刘明成
- 作品数：14 被引量：43H指数：5
- 供职机构：天津师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：天津市教委基金天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- Si~+、As~+双离子注入半绝缘GaAs的无包封快速热退火技术的研究被引量：2
- 1995年
- 本文采用清华大学ＱＳＷ－３０７５快速热处理设备对Ｓｉ＾＋，Ａｓ＾＋双离子注入半绝缘ＧａＡｓ进行了快速热退火研究。结果表明，在适当条件下退火，注入杂质有高的激活效率，并且杂几乎没有因高温退火引起的扩散再分布，保留了原有的注入分布。在加热位置降温可消除注入晶片滑移的产生。
- 王永晨刘明成赵杰
- 关键词：快速热退火砷化镓
- 基于DDS技术的程控信号源设计
- 在现代科研、通信系统、教学试验以及各种电子测量技术中，常常离不开一个高精度、频率可调的信号源，并且要求由数字信号来控制，这就是数字式频率合成器。频率合成虽不是一项新技术，但是近年来它的发展十分迅速，合成器性能不断提高，应...
- 刘明成
- 关键词：程控信号源频率合成器数字控制
- 文献传递
- Si^+/As^+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究
- 2000年
- 研究了单 (Si+ )双 (Si+ / As+ )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ,对注入层电激活影响不大 .采用多重能量 Si+注入 ,可改善栽流子纵向分布的均匀性 ,采用 Si+ / As+ 双离子注入可改善 L EC SI-Ga As衬底中 EL 2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可获得注入层横向的电激活 .
- 鲁光沅刘福润刘明成赵杰王永晨
- 关键词：离子注入GAAS半导体
- 基于DDS芯片的信号源应用设计被引量：6
- 2008年
- 结合DDS器件AD9854的结构原理和功能特点,设计了利用AVR单片机ATmega 128控制AD9854实现的程控信号源电路,并针对ATmega 128与AD9854之间的硬件接口电路和键盘控制电路,设计了可方便实现对信号源输出频率、相位以及信号源工作模式的控制,使之输出高稳定度、高分辨率的信号.
- 刘明成孙景瑞武津城
- 关键词：DDSAD9854AVR单片机ATMEGA128
- Si^＋,As^＋双离子注入半绝缘GaAs的研究被引量：1
- 1995年
- 本文采用Ｓｉ＋和Ｓｉ＋、Ａｓ＋单、双离子多重注入半绝缘砷化镓［ＨＢ－ＳＩＧａＡｓ（Ｃｒ）］．研究发现，双离子注入层经无包封快速热退火后，激活率和电子迁移率较单Ｓｉ＋注入样品明显提高．Ｒａｍａｎ谱显示结构完整性好，并且有好的载流子剖面分布．文中从化学计量比角度出发分析了激活率提高的原因和从注入离子增强扩散系数分布来解释了多重Ｓｉ＋、Ａｓ＋双注入的载流子浓度剖面分布．
- 王永晨刘明成叶维祎王玉芳赵杰
- 关键词：砷离子离子注入砷化镓半绝缘砷化镓
- 电子技术实验教学改革的探讨与实践被引量：11
- 2006年
- 面对21世纪迅猛发展的科技现状对传统基础实验教学模式的冲击,电子技术实验课程面临极大的挑战.本文结合作者多年的电子实验的教学实践,从几个方面阐述了师范院校电子技术实验课程改革的一些思路和实践.
- 刘明成吴晓荣王保均
- 关键词：电子技术实验教学教学改革
- SiOP介质膜及其对InGaAsP/InP量子阱激光结构混合无序的影响
- 2003年
- 用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μmInGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.XPS分析表明,该膜中存在SiO和PO键,P(2p)态键能为134.6eV.PL测量首次获得223.6meV的最大带隙蓝移.该技术在光子集成和光电子集成电路(PIC's,OEIC's)中有广泛的应用前景.
- 王永晨杨格丹赵杰李彦刘明成
- 关键词：PECVD光纤通讯
- 基于AD9852多模式信号的应用研究被引量：3
- 2011年
- 针对DDS器件AD9852的功能特点,设计了通过AVR单片机ATmega128控制AD9852芯片实现的程控信号源电路,并对ATmega128与AD9852之间的硬件接口电路以及软件功能的实现进行了介绍.通过此设计可以方便地实现对信号源输出频率、相位和AD9852各种模式的控制,使之能输出高稳定度、高分辨率和多模式的信号.
- 刘明成刘瑞安
- 关键词：DDS技术AD9852ATMEGA128多模式
- 离子注入半绝缘GaAs电激活效率与电激活均匀性的研究被引量：1
- 2000年
- 研究了Si+ 和Si+ /As+ 注入到HorizontalBridgman (HB)和LiquidEncapsulatedCzochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率与均匀性。结果发现 :在相同条件下 (注入与退火 ) ,不同生长方法的半绝缘GaAs衬底电激活不同 ,通常电激活HB >LEC ,HBSI—GaAs(Cr)(1 0 0 )A面 >(1 0 0 )B面 ,Si+ /As+ 双离子注入电激活高于Si+ 注入。Si+ /As+ 注入的LECSI—GaAs(EL2 )可改善衬底中EL2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可改善注入层内横向电激活均匀分布。剥离Hall测量表明 ,有源层电子迁移率分布均匀 ,近表面位量 ,可达 40 0 0cm2 /V .s。Raman谱显示 :Si+ /As+ 双注入可消除或减少与As空位 (VAs)有关的呈现正电性的复合体 ,这是提高注入层内在质量的重要原因。
- 刘明成刘福润鲁光元赵杰王永晨
- 关键词：离子注入半绝缘砷化镓
- 基于DDS技术的程控信号源设计被引量：6
- 2007年
- 针对美国AD(模拟器件)公司生产的DDS产品—AD9851芯片的功能特点,阐述了AT 89S52控制AD9851组成直接数字式频率合成信号发生器的应用设计电路,并对信号源的功能进行了C语言程序设计,完成了软件设计与实现.该程控信号源工作可靠,满足了高稳定度、高精度、高分辨率的要求,输出频率达20 MHz.
- 刘明成梁斌于振生
- 关键词：程控信号源DDSAD9851AT89S52
