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李建中

作品数：6 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇刻蚀
  • 2篇混合气
  • 2篇半导体
  • 2篇INP
  • 1篇电阻
  • 1篇衍射
  • 1篇砷化镓
  • 1篇双晶衍射
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇欧姆接触电极
  • 1篇氩离子
  • 1篇镓铝砷
  • 1篇微米
  • 1篇微米结构
  • 1篇离子注入
  • 1篇膜系
  • 1篇接触电极
  • 1篇晶格
  • 1篇晶间

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇李建中
  • 1篇李秉臣
  • 1篇王玉田
  • 1篇庄岩
  • 1篇彭晔
  • 1篇程美乔

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇科学通报
  • 1篇第六届全国电...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1995
  • 2篇1991
  • 2篇1990
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的反应离子腐蚀(详细摘要)
李建中
关键词：半导体材料硅晶间腐蚀离子注入
Au-Pt-Ni/p-InP新的低欧姆接触电极被引量：1
1998年
用磁控溅射法淀积的非合金膜系Au_Pt_Ni/ p_InP( 1～ 2× 1 0 18cm-3 ) ,在 40 0℃ 30s的退火条件下 ,实现了比接触电阻低达 3× 1 0 -6Ω·cm2 的欧姆接触 .对不同温度 ( 30 0～ 5 0 0℃ )退火的Au_Pt_Ni/ p_InP欧姆接触所做的AES深度剖面分析揭示了Pt膜层阻挡Au的内扩散和InP外扩散的作用 .
李秉臣彭晔李建中
关键词：比接触电阻化合物半导体
氩离子在反应离子腐蚀Ⅲ-Ⅴ族材料中的作用被引量：1
1990年
本文以一些实例和所得到的结果来说明Ar^+离子在抑制晶向腐蚀作用、调节钝化阻挡层,以及清除微粒淀积物等方面的作用。
李建中
关键词：离子刻蚀氩离子
AlGaAs／GaAs超晶格界面平整度的X射线双晶衍射研究被引量：2
1995年
用Ｘ射线运动学的多层膜干涉理论，模拟计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超晶格Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线．提出了一种具有整数分子层的界面过渡层理论模型，并运用此理论研究了零级卫星峰的峰峰位的漂移，过渡层对超晶格卫星峰强度的影响以及低级卫星峰的规律性消光规律．
庄岩王玉田李建中
关键词：镓铝砷砷化镓超晶格衍射
采用CH_4/H_2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究被引量：3
1991年
CH_4/H_1混合气可以在室温下对InP进行反应离子腐蚀.由于腐蚀反应过程产生一定的淀积物,有利于增加图形侧墙腐蚀的钝化保护,实现垂直腐蚀,并能提高掩模的掩蔽作用.实验结果说明这是比较实用的一种腐蚀气体系统.对这个腐蚀系统进行了系统的实验,说明气体成分、工作气压、气体流量、射频功率以及掺入氩气对腐蚀效果的影响.
李建中陈纪瑛
关键词：混合气INP
用SF_(6)-N_(2)混合气的反应离子刻蚀制作WSi_(x)微米结构
1990年
本文报道了ESi_x在SF_6-Ar、SF_6-N_2混合气中的反应离子刻蚀(RIE)的实验结果。研究了在SF_6-N_2的混合气中刻蚀WSi_x时,气体成分、气体流量、工作气压和输入功率对刻蚀速率的影响。发现在SF_6/N_2中刻蚀WSi_x微米结构具有优越性。实验结果的重复性较好,并在高速场效应器件、光电集成器件(微米结构)制作中得到应用。
程美乔傅绍云李建中
关键词：反应离子刻蚀
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