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赵德益

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文基金：西安应用材料创新基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇绝缘体上硅
  • 2篇SOI
  • 2篇H型
  • 1篇单元库
  • 1篇抗辐射
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇寄生参数
  • 1篇寄生参数提取
  • 1篇建库
  • 1篇仿真
  • 1篇保护电路
  • 1篇NMOS
  • 1篇PD_SOI
  • 1篇PDSOI
  • 1篇CMOS
  • 1篇ESD
  • 1篇标准单元库

机构

  • 4篇西安微电子技...

作者

  • 4篇刘佑宝
  • 4篇吴龙胜
  • 4篇赵德益
  • 2篇唐威
  • 1篇于洪波
  • 1篇卢红利
  • 1篇谢成民
  • 1篇苏强
  • 1篇王忠芳
  • 1篇晁长征

传媒

  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇吉林大学学报...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
CMOS标准单元后仿真及其时序信息的建立被引量：2
2009年
时序信息是标准单元特征化参数的重要组成部分.针对全定制标准单元的版图,在进行LVS验证之后,采用寄生参数提取工具对其进行晶体管级的寄生参数提取,得到单元内部的详细寄生电容和电阻值.提出了一种建立标准单元时序信息的方法,并以一个具体标准单元为例对其进行了版图后仿真,结果表明该法行之有效.
晁长征吴龙胜刘佑宝唐威赵德益苏强
关键词：寄生参数提取
基于PD SOI的GCNMOS电源箝位保护电路
2011年
随着绝缘体上硅(SOI)技术的快速进展,SOI集成电路的静电放电(ESD)保护已成为一个主要的可靠性问题.研究了基于PD SOI工艺的栅耦合N型金属氧化物半导体管(GCNMOS)电源箝位保护电路,以形成全芯片ESD保护网络.利用HSPICE仿真的方法,可以准确地确定R值和C值,以确定合理的触发电压.根据PD SOI工艺特点设计了基于不同体偏置类型、不同源漏注入类型和不同栅宽的NMOS管的各种GCNMOS电源箝位保护电路,并进行了MPW流片及TLP测试分析,得到源漏深注、体悬浮的H型栅NMOS组成的GCN MOS电源箝位保护电路的抗ESD能力最好,单位宽度(1μm)抗HBM ESD能力可达9.25 V.
王忠芳谢成民赵德益吴龙胜刘佑宝
关键词：保护电路
空间辐射效应防护的标准单元库设计与实现
2010年
为提高空间环境下电子设备的可靠性,提升抗辐射加固SOI(Silicon on Insulator)集成电路的设计效率,通过构建完整的建库流程,自主设计开发了基于3.3V-0.35μm-PD(Partly)SOI CMOS(ComplementaryMetal-Semiconductor)工艺平台,并面向Synopsys电子设计自动化软件的抗辐射加固标准单元库。标准单元采用H型栅及源漏非对称注入结构,以提高抗辐射性能,最后对该单元库进行了电子设计自动化工具流程验证和测试验证。实验结果表明,检错纠错验证电路功能符合设计要求,抗总剂量水平大于300krad(Si)。
唐威刘佑宝吴龙胜赵德益卢红利
关键词：抗辐射加固绝缘体上硅
H型栅/源漏非对称结构CMOS在PDSOI标准单元建库中的应用
2009年
基于0.35μmSOI工艺平台,进行PDSOI CMOS标准单元建库技术研究。讨论选用H型栅和源漏非对称结构CMOS建立PDSOI标准单元的优点,根据0.35μm SOI CMOS工艺设计规则进行标准单元库设计,并设计了标准单元测试芯片。
赵德益吴龙胜于洪波刘佑宝
关键词：SOICMOS
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