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贾英茜

作品数:40 被引量:95H指数:6
供职机构:石家庄学院更多>>
发文基金:河北省科技计划项目河北省高等学校科学技术研究指导项目博士科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信机械工程文化科学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 36篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 31篇电子电信
  • 4篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 10篇化学机械抛光
  • 10篇机械抛光
  • 7篇抛光液
  • 5篇抛光
  • 5篇
  • 5篇MEMS
  • 4篇噪声
  • 4篇振荡器
  • 4篇相位
  • 4篇谐振器
  • 4篇CMP
  • 4篇插塞
  • 3篇相位噪声
  • 3篇晶体振荡
  • 3篇晶体振荡器
  • 3篇抗振
  • 3篇教学
  • 3篇ULSI
  • 3篇粗糙度
  • 2篇等效

机构

  • 26篇石家庄学院
  • 19篇河北工业大学
  • 6篇中国电子科技...
  • 6篇中国电子科技...
  • 1篇河北北方学院
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 40篇贾英茜
  • 10篇刘玉岭
  • 7篇王现彬
  • 5篇杨洁
  • 5篇杨彦彬
  • 5篇高彦彦
  • 5篇徐淑壹
  • 4篇李莉
  • 4篇李莉
  • 4篇容旭巍
  • 4篇牛新环
  • 4篇孙鸣
  • 4篇刘博
  • 3篇李宁
  • 3篇武晓玲
  • 3篇卢智嘉
  • 3篇王立发
  • 3篇张伟
  • 3篇赵正平
  • 3篇陈中平

