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静压下ZnS_（0．02）Te_（0．98）混晶的共振喇曼散射研究: 1996年; 在１５Ｋ和１～３ＧＰａ静压范围内研究了ＺｎＳ０．０２Ｔｅ０．９８混晶的共振喇曼散射，样品用ＭＢＥ方法生长在［００１］晶向的半绝缘ＧａＡｓ衬底上．利用静压调制带隙实现与４８８．０ｎｍ线的共振喇曼散射．观察到类ＺｎＴｅ和类ＺｎＳ两类ＬＯ声子模以及它们的倍频模和组合模．测得类ＺｎＴｅ的ＬＯ声子模的压力系数约为４．; 汪兆平李国华韩和相葛惟锟林兆斌苏荫强; 关键词：混晶静压喇曼散射

半导体器件及其制作方法: 一种二极管、紫外辐射探测器和半导体器件制造方法，包含具有第一面和第二面的基底的二极管。二极管包含活性层，基底第一面上有CaS的岩盐相晶体结构，另一面设有电触点。二极管在活性层上还设有半透明导电层。紫外辐射探测器包含二极管...; 何庆林赖英凯刘艺苏荫强; 文献传递

可见－不可见紫外探测器: 本发明公开了可见－不可见UV探测器,其包括ZnSTe合金活性层。Te组成根据衬底的性质(如Si、GaP或GaAs)是可变的,以提供良好的晶格匹配性。本发明还提供一种新型结构,其具有高的量子效率。本发明亦公开了具有纯ZnS...; 苏荫强马朝晖文彩丽黄锦圣杨志宇王克伦; 文献传递

ZnSSe双光子吸收光电二极管的自相关器被引量：2: 2003年; 报道一种ZnSSe双光子吸收光电二极管的新型飞秒自相关器 ,其工作波长覆盖 40 0～ 80 0nm的极宽光谱范围。用对紫外波长更为敏感的ZnMgS双光子吸收光电二极管 ,可延伸自相关器的工作波长至短于 40 0nm的紫外波段。; 孙涛黄锦圣张伟力柴路王清月苏荫强; 关键词：ZNSSE 光电二极管自相关器双光子吸收飞秒激光脉冲

ZnS中Te等电子中心的时间分辨光谱研究被引量：1: 2005年; 用时间分辨光谱研究了很大的Te组分范围内的ZnS1 -xTex(x =0 0 0 5— 0 85 )合金的发光动力学特性 ,结果表明 :不同形态的Te等电子中心具有不同的辐射复合寿命 ,从几个ns到几十个ns的范围内变化 ,当x=0 15左右时 ,寿命达到最大值 (约 4 0ns) .其物理机理源于不同的Te等电子中心具有不同的局域化特性 .当Te组分较小时 ,等电子中心从Te1 逐渐演变到Te2 ,Te3或Te4 时 ,相应发光寿命增加 ,表现出不断增强的激子发光局域化特性 ;而当Te组分较大时 ,Te原子团变得较大 ,其局域势与基体原子势的相互作用增强 ,等电子中心的局域化特性减弱 ,而基体价带扩展态特征变得明显起来 ,相应发光寿命逐渐减小 .还研究了激子束缚能随Te组分的变化以及发光强度随温度的变化关系 ,所得结果进一步支持了时间分辨光谱研究所得到的结论 .; 杨旭东徐仲英罗向东方再历李国华苏荫强葛惟昆; 关键词：硫化锌时间分辨光谱局域态

ZnSe/GaAs赝共格外延层中二聚体诱发的位错: 1996年; 在ZnSe/GaAs外延层中观察到完全的和不完全的层错四面棱锥体,层错梯形和层错管。本文提出一个模型:虽然这些层错的几何形状不同,但它们都起始于同一个源-界面处Se二聚体链构成的矩形环。此模型可以解释所有这些层错的组态。本文还指出这些抽出和插入型层错(尤其是层错管)的张应力和压应力对外延层退化过程中间隙原子或空位的扩散可能起着重要的作用。; 冯国光王宁苏荫强; 关键词：二聚体层错外延层半导体

光盲紫外探测器: 本发明公开了光盲UV探测器，其包括ZnSTe合金活性层。Te组成根据衬底的性质(如Si、GaP或GaAs)是可变的，以提供良好的晶格匹配性。本发明还提供一种新型结构，其具有高的量子效率。本发明亦公开了具有纯ZnS活性层和...; 苏荫强马朝晖文彩丽黄锦圣杨志宇王克伦; 文献传递

半导体器件及其制作方法: 一种二极管、紫外辐射探测器和半导体器件制造方法，包含具有第一面和第二面的基底的二极管。二极管包含活性层，基底第一面上有CaS的岩盐相晶体结构，另一面设有电触点。二极管在活性层上还设有半透明导电层。紫外辐射探测器包含二极管...; 何庆林赖英凯刘艺苏荫强; 文献传递

ZnS_xTe_(1-x)三元混晶的光学性质研究被引量：1: 1998年; 报道了对一系列不同组份的ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ（０≤ｘ＜１）混晶的喇曼散射和光致发光研究．室温下的喇曼散射实验结果表明ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ中的声子具有双模行为．研究了ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ混晶的反射谱、背散射和边发射配置下的光致发光谱，以及１０～３００Ｋ温度范围内光致发光谱的温度关系，结果表明：ｘ较小时，ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ的发光来源于混晶带边发光或浅杂质的发光；ｘ接近１时，发光蜂来源于束缚在Ｔｅ等电子陷阱上的自陷激子的辐射复合．; 刘南竹朱作明李国华韩和相汪兆平葛惟馄苏荫强; 关键词：混晶光致发光喇曼散射

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苏荫强