周鹏举
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- MOS器件TDDB击穿机理研究
- 深入研究了MOS器件TDDB的击穿机理,并对器件寿命模型进行分析.研究结果表明:随着栅厚的不断减薄,E和1/E寿命预测模型的预测值与实际寿命值的偏差也随之越来越大.本文提出了一个器件寿命的修正模型,修正后的模型预测值和实...
- 周鹏举
- 关键词：经时击穿
- 文献传递
- 电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性被引量：4
- 2006年
- 研究了90nm工艺下栅氧化层厚度为1.4nm的n-MOSFET的击穿特性,包括V-ramp(斜坡电压)应力下器件栅电流模型和CVS(恒定电压应力)下的TDDB(经时击穿)特性,分析了电压应力下器件的失效和退化机理.发现器件的栅电流不是由单一的隧穿引起,同时还有电子的翻越和渗透.在电压应力下,SiO2中形成的缺陷不仅降低了SiO2的势垒高度,而且等效减小了SiO2的厚度(势垒宽度).另外,每一个缺陷都会形成一个导电通道,这些导电通道的形成增大了栅电流,导致器件性能的退化,同时栅击穿时间变长.
- 马晓华郝跃陈海峰曹艳荣周鹏举
- 关键词：超薄栅氧化层经时击穿
- 超薄栅下LDD nMOSFET器件GIDL应力下退化特性被引量：6
- 2007年
- 对1.4nm超薄栅LDDnMOSFET器件栅致漏极泄漏GIDL(gate-induced drainleakage)应力下的阈值电压退化进行了研究.GIDL应力中热空穴注进LDD区界面处并产生界面态,这导致器件的阈值电压变大.相同栅漏电压VDG下的不同GIDL应力后阈值电压退化量的对数与应力VD/VDG的比值成正比.漏偏压VD不变的不同GIDL应力后阈值电压退化随着应力中栅电压的增大而增大,相同栅偏压VG下的不同GIDL应力后阈值电压退化也随着应力中漏电压的增大而增大,这两种应力情形下退化量在半对数坐标下与应力中变化的电压的倒数成线性关系,它们退化斜率的绝对值分别为0.76和13.5.实验发现器件退化随着应力过程中的漏电压变化远大于随着应力过程中栅电压的变化.
- 陈海峰郝跃马晓华唐瑜孟志琴曹艳荣周鹏举
- 关键词：CMOS阈值电压
- 90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究
- 集成电路特征尺寸发展到90nm工艺时,栅介质层的厚度将至2nm以下,栅氧化层仅有几个原子层的厚度。在器件的栅电场强度不断增加情况下,绝缘击穿对栅介质层的影响越来越引起人们的关注。本文对NMOSFET的TDDB击穿现象及击...
- 周鹏举
- 关键词：NMOS器件经时击穿缺陷密度
- 文献传递
- 90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究
- 2007年
- 采用恒定电压应力对90 nm NMOS器件进行了TDDB击穿的评价实验,深入研究了90nm情况下TDDB的击穿机理,并对器件寿命进行预测和分析。结果表明,随着栅厚的不断减薄,E和1/E寿命预测模型不再适用。本文提出了一个器件寿命的修正模型,并按此模型对NMOS器件寿命进行预测,结果和实际值取得了很好的一致。
- 周鹏举马晓华曹艳荣郝跃
- 关键词：经时击穿