传媒

  • 10篇微纳电子技术
  • 6篇科技风
  • 3篇电子科技
  • 3篇半导体技术
  • 3篇微电子学
  • 2篇激光与红外
  • 2篇石家庄学院学...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇计算机应用
  • 1篇河北工业大学...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇中国新通信
  • 1篇学周刊(上旬...
  • 1篇教育教学论坛
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 9篇2014
  • 5篇2013
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2007
  • 8篇2006
40 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光DQPSK调制在不同色散补偿系统中的性能被引量:4
2014年
分析了光非归零-差分正交相移键控(NRZ-DQPSK)、33%归零-差分正交相移键控(33%RZ-DQPSK)和载波抑制归零-差分正交相移键控(CSRZ-DQPSK)三种调制格式的频域特性。并数字仿真了40Gbit/s的单信道光纤系统中三种调制格式在对色散(CD)进行后补偿、预补偿和对称补偿等三种补偿方式及考虑偏振模色散(PMD)和非线性效应情况下的传输性能。仿真结果表明,33%RZ-DQPSK对自相位调制(SPM)有最好的容忍度,但缓解PMD和CD的能力较弱;CSRZ-DQPSK在色散后补偿方式中对PMD和非线性效应具有最好的抑制能力。
王现彬贾英茜卢智嘉王超李宁
关键词:调制格式正交相移键控色散补偿自相位调制偏振模色散
基于异种网络互联的多协议数据通信的研究
李莉付星张军贾英茜史源平卢智嘉赵翠俭杨洁于京生高彦彦
该系统采用软件和硬件结合的方式,检测系统的连接、关闭、监听等状态选择TCP/IP的工作模式,软件即是将串口的数据作为TCP/IP 的应用层数据,用TCP/IP封装传输的方式。OpenTCP协议栈应用到Modbus数据帧在...
关键词:
关键词:微控制器服务器
铜CMP碱性抛光液中氧化剂的电化学行为研究被引量:2
2017年
化学机械抛光(CMP)工艺是IC工艺中大马士革工序的关键步骤。抛光液的电化学行为研究对抛光质量的控制具有重要意义。采用电化学测试手段,研究碱性抛光液中氧化剂(H_2O_2)对铜表面钝化膜的成膜影响,分析H_2O_2对抛光速率、表面粗糙度的影响机理。通过实验确定,在0.5%SiO_2磨料和3%表面活性剂的碱性抛光液中,添加0.5%的H_2O_2和3%的FA/OⅡ型螯合剂可获得大于800 nm/min的高抛光速率和表面粗糙度为22.2 nm的较佳平坦效果。
贾英茜牛新环腰彩红
关键词:化学机械抛光电化学抛光速率
ULSI多层互连中的化学机械抛光工艺被引量:12
2006年
介绍了化学机械抛光(CMP)技术在大规模集成电路多层互连工艺[1]中的重要作用,对CMP过程和CMP的影响因素进行简单分析。总结出CMP技术在多层互联平坦化中的优势,介绍目前常用互连材料中SiO2介质及其金属材料钨和铜的化学机械抛光常用分析机理,并简单介绍了各种互联材料常用的抛光液及抛光液的组分,对抛光液作了简单的对比。针对传统CMP过程存在的问题,分析了皮带式和固定磨料的CMP技术。
贾英茜刘玉岭牛新环刘博孙鸣
关键词:化学机械抛光多层互连抛光液
ULSI多层铜布线CMP影响因素分析研究被引量:10
2006年
研究了ULSI多层互连工艺中铜布线的CMP的机理;对影响抛光速率和抛光后表面状态的诸因素,如抛光条件、抛光方式和抛光耗材进行了分析;特别针对抛光液对铜布线CMP的影响,提出了目前存在的主要问题,并对未来的研究方向和研究内容进行了展望。
刘博刘玉岭孙鸣贾英茜刘长宇
关键词:化学机械抛光铜布线抛光液
电容式RF MEMS谐振器被引量:3
2010年
介绍了应用于通信领域的电容式RF MEMS谐振器及其在通信系统小型化中的优势。对电容式微机械谐振器进行了综合分析,包括基本工作过程分析、基本参数的理论分析及等效电路的分析。介绍了目前几种常用结构的谐振器,包括梳状谐振器、梁式谐振器及盘式谐振器的工作过程和谐振频率的发展空间。重点分析了谐振器的电容间隙及锚这两个重要的结构参数对谐振器性能的影响。最后,对电容式微机械谐振器存在的问题作了总结,对其发展趋势做出展望。
贾英茜赵正平杨拥军王立发
关键词:谐振器谐振频率品质因数电容间隙
InSb抛光片表面粗糙度分析被引量:3
2006年
研究了影响InSb抛光片表面的粗糙度的因素,通过实验数据及理论分析,用化学机械抛光的方法有效的降低了InSb抛光片表面的粗糙度。
刘承霖刘玉岭贾英茜张伟
关键词:粗糙度化学机械抛光
GLSI多层布线钨插塞CMP表面质量的影响因素分析被引量:1
2011年
随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对IC工艺中的全局平坦化提出了更高的要求。在特大规模集成电路(GLSI)多层布线化学机械抛光(CMP)过程中,抛光质量对器件的性能有明显影响。研究了多层互连钨插塞材料CMP过程中表面质量的影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响抛光质量的主要因素,确定了获得较高去除速率和较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数。
韩力英牛新环贾英茜刘玉岭
关键词:多层布线化学机械抛光粗糙度
ICP刻蚀技术及其在MEMS中的应用
2014年
ICP技术是微纳加工中的常用技术之一,由于在加工过程中的可控性较高,因此在MEMS的加工中有着越来越重要的地位。本文主要对硅基MEMS器件的刻蚀原理进行分析,并简要介绍在加工过程中如何对过程进行控制已达到想要的结果。
贾英茜李莉容旭巍
关键词:MEMS刻蚀ICP
基于MATLAB的说话人识别系统设计与实现
2016年
借助语音增强、基音频率分析和共振峰分析,设计了简单的说话人识别系统.在识别过程中以平均基音频率、共振峰峰值位置作为两种评价标准,交互印证,最终实现了说话人的身份辨认.
王现彬杨洁贾英茜饶立婵
关键词:基音频率说话人识别MATLAB
共4页<1234>
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