秦复光
- 作品数：19 被引量：36H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- Si(111)衬底上IBE法外延生长β-FeSi_2薄膜的研究被引量：12
- 1997年
- 本文采用质量分析的低能离子束外延法（以下简称IBE法）在Si（111）衬底上外延生长了β-FeSi2薄膜，并进行了X射线衍射测量分析；与扫描电镜配合验证了β-FeSi2外延薄膜的形成．实验结果表明：所得β-FeSi2（101）或（110）面基本平行于Si（111）面，验证了Si（111）上β-FeSi2外延薄膜的形成；并对失配度做了精确的计算；薄膜形貌呈岛屿状分布，同时分析了生长条件对薄膜形貌的影响．
- 李慧马辉丁维清秦复光
- 关键词：半导体材料硅衬底
- 离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征被引量：3
- 1998年
- 用电子能谱分析方法对低能离子束外延（IBE）生长的β－FeSi2进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征．实测出XPS价带谱与有关理论计算结果相符，用XPS价带谱来表征β-FeSi2比光电子峰更为清晰、可取．同时，对样品纵向分析表明界面处存在有较厚的过渡层．根据分析结果对低能IBE生长机理进行了探讨．经研究认为：Fe，Si通过空位机制进行的增强互扩散，在高温下生长出与St晶格相匹配的β－FeSi2．
- 吴正龙杨锡震秦复光
- 关键词：电子能谱离子束外延
- 在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性被引量：4
- 2000年
- 室温下在p Si(1 0 0 )上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的 ,XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射 ,其强度与晶体质量有关。
- 姚振钰贺洪波柴春林刘志凯杨少延张建辉廖梅勇范正修秦复光王占国林兰英
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底光学特性XRD
- 在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究被引量：1
- 1998年
- 利用质量分离低能离子束外延法，在Si（111）上生长出了硅化钻薄膜．表面微结构及表面组分、化学价态的分析测试表明，此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜．通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果，对这一薄膜生长的机理进行了探讨分析．
- 吴正龙姚振钰张建辉刘志凯秦复光
- 关键词：XPSRDE硅SEM
- CoSi_2超薄外延膜的生长研究被引量：4
- 1998年
- 用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．
- 姚振钰张国炳秦复光刘志凯刘志凯林兰英
- 关键词：离子束外延
- 质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究被引量：1
- 1993年
- 采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。
- 黄大定姚振钰壬治璋王向明刘志凯秦复光
- 关键词：硅单晶
- 图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究被引量：2
- 1999年
- 本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴（Ｃｏ）离子，并生长硅化钴薄膜．扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明，只在纯硅区探测到了硅化钴；而氧化硅区始终未见有钴的迹象．很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长．
- 吴正龙姚振钰刘志凯张建辉秦复光林兰英
- 关键词：金属硅化物钴
- 质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应被引量：2
- 2000年
- 用质量分离的低能离子束沉积技术得到了非晶碳薄膜 ,X射线衍射、Raman谱以及俄歇深度谱的线形表明 ,此种非晶碳膜中镶嵌着金刚石颗粒 .碳离子的浅注入是该碳膜SP3 形成的主要机理 .
- 廖梅勇张键辉秦复光刘志凯杨少延王占国李述汤
- 关键词：非晶碳离子轰击
- 用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究被引量：6
- 1992年
- 采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为～0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm^2V^(-1)s^(-1),比文献报道高两个量级.
- 姚振钰任治璋王向明刘志凯黄大定秦复光林兰英
- 关键词：半导体
- 低能离子束在薄膜淀积中的应用
- 1991年
- 本文介绍利用已建成的双束低能离子束薄膜淀积系统,制备Si、Ge、GaN低温外延膜,Si/CoSi_2/Si多层结构膜,以及金刚石多晶膜。
- 任治璋王向明姚振钰刘志剀秦复光
- 关键词：低能离子束SI
