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茅盘松

作品数：50 被引量：114H指数：6
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇期刊文章
  • 13篇专利
  • 4篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 9篇机械工程
  • 7篇自动化与计算...
  • 4篇航空宇航科学...
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 13篇感器
  • 13篇传感
  • 13篇传感器
  • 9篇陀螺
  • 9篇加速度
  • 8篇硅
  • 7篇振动陀螺
  • 6篇电路
  • 6篇多晶
  • 6篇多晶硅
  • 6篇集成电路
  • 6篇半导体
  • 5篇直接键合
  • 5篇微硅
  • 5篇微机械
  • 5篇加速度计
  • 5篇键合
  • 5篇硅片
  • 4篇电流镜
  • 4篇电容式

机构

  • 50篇东南大学
  • 2篇南京邮电学院

作者

  • 50篇茅盘松
  • 7篇朱静远
  • 7篇黄庆安
  • 6篇陈德英
  • 5篇秦明
  • 5篇黄金彪
  • 5篇王修伦
  • 4篇王立峰
  • 3篇方玉明
  • 2篇张会珍
  • 2篇周再发
  • 2篇高涛
  • 2篇谢世健
  • 2篇张旭
  • 1篇蔡世俊
  • 1篇史建伟
  • 1篇熊涛
  • 1篇王强
  • 1篇程坤
  • 1篇范建林

传媒

  • 10篇传感器技术
  • 10篇电子器件
  • 4篇固体电子学研...
  • 3篇传感技术学报
  • 2篇半导体技术
  • 2篇微电子学
  • 2篇第二届全国敏...
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 4篇1999
  • 2篇1998
  • 4篇1997
  • 8篇1996
  • 7篇1995
  • 1篇1994
  • 5篇1993
  • 1篇1992
  • 3篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1985
共 50 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
智能型MOS开关电源功率集成电路
谢世健茅盘松朱静远
关键词：MOS集成电路电源电路设计开关电源
微重力加速度级电容式加速度传感器
本发明公开了一种用于微电子机械的微重力加速度级电容式加速度传感器，由支撑边缘，由电容动极板及电容定极板构成的电容器和质量块组成，在支撑边缘和电容器上均设在锚区，设在支撑边缘上的锚区通过悬臂梁与设在电容器上的锚区相连，电容...
周再发黄庆安茅盘松
文献传递
一种压阻式高g值加速度传感器被引量：6
2004年
讨论了硅的压阻效应 ,利用简化的力学模型设计了高 g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图 ,并制备出样品 ,测试结果表明本传感器加速度可大于 80 0 0 g。
陈德英茅盘松张旭王强
关键词：压阻效应高G值SOI衬底
带过流自保护功能高压大功率 VDMOSFET 的研究被引量：1
1998年
研制出一种高可靠性、具有过流自保护功能的高压大功率ＶＤＭＯＳＦＥＴ器件，它采用与常规ＶＤＭＯＳＦＥＴ工艺相同、结构不同的设计。该器件的漏－源击穿电压大于２００Ｖ，正常工作电流大于２Ａ，过流自保护小于４Ａ，它能大大提高应用的可靠性。
茅盘松
关键词：过电流保护场效应晶体管VDMOSFET
平面振动式微硅型加速度计的结构设计被引量：5
1996年
详细介绍了一种平面振动式微硅型加速度计的工作原理，并用理论力学和材料力学阐述了这种加速度计的结构设计方法。
茅盘松
关键词：加速度计
双框架硅微型机械振动陀螺仪鲁棒控制研究被引量：5
2005年
以内框驱动式双框架硅微型角振动机械陀螺仪为对象,建立了闭环力平衡控制模型,采用鲁棒H∞控制理论中的混合灵敏度法设计了鲁棒控制器。仿真结果表明,同开环微机械陀螺相比,通过合理选择加权函数设计出的鲁棒H∞控制器能使微机械陀螺对敏感轴固有频率摄动敏感性显著降低,微机械陀螺鲁棒性能显著提高。
方玉明李普茅盘松
关键词：鲁棒H∞控制
硅集成多触点真空度开关
硅集成多触点真空度开关是一种用于低真空系统中分段自动控制真空度的半导体传感器，采用表面有重掺杂的硅材料为衬底，多晶硅薄膜与衬底之间采用亚真空系统中沉积的SiO<Sub>2</Sub>层真空封接构成真空参考腔，腔间距由沉积...
茅盘松
文献传递
智能高压大功率VDMOSFET
1995年
本文介绍一种高可靠的具有自动过流保护的智能高压大功率ＶＤＭＯＳＦＥＴ，已研制出了漏源击穿电压大于２００Ｖ；正常工作电源大于２Ａ；自动保护过电流小于４Ａ的器件。工艺完全与常规ＶＤＭＯＳＦＥＴ一致。这种新颖ＶＤＭＯＳＦＥＴ结构的应用能提高整机可靠性。
茅盘松
关键词：半导体器件大功率VDMOSFET电力电子器件
用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术被引量：10
1999年
针对在Ｍ ＥＭＳ加工中所要求的低温键合，提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的ＳＤＢ提高近１０ 倍的结论。最后详细探讨了其键合机理。
肖天龙茅盘松袁璟
关键词：MEMS硅片直接键合IC
N型差分式电场微传感器
N型差分式电场微传感器，由n沟道电场传感器、n沟道耗尽型金属氧化物半导体管、P型金属氧化物半导体管电流镜及N型金属氧化物半导体管组成，P型金属氧化物半导体管电流镜由2个P型金属氧化物半导体管组成，2个P型金属氧化物半导体...
黄庆安王立峰秦明茅盘松
文献传递
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