王垠
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学电子电信更多>>
- 非晶硅薄膜及其与晶体硅的界面优化研究
- 随着半导体材料及其加工工艺的不断发展,半导体器件在军用和民用领域已经得到了广泛的应用。以单晶硅为基础,采用不同的几何结构和不同的工艺,已经研制出了种类繁多、功能用途各异的硅器件。而如何提高半导体器件的工作效率,制备出高效...
- 王垠
- 关键词：半导体器件氢化非晶硅薄膜少子寿命
- 文献传递
- 一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法
- 本发明公开了一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法，涉及半导体光电子材料与器件技术领域，其包括以下步骤：①多孔硅表面化学镀前处理；②采用化学镀工艺；③对含金属电极的多孔硅进行干燥处理；④对含金属电极的多孔硅进...
- 李伟余峰王垠廖家科郭安然蒋亚东
- 文献传递
- 一种新型国产EDA软件的验证与应用
- EDA软件是现代集成电路开发的必备工具,并且大规模运用在设计过程中,而我国由于起步较晚,目前在先进的开发工具上完全使用外国软件,但是由于国外软件的价格高昂,大大增加了我国集成电路设计企业的开发成本,严重阻碍整个IC设计产...
- 王垠
- 关键词：EDA存储器电路仿真物理实现
- 文献传递
- 一种提高非晶硅薄膜电导率的方法
- 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜电导率的方法，属于非晶半导体薄膜材料与器件技术领域。该方法包括以下步骤：①对绝缘衬底基片进行清洗；②采用射频磁控溅射方法，在上述基片表面通过硅钌复合靶溅射沉积非晶硅钌合金薄膜；③原位退火处理...
- 李伟郭安然何剑王垠余峰王冲蒋亚东
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- 一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法
- 本发明公开了一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法，涉及半导体光电子材料与器件技术领域，其包括以下步骤：①多孔硅表面化学镀前处理；②采用化学镀工艺；③对含金属电极的多孔硅进行干燥处理；④对含金属电极的多孔硅进...
- 李伟余峰王垠廖家科郭安然蒋亚东
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- 以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述光电探测器包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底1上表面中央的N<Sup>+</Sup>区2、位于N<Sup>+</Sup>区下方的...
- 李伟王垠郭安然余峰王涛蒋亚东
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- 以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述光电探测器包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底1上表面中央的N<Sup>+</Sup>区2、位于N<Sup>+</Sup>区下方的...
- 李伟王垠郭安然余峰王涛蒋亚东
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- 一种提高非晶硅薄膜电导率的方法
- 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜电导率的方法，属于非晶半导体薄膜材料与器件技术领域。该方法包括以下步骤：①对绝缘衬底基片进行清洗；②采用射频磁控溅射方法，在上述基片表面通过硅钌复合靶溅射沉积非晶硅钌合金薄膜；③原位退火处理...
- 李伟郭安然何剑王垠余峰王冲蒋亚东
