陈海峰
- 作品数：10 被引量：17H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性被引量：4
- 2006年
- 研究了90nm工艺下栅氧化层厚度为1.4nm的n-MOSFET的击穿特性,包括V-ramp(斜坡电压)应力下器件栅电流模型和CVS(恒定电压应力)下的TDDB(经时击穿)特性,分析了电压应力下器件的失效和退化机理.发现器件的栅电流不是由单一的隧穿引起,同时还有电子的翻越和渗透.在电压应力下,SiO2中形成的缺陷不仅降低了SiO2的势垒高度,而且等效减小了SiO2的厚度(势垒宽度).另外,每一个缺陷都会形成一个导电通道,这些导电通道的形成增大了栅电流,导致器件性能的退化,同时栅击穿时间变长.
- 马晓华郝跃陈海峰曹艳荣周鹏举
- 关键词：超薄栅氧化层经时击穿
- p-GaN ICP刻蚀损伤研究被引量：2
- 2007年
- 运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均方根粗糙度在1.2nm以下.结果还显示,已刻蚀p-GaN材料的电特性与物理表面形貌没有直观联系,刻蚀后欧姆接触特性变差更多地是因为刻蚀中浅施主能级的引入,使表面附近空穴浓度降低所致.
- 龚欣吕玲郝跃李培咸周小伟陈海峰
- 关键词：GAN感应耦合等离子体刻蚀等离子体损伤
- AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析被引量：2
- 2007年
- 对MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长的不同Al组分AlGaN/GaN异质结进行了范德堡法Hall测量和电容-电压(C-V)测量,发现Hall测量载流子面密度值大于C-V测量值,并且随着AlGaN层Al组分的增加,两种测量值都在增加,同时它们的差值也在增加.认为产生这一结果的原因有两方面.一方面,Ni/Au肖特基金属淀积在AlGaN/GaN异质结上,改变了AlGaN势垒层的表面状态,使得一部分二维电子气(2DEG)电子被抽取到空的施主表面态中,从而减小了AlGaN/GaN异质结界面势阱中的2DEG浓度.随着势垒层Al组分的增加,AlGaN层产生了更多的表面态,从而使得更多的电子被抽取到了空的表面态中.另一方面,由于C-V测量本身精确度受到串联电阻的影响,使得测量电容小于实际电容,从而低估了载流子浓度.
- 倪金玉张进成郝跃杨燕陈海峰高志远
- 关键词：ALGAN/GAN异质结
- 90nm pMOSFETs NBTI退化模型及相关机理(英文)被引量：1
- 2007年
- 对90nm pMOSFETs在不同温度及栅压应力下的NBTI效应进行了研究,从而提出了90nm pMOSFETs NBTI退化对时间t、温度T及栅压应力Vg的模型.时间模型及温度模型与过去研究所提出的模型相似,但是关键参数有所改变.栅压应力模型遵循双对数关系,这与传统的单对数栅压应力模型不同.将较低的栅压应力也考虑在内时,双对数栅压应力模型较单对数栅压应力模型更为准确.
- 曹艳荣马晓华郝跃于磊朱志炜陈海峰
- 关键词：NBTIPMOSFETS
- 超薄栅下LDD nMOSFET器件GIDL应力下退化特性被引量：6
- 2007年
- 对1.4nm超薄栅LDDnMOSFET器件栅致漏极泄漏GIDL(gate-induced drainleakage)应力下的阈值电压退化进行了研究.GIDL应力中热空穴注进LDD区界面处并产生界面态,这导致器件的阈值电压变大.相同栅漏电压VDG下的不同GIDL应力后阈值电压退化量的对数与应力VD/VDG的比值成正比.漏偏压VD不变的不同GIDL应力后阈值电压退化随着应力中栅电压的增大而增大,相同栅偏压VG下的不同GIDL应力后阈值电压退化也随着应力中漏电压的增大而增大,这两种应力情形下退化量在半对数坐标下与应力中变化的电压的倒数成线性关系,它们退化斜率的绝对值分别为0.76和13.5.实验发现器件退化随着应力过程中的漏电压变化远大于随着应力过程中栅电压的变化.
- 陈海峰郝跃马晓华唐瑜孟志琴曹艳荣周鹏举
- 关键词：CMOS阈值电压
- 用原子力显微镜和扫描电镜研究GaN外延层中的位错腐蚀坑(英文)被引量：1
- 2007年
- 用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用.
- 高志远郝跃张进城张金凤陈海峰倪金玉
- 关键词：位错GAN
- 深亚微米电路N MOS器件HCI退化建模与仿真
- 2006年
- 提出一种深亚微米NMOSFET的热载流子注入下漏电流退化模型及其电路退化仿真方法.该模型将亚阈区、线性区和饱和区的漏电流退化行为统一到一个连续表达式中,避免了分别描述时由于模型不连续而导致的仿真不收敛问题.并且在模型中对亚阈区的栅偏依赖现象进行建模,提高了模型描述器件退化的准确度.用基于0.25μm工艺的NMOS器件对模型进行了验证,测试数据与仿真结果吻合得很好.
- 李康马晓华郝跃陈海峰王俊平
- 关键词：电路可靠性
- 超深亚微米CMOS器件GIDL电流及其可靠性研究
- 栅致漏极泄漏(GIDL)电流已经成为影响小尺寸MOS器件可靠性、功耗等方面的主要原因之一，它同时也对EEPROM等存储器件的擦写操作有重要影响。当工艺进入超深亚微米时代后，由于器件尺寸日益缩小，GIDL电流引发的众多可靠...
- 陈海峰
- 关键词：MOS器件超深亚微米工艺隧穿电流
- 高栅压电子注入损伤对产生电流的影响(英文)被引量：2
- 2008年
- 用反向GD法研究了高栅压应力下的LDD nMOSFET中的损伤情况.发现这种应力下产生电流峰值随着应力时间的增大变小,峰值变小和氧化层中负陷阱电荷增大的趋势一致.峰值变小是由于应力中氧化层陷阱电子起主导作用,从而减小了漏电压的有效作用,使得产生率最大值变小.应用这种新模型定量得出了影响漏电压的等效电荷密度.
- 陈海峰郝跃马晓华
- 90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性被引量：1
- 2005年
- 研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightlydoped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDDnMOSFET的GIDL(gateinduced drain leakage)电流变化后,发现当器件的栅氧厚度接近1nm,沟长接近100nm时,最大衬底电流应力不是电子注入应力,也不是电子和空穴的共同注入应力,而是一种空穴注入应力,并采用空穴应力注入实验、负最大衬底电流应力实验验证了这一结论.
- 陈海峰马晓华郝跃曹艳荣黄建方王文博李康
- 关键词：陷阱电荷GIDL
