陈晓培
- 作品数：16 被引量：16H指数：3
- 供职机构：西南交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省科技支撑计划国家高技术研究发展计划更多>>
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- 55V沟槽型功率场效应管设计
- 2015年
- 设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。
- 汪德波冯全源陈晓培
- 关键词：元胞终端
- 一款75V功率场效应管失效分析与改进
- 2014年
- 对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×105 V/cm的要求。设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高至94.7V,硅表面最大电场为2.17×105 V/cm,小于临界电场2.2×105 V/cm,降低了最大碰撞电离率,提高了器件的可靠性。
- 汪德波冯全源陈晓培
- 关键词：功率场效应管表面电场可靠性
- 一种具有辅助耗尽效应的BiCMOS NJFET
- 2018年
- 基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET)。该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部埋层(P-BOT)层。利用PBOT层的辅助耗尽效应来避免NJFET过早横向击穿,达到提高NJFET源-漏击穿电压的目的。采用Sentaurus TCAD软件对该BiCMOS NJFET的击穿电压进行仿真。结果表明,该NJFET的击穿电压达104V,在相同N阱掺杂浓度下,比传统NJFET提高了57.6%。
- 冯金荣冯全源陈晓培
- 关键词：降低表面电场击穿电压BICMOS
- 一款800V VDMOS终端结构的设计被引量：6
- 2015年
- 设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构,在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压,最大表面电场为2.34×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm),且电场分布比较均匀,终端结构的稳定性和可靠性高。
- 刘铭冯全源陈晓培庄圣贤
- 关键词：终端结构场限环场板结深表面电场
- 一款700V功率场效应管失效分析与改进被引量：1
- 2014年
- 对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明,其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm,有效解决了芯片失效问题,提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%,有效减小了器件的面积。
- 汪德波冯全源陈晓培
- 关键词：功率场效应管可靠性终端结构击穿电压芯片面积
- 20VN-沟道UMOS的设计及其栅漏电容的优化
- 电子产业的迅猛发展在为功率金属氧化物半导体场效应管(Power MOSFET)带来更广阔应用市场的同时，也对功率MOSFET产品提出了更高的要求。而面向消费电子的低压沟槽金属氧化物半导体场效应管(Trench MOSFE...
- 陈晓培
- 关键词：功率场效应管栅氧化层
- 带N型浮空岛的新型LDMOS
- 2018年
- 为了解决薄外延横向功率器件的纵向耐压问题,提出了一种带有N型浮空岛的新型LDMOS。与传统LDMOS不同,该结构在漏端下方的衬底耗尽层内加入多个纵向排列的N型浮空岛,扩展了衬底的耗尽层,降低了漏端下方的高电场,在纵向引入新的峰值电场,优化了器件的横向和纵向电场分布,大幅提高了器件的击穿电压。利用Sentaurus TCAD软件对新结构进行了仿真。结果表明,漂移区长度均为80μm时,新结构的击穿电压为964V,比相同漂移区长度下的传统LDMOS提高了113.7%,优值为1.01 MW·cm^(-2),比传统LDMOS提高了211%。
- 曾思杰冯全源陈晓培
- 关键词：LDMOS击穿电压优值
- 单区JTE加场板终端结构的优化设计被引量：3
- 2016年
- 为了提高芯片面积利用率,采用单区结终端扩展（JTE）与复合场板技术设计了一款700 V VDMOS的终端结构。借助Sentaurus TCAD仿真软件,研究单区JTE注入剂量、JTE窗口长度和金属场板长度与击穿电压的关系,优化结构参数,改善表面和体内电场分布,提高器件的耐压。最终在120.4？m的有效终端长度上实现了838 V的击穿电压,表面最大电场为2.03×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿的表面最大电场值（2.5×105 V/cm）,受界面态电荷的影响小,具有较高的可靠性,且与高压深阱VDMOS工艺兼容,没有增加额外的掩膜和工艺步骤。
- 潘晓伟冯全源陈晓培
- 关键词：VDMOS击穿电压界面态电荷
- 一款600V VDMOS终端结构的设计被引量：8
- 2014年
- 设计了一款600V VDMOS功率器件的终端保护环结构,采用场限环与复合场板相结合的方式降低硅表面的电场峰值,且表面电场分布均匀.在159μm终端长度上仿真实现了670V的耐压,表面电场最大值为2.36e5V*cm-1,提高了终端的可靠性;工艺简单,同时没有增加额外的掩膜与步骤.
- 胡玉松冯全源陈晓培
- 关键词：功率器件终端表面电场耐压
- 600V功率MOSFET关键性能的研究
- 功率MOSFET是功率变换系统的核心器件。随着功率MOSFET应用市场的不断扩大与电能需求的增加,功率变换系统正朝着高能效发展,亟待提升功率MOSFET的功率密度和开关速度,降低其损耗。本文以600 V VDMOS为研究...
- 陈晓培
- 关键词：功率场效应管特征导通电阻
