林东生
- 作品数：90 被引量：214H指数：9
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国防科技工业技术基础科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应被引量：4
- 2010年
- 研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应。通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和γ混合辐射环境以及中子预辐照后进行γ射线辐照下的效应对比发现,在中子和γ混合辐射环境下会产生电离总剂量效应加剧现象,即一定混合程度的中子和γ同时辐照会增强CMOS器件的辐射效应。
- 刘岩杨善潮林东生崔庆林陈伟龚建成王桂珍白小燕郭晓强
- 强脉冲超硬X射线产生技术研究被引量：18
- 2005年
- 分析了利用强流脉冲电子束轫致辐射产生强脉冲超硬X射线的几种主要技术途径的特点,以及提高超硬X射线产额的方法;利用MCNP软件计算了电子能量在0.4～1.4 MeV范围内,超硬X射线产生效率与钽辐射转换靶厚度的关系曲线;介绍了在'强光一号'加速器上开展产生强脉冲超硬X射线实验方法与实验结果,获得了3种强脉冲超硬X射线:脉冲宽度约35 ns,输出窗面积约50 cm2,能量密度为5～7 J/cm2;脉冲宽度约35 ns,输出窗面积约50 cm2,能量密度为12 J/cm2;脉冲宽度约35 ns,输出窗面积约500 cm2,能量密度为1 J/cm2.
- 蒯斌邱爱慈王亮平林东生丛培天梁天学
- 关键词：强流脉冲电子束轫致辐射
- 大规模集成电路总剂量效应测试方法初探被引量：27
- 2004年
- 提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时 ,监测器件功耗电流的变化情况 ,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路 :静态随机存取存储器 (SRAM)、电擦除电编程只读存储器 (EEPROM)、闪速存储器 (FLASHROM)和微处理器 (CPU)的6 0 Coγ总剂量效应实验的结果 .
- 贺朝会耿斌何宝平姚育娟李永宏彭宏论林东生周辉陈雨生
- 关键词：大规模集成电路半导体器件总剂量效应功耗电流静态随机存取存储器闪速存储器
- 板钛矿基TiO_2纳米晶的结构相变和热稳定性被引量：22
- 1999年
- 研究含一定量锐钛矿和金红石的板钛矿基ＴｉＯ２ 纳米晶的热稳定性，发现其ＤＴＡ 曲线上出现两个吸热峰．ＸＲＤ物相、晶粒度和相含量分析表明，出现于３０ ～１６０℃温区的Ａ峰对应于脱附过程；出现于７８０～８４５℃温区的Ｂ峰对应于样品结构从板钛矿经锐钛矿向着金红石的急剧一级相变； 在Ｂ峰出现前，样品中存在板钛矿向锐钛矿的缓慢转变过程； 相变促进了纳米晶粒的生长．
- 叶锡生焦正宽张立德沙健林东生
- 关键词：纳米晶差热分析热稳定性结构相变
- SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应被引量：2
- 2007年
- 测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGeHBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256·85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截止频率fT基本不变,fmax略有减小.初步分析了SiGeHBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理.
- 刘书焕林东生郭晓强刘红兵江新标朱广宁李达王祖军陈伟张伟周辉邵贝贝李君利
- 关键词：SIGEHBT反应堆
- CMOS工艺微控制器瞬时电离辐射效应实验研究被引量：5
- 2010年
- 利用CMOS工艺微控制器的实验测试系统,在"强光一号"加速器上进行了瞬时剂量率效应实验。实验研究采用的γ脉冲宽度为20ns,剂量率(以Si原子计)为6.7×106～2.0×108Gy/s。在不同的剂量率水平下观察到了扰动和闭锁效应,获得了微控制器的闭锁阈值,分析了扰动时间、系统功耗电流与剂量率间的关系。瞬时电离辐射在CMOS工艺电路的PN结中产生光电流,导致了电学和功能参数的退化。
- 金晓明范如玉陈伟王桂珍林东生杨善潮白小燕
- 关键词：微控制器闭锁
- 热释光剂量计能量响应特性研究
- 使用蒙特卡罗方法,计算出不同封装材料与剂量片组合成的剂量计对100keV以上γ射线的能量响应规律,从中选择出能量响应较平的一种组合。在几种能量下进行剂量计能量响应实验。在0.1-1.25MeV的能量范围内,其能量响应因子...
- 常冬梅彭宏论林东生龚建成韩福斌杨善潮关颖
- 关键词：蒙特卡罗方法剂量计Γ射线
- 基于晶体管测量的中子注量在线实时测量系统被引量：6
- 2012年
- 利用晶体管直流放大倍数的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,使用晶体管作为在线中子注量测量的探测器,建立了以计算机、GPIB总线、矩阵开关、任意波形发生器、数字示波器等硬件为基础,基于LabVIEW软件平台的中子注量在线实时监测系统。在西安脉冲反应堆中子辐射场中,开展了标定实验研究,建立的中子注量在线实时监测系统实现了空间分布的中子注量实时测量,利用该套系统得到了XAPR和CFBR-Ⅱ的等效损伤系数。
- 杨善潮郭晓强林东生李斌李瑞宾白小燕马强
- 关键词：虚拟仪器
- 瞬时电离辐射敏感开关设计及效应分析
- 2014年
- 采用瞬时辐射敏感开关可避免电子器件在瞬时电离辐射环境下发生闩锁而失效或损毁。性能较好的开关须满足灵敏度高、抗辐射、抗干扰、驱动能力强等要求。本工作在RC延时电路的基础上设计了放电型和充电型两种辐射敏感开关,并通过瞬时电离辐射实验对两种开关的敏感度、关断时间稳定度、抗干扰能力进行了测试。结果表明,放电型开关的关断时间稳定度和抗干扰能力不及充电型开关,且探测单元采用晶闸管较采用二极管或三极管综合性能好;充电型开关更适合用于多次脉冲辐射环境,但开关中的缓冲单元输入端不能含有静电保护电路,否则影响开关关断时间。
- 李瑞宾陈伟王桂珍林东生齐超白小燕杨善潮
- 关键词：开关闩锁
- 中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究
- 2014年
- 对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因。
- 刘岩陈伟杨善潮齐超王桂珍林东生郭晓强金军山
- 关键词：中子辐照SRAM
