刘江华
- 作品数：11 被引量：60H指数：5
- 供职机构：湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金武汉市青年科技晨光计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 电极材料对BST薄膜介电性能的影响被引量：4
- 2003年
- BST薄膜是微电子器件领域很有吸引力的介质材料.就BST薄膜研究中电极材料选择这一焦点问题进行综述,包括电极材料的种类,电极对薄膜微观结构、介电参数及稳定性等方面的影响,分析与电极相关的薄膜缺陷和可靠性现象,并对未来的发展作简要的描述.
- 张柏顺章天金江娟刘江华
- 关键词：BST薄膜介电性能电极材料介电参数氧空位
- R.F溅射Ba<,0.5>Sr<,0.5>TiO<,3>/RuO<,2>薄膜及其介电特性研究
- .F.磁控溅射法在p-Si(100)衬底上沉积Ba<,0.5>Sr<,0.5>TiO<,3>/RuO<,2>异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌XRD和SEM分析,表明在衬底...
- 张柏顺章天金江娟刘江华
- 关键词：BST薄膜射频溅射底电极结晶度介电特性
- BST薄膜的研究现状与发展趋势被引量：8
- 2003年
- 综述了(Ba_(1-x)Sr_x)TiO_3(BST)薄膜材料的研究现状,包括薄膜的制备技术、电极材料的选择、组分与掺杂对电学及介电性能的影响,分析了与薄膜相关的缺陷和可靠性现象,并对未来可能的进展作了简单的描述。
- 张柏顺章天金刘江华江娟
- 关键词：BST薄膜介电性能可靠性电极材料
- Mg掺杂对Ba<,0.6>Sr<,0.4>TiO<,3>薄膜介电性能的影响
- 应用Sol-Gel工艺制备了组份为(1-y)Ba<,0.6>Sr<,0.4>TiO<,3>-yMgO的薄膜材料,研究了Mg掺杂BST薄膜晶相结构、介电性能以及绝缘性能的影响规律.实验发现:随着Mg掺杂量的增加,BST薄膜...
- 章天金顾豪爽刘江华
- 关键词：BST薄膜介电性能溶胶-凝胶法
- 文献传递
- Mg掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜介电性能的影响被引量：5
- 2002年
- 应用Sol-Gel工艺制备了组份为(1-y)Ba 0.6Sr0.4TiO3-yMgO的薄膜材料,研究了Mg掺杂BST薄膜晶相结构、介电性能以及绝缘性能的影响规律.实验发现:随着Mg掺杂量的增加,BST薄膜的介电常数、损耗因子以及电容变化率减小,其电阻率则增加;当Mg掺杂量分数为5%时,其介电常数为380,损耗因子为0.013,电容变化率为17.5%,电阻率为1.0×1012Ω@crm.
- 章天金顾豪爽刘江华
- 关键词：BST薄膜介电性能钛酸锶钡薄膜铁电薄膜
- 钛酸锶钡薄膜的制备及其光学特性研究被引量：15
- 2004年
- 用溶胶–凝胶法在石英和Al2O3单晶衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,应用XRD与SEM表征了BST薄膜的晶化行为和表面形貌.在700℃退火1 h的薄膜,其表面光滑、晶粒大小分布均匀、无裂缝、无针孔.应用双光束光度计,在200~1000 nm的波长范围测量了薄膜的透射光谱,并根据'包络法'理论计算薄膜的折射指数.结果表明,当波长从近红外范围(1 000 nm)降低到可见光范围(430 nm)时,薄膜的折射率从2.16增加至2.35,当波长降低到紫外范围时,薄膜的折射率迅速增加,在365 nm处n =2.67.实验还发现沉积在Al2O3衬底上的BST的能隙约为3.48 eV.
- 张柏顺章天金江娟刘江华
- 关键词：无机非金属材料BST薄膜溶胶-凝胶法微观结构光学特性
- 最小二乘法在热电偶电势非线性软件补偿中的应用被引量：11
- 2004年
- 详细讨论最小二乘法拟合热电偶E-T曲线软件补偿的计算方法,并自行设计计算机程序.与硬件方法相比具有成本低、易调试、精度高等优点.实践证明,这种软件补偿法误差在0.5℃以下,是一种应用广泛的计算方法.
- 梁坤章天金张柏顺马志军江娟刘江华
- 关键词：最小二乘法热电偶电势非线性补偿
- Sol-Gel方法制备BST粉体的化学机理和晶化过程研究被引量：13
- 2004年
- 以钛酸丁酯、醋酸钡、醋酸锶为原料,乙二醇甲醚为溶剂,采用溶胶凝胶法按Ba∶Sr=0.65∶0.35的组分要求制备了(BaxSr1-x)TiO3粉体.应用FT—IR、X射线、DTA/TGA等分析手段,研究了Sol-Gel方法制备BST粉体过程中的物理化学过程及其晶化行为.实验结果表明:在BST凝胶中,COO—部分进入了凝胶的空间网络结构,起到一种中间连接体的作用;粉体在750℃时,完全晶化.
- 刘江华章天金张柏顺江娟马志军梁坤
- 关键词：晶化溶胶-凝胶法钛酸锶钡薄膜铁电材料
- R.F.溅射Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3/RuO_2薄膜及其介电特性研究被引量：2
- 2004年
- 用R.F.磁控溅射法在p—Si(100)衬底上沉积Ba0.5Sr0.5TiO3/RuO2异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌用XRD和SEM分析,表明在衬底温度为550℃时,薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大.电容器InGa/BST/RuO2的介电特性由ε-V特性和I—V特性描述.薄膜在零偏压下ε=230、tgδ≈0.03.低电场条件下,薄膜的漏电流随电压呈饱和特性,属电子跳跃传导,且通过改善薄膜的结晶度可减小该漏电流.高电场条件下,漏电流符合肖特基发射规律.
- 张柏顺章天金江娟刘江华
- 关键词：BST薄膜射频溅射底电极结晶度介电特性
- Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3陶瓷的制备工艺及其介电性能研究被引量：2
- 2004年
- 应用传统陶瓷制备工艺制备了Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷,探讨了制备Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷的最佳工艺条件.用激光粒度分布仪测试预烧粉料的粒度分布,用XRD衍射仪观察陶瓷的物相结构,用SEM观察陶瓷的显微结构,用Archimedes方法测量陶瓷的绝对密度,用低频阻抗分析仪测试陶瓷的介电性能.实验结果表明:应用传统陶瓷制备工艺获得结构致密、性能优良的Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷的最佳工艺条件为:1050℃预烧2h,1390℃烧结2h.此工艺条件下制备的陶瓷的介电常数约为4200,介电损耗约0.002,密度为5.4631g cm3.
- 江娟章天金张柏顺刘江华
- 关键词：介电常数介电损耗
