王永晨
- 作品数：20 被引量：17H指数：2
- 供职机构：天津师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市教委基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- Si~+、As~+双离子注入半绝缘GaAs的无包封快速热退火技术的研究被引量：2
- 1995年
- 本文采用清华大学ＱＳＷ－３０７５快速热处理设备对Ｓｉ＾＋，Ａｓ＾＋双离子注入半绝缘ＧａＡｓ进行了快速热退火研究。结果表明，在适当条件下退火，注入杂质有高的激活效率，并且杂几乎没有因高温退火引起的扩散再分布，保留了原有的注入分布。在加热位置降温可消除注入晶片滑移的产生。
- 王永晨刘明成赵杰
- 关键词：快速热退火砷化镓
- 离子注入结合无杂质空位诱导量子阱混合的研究
- 2006年
- 离子注入诱导无序（IICD）和无杂质空住扩散（IFVD）方法是在同一基片上生长量子阱以后再导致部分区域量子阱混合（QWI）的重要方法。本文采用磷离子注入（注入能量为160keV，剂量分别为1×10^11，1×10^12，1×10^13，3×10^13，7×10^14ion／cm^2）和用无杂质空位扩散（PECVD 200nm SiO2电介质膜）相结合的方法来实现InGaAsP／InP多量子阱的混合（高纯氮保护下进行快速热退火，退火温度为780℃，退火时间为30s）。同时，和相同条件下纯磷离子注入诱导混和结果进行了比较。试验发现，先用PECVD镀200nm的SiO2电介质膜再进行磷离子注入的方法造成的带隙蓝移值比在同样条件下纯离子注入方法小，而先进行磷离子注入在用覆盖200nm的SiO2电介质膜造成的带隙蓝移值比在同样条件下纯离子注入方法稍大。说明，离子注入造成的缺陷比介质膜SiO2中的缺陷多。带隙兰移主要由离子注入引起。但用两种方法结合时，SiO2中的缺陷也起到促进作用。
- 陈杰杨格丹王永晨赵杰
- 关键词：量子阱混合
- SiOP介质膜及其对InGaAsP/InP量子阱激光结构混合无序的影响
- 2003年
- 用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μmInGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.XPS分析表明,该膜中存在SiO和PO键,P(2p)态键能为134.6eV.PL测量首次获得223.6meV的最大带隙蓝移.该技术在光子集成和光电子集成电路(PIC's,OEIC's)中有广泛的应用前景.
- 王永晨杨格丹赵杰李彦刘明成
- 关键词：PECVD光纤通讯
- 无杂质空穴扩散法研制可调InGaAs/InP激光器被引量：1
- 1999年
- 用无杂质空穴扩散（ Ｉ Ｆ Ｖ Ｄ） 法研制了延伸光腔分立电极 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ／ Ｉｎ Ｐ 半导体激光器。激光器材料的光发光谱说明由 Ｉ Ｆ Ｖ Ｄ 法可以造成量子阱材料带隙蓝移（３０ ～４０）ｎ ｍ 。材料带隙蓝移量与 Ｉ Ｆ Ｖ Ｄ 处理中的退火温度和退火时间有关，表面 Ｓｉ Ｏ２ 厚度亦有一定影响。延伸光腔波导损失较低，由此方法制作的分立电极激光器的阈值电流随延伸光腔部分所加的调制电流而变化，变化的阈值电流可从４０ ｍ Ａ 降至３０ ｍ Ａ。
- 赵杰王永晨
- 关键词：半导体激光器
- Si^+/As^+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究
- 2000年
- 研究了单 (Si+ )双 (Si+ / As+ )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ,对注入层电激活影响不大 .采用多重能量 Si+注入 ,可改善栽流子纵向分布的均匀性 ,采用 Si+ / As+ 双离子注入可改善 L EC SI-Ga As衬底中 EL 2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可获得注入层横向的电激活 .
- 鲁光沅刘福润刘明成赵杰王永晨
- 关键词：离子注入GAAS半导体
- F^+离子注入诱导应变层InGaAsP/InGaAs多量子阱结构无序的光荧光
- 1993年
- 本文研究了F^+离子注入诱导InGaAsP/InGaAs多量子阱结构,并着重研究了晶格匹配和失配应力对F^+离子注入诱导无序的影响,用变温光荧光(13～300K)方法研究了和带隙直接有关的光荧光峰值随温度变化的规律。在13K条件下,F^-离子注入具有压应力应变层的样品导致光荧光峰产生35meV的蓝移,而对具有张应力的样品,仅产生8meV的蓝移。定性地分析了产生不同程度蓝移的原因。
- 赵杰王永晨李德军
- 关键词：离子注入量子阱结构
- 一种增强量子阱混合的新技术被引量：1
- 2004年
- 采用PECVD技术在1.55μm InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5-74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量。对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV。在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜。
- 杨格丹王永晨赵杰车经国张淑云
- 关键词：MQWSIO2薄膜激光器结构PL谱蓝移
- 无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构的光荧光研究
- 2001年
- 用光荧光谱 ( PL)方法研究了无杂质空位诱导 ( IFVD) In Ga As/In P多量子阱 ( MQWs)结构的带隙蓝移 .实验中选用 Si3 N4 作为电介质层 ,用以产生空位 ,并经快速热退火处理 ,产生扩散 .实验结果表明 ,带隙蓝移同退火温度和退火时间有关 ,最佳退火条件是 80 0℃ ,1 0 s.同时二次离子质谱 ( SIMS)的分析表明 ,电介质盖层 Si3 N4 和快速热退火 ( RTA)导致量子阱中阱和垒之间元素互扩 。
- 张晓丹赵杰王永晨
- 关键词：光荧光谱二次离子质谱INGAAS/INP光电集成电路
- Si^＋,As^＋双离子注入半绝缘GaAs的研究被引量：1
- 1995年
- 本文采用Ｓｉ＋和Ｓｉ＋、Ａｓ＋单、双离子多重注入半绝缘砷化镓［ＨＢ－ＳＩＧａＡｓ（Ｃｒ）］．研究发现，双离子注入层经无包封快速热退火后，激活率和电子迁移率较单Ｓｉ＋注入样品明显提高．Ｒａｍａｎ谱显示结构完整性好，并且有好的载流子剖面分布．文中从化学计量比角度出发分析了激活率提高的原因和从注入离子增强扩散系数分布来解释了多重Ｓｉ＋、Ａｓ＋双注入的载流子浓度剖面分布．
- 王永晨刘明成叶维祎王玉芳赵杰
- 关键词：砷离子离子注入砷化镓半绝缘砷化镓
- 无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究被引量：2
- 2002年
- 采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。
- 张晓丹赵杰王永晨金鹏
- 关键词：光荧光谱磷化铟多量子阱结构
