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訾威

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：陕西师范大学更多>>
相关领域：电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇透明导电
  • 7篇衬底
  • 5篇电池
  • 5篇透明导电氧化...
  • 4篇纳米
  • 3篇导电薄膜
  • 3篇氧化物薄膜
  • 3篇太阳电池
  • 3篇透明导电氧化...
  • 3篇金属薄膜
  • 2篇导电
  • 2篇导电性能
  • 2篇电磁
  • 2篇电磁场
  • 2篇电学性能
  • 2篇电子能
  • 2篇电子能谱
  • 2篇电子能谱仪
  • 2篇乙烯
  • 2篇乙烯共聚物

机构

  • 17篇陕西师范大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 17篇訾威
  • 14篇刘生忠
  • 7篇肖锋伟
  • 6篇朱学杰
  • 6篇刘晓静
  • 6篇马强
  • 3篇武怡
  • 3篇高斐
  • 3篇王皓石
  • 3篇陈彦伟
  • 2篇李曼
  • 2篇张豆豆

年份

  • 1篇2017
  • 8篇2016
  • 1篇2015
  • 7篇2014
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
利用Ag纳米颗粒提高柔性a-SiGe:H电池的陷光研究
薄膜硅太阳电池具有原材料丰富、无毒、易于柔性化与轻便化等优点,适合应用在光伏建筑一体化、可穿戴等设备上.目前,常用的薄膜硅电池包括非晶硅电池(a-Si:H)、纳晶硅电池(nc-Si:H)、非晶硅锗电池(a-SiGe:H)...
訾威任小东肖锋伟高斐刘生忠
关键词：银纳米颗粒量子效率反射光谱
一种超薄金属层催化剂及其用途
本发明公开了一种超薄金属层催化剂及其用途，该催化剂包含载体、负载于载体上的主活性组分金属和助活性组分金属薄膜；主活性组分金属由均匀覆盖在载体上的超薄金属层构成；超薄金属层是金属铂、金、钯的任意一种；助活性组分金属薄膜为金...
刘生忠李曼马强张豆豆訾威朱学杰刘晓静
文献传递
一种热处理透明导电薄膜材料的方法
本发明公开了一种热处理透明导电薄膜材料的方法：首先，在柔性衬底上沉积透明导电薄膜，然后在透明导电薄膜的两个位置加上电压，通入电流，使透明导电材料温度上升，达到热处理效果，提高透明导电材料的透过率及电学性能。这种热处理的方...
刘生忠訾威肖锋伟
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一种热处理透明导电薄膜材料的方法
本发明公开了一种热处理透明导电薄膜材料的方法：首先，在柔性衬底上沉积透明导电薄膜，然后在透明导电薄膜的两个位置加上电压，通入电流，使透明导电材料温度上升，达到热处理效果，提高透明导电材料的透过率及电学性能。这种热处理的方...
刘生忠訾威肖锋伟
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基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法
一种基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法，它是由下述步骤组成：将高分子胶膜放置到已经在基底上制备的厚度小于10个原子层的金属纳米材料薄膜上,加热至高分子胶膜与基底粘接在一起，自然冷却至室温；将粘在一起的高分子胶膜与基...
刘生忠马强訾威朱学杰刘晓静
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柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法
一种柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法，由下述步骤组成：将柔性卷曲导电衬底放入制备器皿1中并连接到第一电极2，以惰性金属片作第二电极3，两电极间的距离为0.2～10cm，在制备器皿1中加入含待镀金属盐的沉积...
刘生忠马强訾威朱学杰刘晓静
增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法
本发明公开了一种增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，在硅的N-I-P层与前、背两个透明导电氧化物层之间分别刻蚀周期边长为200～500nm的锯齿状三角一维光栅，其中硅的N-I-P层前表面的三角一维光栅与硅的N-I...
高斐王皓石刘生忠訾威陈彦伟武怡宋飞莺马笑轩肖锋伟
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一种利用电磁加热优化透明导电氧化物薄膜质量的方法
本发明公开了一种利用电磁加热优化透明导电氧化物薄膜质量的方法：首先在柔性材料衬底上制备TCO薄膜；将制备的TCO薄膜置于电磁场中对其加热处理，使其导电、透光性能得到提升，得到优化的透明导电氧化物薄膜。本发明的方法不但解决...
刘生忠肖锋伟訾威
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基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法
一种基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法，它是由下述步骤组成：将高分子胶膜放置到已经在基底上制备的厚度小于10个原子层的金属纳米材料薄膜上,加热至高分子胶膜与基底粘接在一起，自然冷却至室温；将粘在一起的高分子胶膜与基...
刘生忠马强訾威朱学杰刘晓静
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柔性电池的陷光及理论模拟研究
柔性硅基薄膜太阳电池由于其原材料丰富、无毒、柔性、可携带、组件功率重量比高,因此在军工与民用领域都有广泛的市场需求。但是对于纳米晶硅(nc-Si:H)、非晶硅(a-Si:H)及非晶硅锗(a-SiGex:H)材料,由于其长...
訾威
关键词：AG纳米颗粒背反FDTD
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共2页<12>
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