对其特性的有效影响．为改善和控制多孔硅结构及拓宽应用提出了新方法．
刘刚介晓瑞
关键词：多孔硅比表面积微结构稳定性
电子镇流器的可靠性设计
1996年
讨论了电子镇流器可靠性设计的有关原理和方法，并从电路网络的固有可靠性设计、降额设计、电磁兼容设计与耐环境设计等方面论述了ＨＵＳＴ－ＹＺ４０ＥＢ型电子镇流器可靠性设计与制造的技术方案．
于军谢基凡刘刚周文利
关键词：电子镇流器可靠性
MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响被引量：5
1999年
为制备符合铁电场效应晶体管（ Ｆ Ｆ Ｅ Ｔ） 及铁电存储二极管（ Ｆ Ｍ Ｄ） 要求的高质量铁电薄膜，采用 Ｐ Ｌ Ｄ （ Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 工艺， 制备了不同 Ｍ Ｆ （ Ｉ） Ｓ 结构的硅基铁电薄膜系统由 Ｃ－ Ｖ特性的对比分析可见， 影响 Ｃ－ Ｖ 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外， 还有薄膜的结构设计在此基础上， 为改善铁电薄膜的 Ｃ－ Ｖ
于军董晓敏赵建洪周文利谢基凡郑远开刘刚
关键词：铁电薄膜C-V特性PLD法二极管
微处理器温度补偿晶体振荡器的设计被引量：14
2000年
设计了一种新的微处理器温度补偿晶体振荡器 (MCXO) ,通过对硬件和软件的精心设计 ,使其达到设计要求 .
周文利饶友新刘刚高俊雄
关键词：微处理器温度补偿晶体振荡器硬件MCXO
PS湿敏二极管特性研究被引量：4
1999年
研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极管，在不同湿度下，分别测试其Ｉ－Ｖ特性．结果表明，在一定电压下，无论Ｎ型衬底，还是Ｐ型衬底，其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大，其正向特性却基本保持恒定，即在一定电压下，其正向电流不随湿度发生明显变化．通过与ＰＳ的电容、电阻的湿敏特性进行比较，发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性．并根据这种二极管的结构和电流输运过程。
刘刚于军郑远开周文利
关键词：多孔硅二极管I-V特性湿敏器件
制冷设备的单片微型机控制系统
1990年
本文研制了采用MCS-48系列单片机组成的制冷设备控制系统。该系统具有温度检测、温度控制、温度显示、化霜控制和过欠压保护等功能,具有功耗低、体积小、工作性能稳定等优点。
刘刚胡伟轩翁良科郑小年
关键词：制冷设备单片机控制系统
M-PS-S结构的V-I特性及其优化
1998年
选用n-，p-和p+三种半导体硅材料作为衬底，通过电化学腐蚀方法分别形成PS薄膜；在PS／S膜上再淀积一层具有一定图形的铝金属膜并焊接引线，形成了M－PS－S二极管结构；在外加直流偏置电压下分别测量它们的V－I特性，得出了不同的V－I特性曲线；V-I特性都具有整流效应．根据对所得特性的理论分析．论述了材料、工艺和结构等因素对M－PS－S特性的影响．并提出了优化设计的方法，以改善M－PS－S结构的特性，实现其在发光、敏感等方面的应用。
刘刚谢基凡于军介晓瑞
关键词：伏安特性硅二极管
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