黑立富
- 作品数：108 被引量：154H指数：6
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 等离子体化学气相沉积法金刚石涂层的温度测量装置
- 一种等离子体化学气相沉积法金刚石涂层的温度测量装置，属于金刚石涂层技术领域。包括：阴极部分、真空室、真空泵系统、压力测控装置、电源、阴极杆、阴极体、阳极、直流电弧弧柱、制品架、磁场线圈。在拉长的直流电弧弧柱(9)的周围装...
- 唐伟忠孟宪明黑立富李成明陈广超宋建华吕反修佟玉梅
- 文献传递
- CVD金刚石增强聚晶金刚石复合片的制备方法
- 本发明公开了一种用CVD金刚石增强的聚晶金刚石复合片及其制备方法，属于材料、机械以及工具领域。本发明通过向聚晶金刚石和硬质合金粉体中植入CVD金刚石条作为增强相，压制成坯后再经高温高压烧结工艺和适当的热处理工艺，从而烧结...
- 李成明刘盛魏俊俊黑立富刘金龙陈良贤
- 文献传递
- 高频大功率金刚石薄膜场效应管的研究进展被引量：2
- 2010年
- 随着CVD人工合成金刚石薄膜质量的不断提高,其优异的电学性能在高频、大功率领域特别是场效应管中的应用受到了极大地关注.制作金刚石薄膜场效应管,电子级质量的薄膜、形成良好的接触以及半导体的形成是其关键技术.以此为基础,为达到其在高频大功率下使用的目的,减小栅长和各种寄生参数以及提高耐压和散热能力成为决定其性能优劣的关键因素.本文针对金刚石薄膜场效应管制作的关键技术的突破、H端基表面导电机制、目前高频大功率场效应管的水平以及出现的一些相关在研热点进行了综述,展望了其巨大的优越性和广阔的应用前景.
- 刘金龙李成明陈良贤黑立富吕反修
- 关键词：金刚石薄膜高频大功率场效应管
- 电弧分区特征对金刚石形核的影响被引量：1
- 2014年
- 在直流电弧等离子体喷射CVD法制备金刚石膜中,电弧可分为弧心、弧干、弧边三个区域。本文主要阐述了电弧的分区特征,讨论电弧区域特征对金刚石形核的影响。同时,以电弧分区特征为基础,探讨了预处理方式和温度对金刚石形核的关联影响。结果表明:形核初期对应于TiC粉的Raman谱,衬底的钛过渡层表面形成了TiC的过渡层,弧心区域金刚石形核迅速,形核密度较高,而在弧边区域金刚石形核缓慢,形核密度相对较低。
- 左振博郭建超刘金龙陈良贤朱瑞华闫雄伯魏俊俊黑立富李成明
- 关键词：形核金刚石
- 工频脉冲激励条件下线形微波H_2等离子体的Langmuir探针诊断
- 2007年
- 在金刚石膜的化学气相沉积过程中,使用脉冲电源激励的微波等离子体可以提高金刚石膜的沉积速率或金刚石膜的质量。本文使用Langmuir探针研究了在工频脉冲电源激励条件下形成的线形微波H2等离子体的状态和开关特性。实验测量了在使用一支磁控管单独激励和两支磁控管共同激励情况下的H2等离子体的状态参量,包括等离子体的空间电位Vsp、探针悬浮电位Vf、电子温度Te和电子密度ne随时间的变化,特别是讨论了H2等离子体参量在激励电源开启与关断瞬间的过渡特征。
- 刘伟唐伟忠黑立富蒋开云
- 关键词：LANGMUIR探针微波等离子体脉冲电源
- 直流电弧等离子体喷射在金刚石膜制备和产业化中的应用被引量：11
- 2008年
- 综述了北京科技大学在直流电弧等离子体喷射CVD金刚石膜沉积系统研制和改进及大面积高质量(包括光学级)金刚石自支撑膜沉积的研究进展和产业化状况。用同样技术研发出了可用于复杂形状硬质合金工具金刚石膜涂层工具批量生产的强电流直流伸展电弧等离子体CVD金刚石膜涂层系统,讨论了利用该设备研发金刚石膜涂层硬质合金工具及其现场切削试验的结果。
- 吕反修唐伟忠李成明宋建华黑立富
- 化学气相沉积过程中Si的引入对硬质合金金刚石涂层附着力的影响被引量：3
- 2005年
- 利用微波等离子体化学气相沉积方法,以H2、CH4和八甲基环四硅氧烷(D4)为原料,在硬质合金基体上沉积了金刚石涂层。与一般只使用H2、 CH4为原料时的情况相比,金刚石涂层与硬质合金基体间的附着力有了一定程度的提高。对涂层断面的成分分析表明,Si在涂层与基体间的界面处有富集的倾向,而这将有助于抑制Co对涂层附着力的不利影响,提高金刚石涂层的附着力。
- 樊凤玲唐伟忠黑立富吕反修刘素田
- 关键词：微波等离子体化学气相沉积八甲基环四硅氧烷金刚石涂层附着力硬质合金
- 一种超高定向导热碳基复合材料的制备方法
- 一种超高定向导热碳基复合材料的制备方法，属于半导体材料制备领域。通过金刚石表面处理后自助转移石墨烯制备石墨烯/金刚石定向超高导热复合材料，工艺步骤为：a.制备态金刚石膜经精密机械抛光获得低于1nm粗糙度的表面，也可在激光...
- 刘金龙李成明苗建印李振宇魏俊俊陈良贤黑立富张建军闫雄伯
- 一种高导热集成电路用金刚石基片的制备方法
- 本发明属于半导体基础电路用基体材料制备技术领域；特别是提供了一种制备高导热电子器件用掺杂金刚石膜复合基片的方法。在金属衬底或石墨过渡层衬底首先进行高密度金刚石形核生长，然后进行沉积掺杂元素的金刚石膜，随后进行金刚石膜生长...
- 李成明刘金龙张营营陈良贤黑立富吕反修
- 大功率DC Arc Plasma Jet CVD制备微／纳米复合金刚石自支撑膜的研究
- 在30kW级DC Arc Plasma Jet CVD装置下,采用Ar-H2-CH4混合气体, 在钼衬底上制备出了复合金刚石自支撑膜,并对其表面和侧面分别进行了扫描电镜 （SEM）、X射线衍射（XRD）、激光拉曼光谱（R...
- 兰昊陈广超戴风伟李彬唐伟忠李成明宋建华J．Askari黑立富佟玉梅吕反修
- 文献传递
