金晓明
- 作品数：56 被引量：45H指数：4
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 运算放大器CA3140瞬时电离辐射效应正交实验研究
- 2013年
- 在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应正交实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到了不同因素对恢复时间产生影响的主次顺序和显著水平,以及运算放大器在瞬时电离辐射环境下的最坏因素组合.
- 马强金晓明杨善潮林东生王桂珍李瑞宾
- 关键词：正交设计BIMOS
- 静态随机存储器与电源芯片小系统中子辐射效应研究
- 在西安脉冲反应堆，实验研究了静态随机存储器(SRAM)与电源芯片典型电路结构中，电源芯片对SRAM 存储器中子单粒子效应的影响。由于电源芯片位移损伤效应的影响，中子辐照造成电源芯片失效、输出电压陡降，导致后级SRAM 存...
- 杨善潮齐超金晓明刘岩王晨辉王桂珍林东生李瑞宾
- 关键词：静态随机存储器
- 商用CMOS工艺SRAM脉冲中子辐射效应实验被引量：2
- 2016年
- 为研究互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺静态随机处理内存(SRAM)脉冲中子辐射效应机理,对SRAM翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下SRAM翻转是单粒子翻转的叠加的假设,计算了单位翻转和伪多位翻转在总翻转数中的百分比。在西安脉冲反应堆上对3种特征尺寸商用SRAM开展了脉冲工况实验研究,得到了单位翻转和伪2位翻转数据,结合模拟结果分析了SRAM在脉冲中子作用下的翻转机制。
- 齐超杨善潮刘岩陈伟林东生金晓明王晨辉
- 关键词：脉冲中子单粒子翻转静态随机存储器
- 脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法
- 本发明涉及一种脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，包括分类翻转字节；将不同翻转类型的字节对应的翻转位数进行蒙特卡罗模拟计算；统计计算随着翻转位数的累积，不同翻转类型的字节数及不同翻转类型字节包含的翻转位数...
- 陈伟齐超王晨辉郭晓强杨善潮王桂珍李瑞宾白小燕刘岩金晓明李俊霖
- 文献传递
- EE80C196KC20型单片机小系统的脉冲γ辐照效应实验研究被引量：3
- 2013年
- 在"强光一号"加速器上,对LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐照效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,并得到了单片机和电源芯片的扰动时间随剂量率的变化规律,从实验上证实了电源芯片对单片机脉冲γ辐照闩锁效应的抑制作用。
- 杨善潮马强金晓明李瑞宾林东生陈伟刘岩
- 关键词：单片机系统闩锁
- 双极工艺电子器件位移损伤与电离总剂量协和效应试验方法
- 为了突显双极工艺电子器件位移损伤与电离总剂量协和效应特点，本发明提供一种双极工艺电子器件位移损伤与电离总剂量协和效应试验方法，首先利用γ射线对双极工艺电子器件进行辐照，辐照过程中应对器件采用变温辐照、恒高温辐照二种方式中...
- 刘岩陈伟郭晓强王晨辉金晓明姚志斌白小燕李俊霖
- 文献传递
- CMOS工艺单片机IO电路电离辐射效应模拟计算
- MOS工艺单片机IO电路的电离辐射效应进行了模拟计算.建立了NMOS寄生晶体管的物理模型,计算了晶体管阈值电压随总剂量的变化.通过改变晶体管的阈值电压,模拟了单片机IO电路的辐射响应,分析了典型结构电路参数的退化机制.模...
- 金晓明齐超杨善潮白小燕李瑞宾王桂珍刘岩
- 关键词：寄生晶体管
- 散裂中子源1MeV等效中子注量的测量方法
- 本发明属于辐射探测领域，涉及一种散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法。解决了现有散裂中子源中子束流无法直接提供1MeV等效中子注量且计算等效注量不确定度较大的技术问题，本发明采用的方法是利用双极型晶体管增益倒数和1M...
- 刘岩陈伟郭晓强金晓明李俊霖杨善潮王晨辉白小燕
- 文献传递
- EE80C196KC20单片机γ辐射总剂量效应
- 建立商用16位单片机EE80C196KC20辐射效应在线测试系统,利用60Co源在20rad(Si)/s的剂量率条件下研究了电离辐射的失效模式和敏感参数。实验获得了单片机的失效阈值,得到了功耗电流、I/O输出、PWM输出...
- 金晓明范如玉陈伟杨善潮林东生
- 关键词：电离辐射微处理器功耗电流
- 文献传递
- 中子单粒子效应研究现状及进展被引量：14
- 2015年
- 回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感性加剧的物理机制。分析认为目前中子单粒子效应已成为小尺寸大规模互补金属氧化物半导体器件的主要中子效应表现;中子辐射效应研究中,除了位移损伤效应以外还必需重视由中子电离造成的中子单粒子效应。
- 杨善潮齐超刘岩郭晓强金晓明陈伟白小燕林东生王桂珍王晨辉李斌
