王希恩
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：上海理工大学理学院更多>>
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- 相关领域：理学更多>>
- 钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算被引量：3
- 2014年
- 本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能。结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(V2+O和V2-Cd)存在。晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型。Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关。
- 陈俊王希恩严非男梁丽萍耿滔
- 关键词：模拟计算
- CdMoO_4:W^(6+)晶体电子结构的模拟计算研究
- 2015年
- 采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO_4:W^(6+)晶体的电子结构。计算结果显示,在CdMoO_4:W^(6+)晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO_4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25e V)的发射带与晶体中的钨类施主离子有关,合理地解释了CdMoO_4晶体在500~600 nm区间的发射带的起源。
- 严非男王希恩陈俊
- SrWO_4晶体中F型色心电子结构的研究被引量：1
- 2008年
- 运用相对论的密度泛函离散变分法(DV-Xα)研究了SrWO4晶体中F型色心的电子结构.计算结果表明,F和F+心在禁带中引入了新的施主能级;从施主能级到导带底的电子跃迁能分别是1.858,2.14 eV,这分别与669,581 nm的吸收带相对应.由此说明SrWO4晶体中669,581 nm吸收带起源于晶体中的F和F+心.
- 宋敏张启仁刘廷禹尹继刚郭小丰张海燕王希恩
- 关键词：吸收带
