刘铭
- 作品数：2 被引量：7H指数：1
- 供职机构：西南交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一款800V VDMOS终端结构的设计被引量：6
- 2015年
- 设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构,在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压,最大表面电场为2.34×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm),且电场分布比较均匀,终端结构的稳定性和可靠性高。
- 刘铭冯全源陈晓培庄圣贤
- 关键词：终端结构场限环场板结深表面电场
- 一款VDMOS半超结元胞结构的设计被引量：1
- 2015年
- 设计了一款VDMOS器件的元胞结构,采用半超结结构模型.传统VDMOS结构的导通电阻会随着击穿电压的增长而增长,而半超结结构可以缓和两者之间的矛盾.通过调节工艺条件,经过三次外延注入生长形成P柱,并采用增大外延层浓度和改善电荷平衡的方式,来达到减小元胞结构的特征导通电阻和提高击穿电压的目的.最终实现了1 005V的耐压,特征导通电阻102.91mΩ*cm2,栅漏电容5.65pF/cm2,阈值电压3.45V的元胞结构,降低了超结结构的工艺难度,并获得较优的性能.
- 刘铭冯全源庄圣贤
- 关键词：特征导通电阻击穿电压
