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郑军
作品数:
76
被引量:10
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
成步文
中科院半导体研究所光电集成实验...
刘智
中国科学院半导体研究所
左玉华
中科院半导体研究所光电集成实验...
薛春来
中国科学院半导体研究所
王启明
中国科学院半导体研究所
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2013
2篇
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3篇
2008
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一种SiO<Sub>x</Sub>基锂离子电池复合负极材料的制备方法
本发明公开了一种SiO<Sub>x</Sub>基锂离子电池复合负极材料的制备方法,包括如下步骤:对SiO<Sub>x</Sub>材料进行高能球磨处理,减小SiO<Sub>x</Sub>材料的尺寸;按照一定比例将球磨处理后...
张均营
李传波
郑军
左玉华
薛春来
成步文
文献传递
磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱
采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成...
丁武昌
郑军
左玉华
成步文
余金中
王启明
郭亨群
吕蓬
申继伟
关键词:
氮化硅
铒
文献传递
表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法
本发明提供一种表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法,涉及光电材料技术领域。该方法包括:步骤S1,制得初始钙钛矿薄膜;步骤S2,使用真空热蒸发法在该初始钙钛矿薄膜表面制备LiF薄膜,得到表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿...
陈丹
杨亚洲
叶正澜
刘香全
左玉华
郑军
刘智
成步文
雪崩光电探测器及其制备方法
一种雪崩光电探测器及其制备方法。一种雪崩光电探测器,包括:SOI衬底,SOI衬底包括多层含Si层;掺杂层,设置在SOI衬底的上部,并包括:倍增区;n型掺杂区,设置在倍增区的横向一侧,n型掺杂区设有与倍增区具有相同厚度的阶...
庞雅青
刘智
成步文
郑军
一种Si基复合负极材料及其锂电池的制备方法
本发明公开了一种基于Cu<Sub>x</Sub>O包覆的Si基复合负极材料及其锂电池的制备方法,所述锂电池的制备方法包括:步骤1:配制弱酸和相对应的弱酸盐的混合水解溶液,加入铜源并超声溶解;步骤2:加入预处理的纳米Si颗...
张均营
李传波
郑军
左玉华
薛春来
成步文
一种宽度渐变的硅基探测器及其制备方法
本发明公开了一种宽度渐变的硅基探测器,包括:SOI衬底,包括:底部硅材料层,二氧化硅填埋层,顶层硅,顶层硅上形成波导层;n型轻掺杂区,形成在波导层上;n型重掺杂区,形成在n型轻掺杂区的两侧;光吸收层,形成在n型轻掺杂区上...
刘智
成步文
郑军
薛春来
文献传递
Si/Ge超薄超晶格结构外延方法
本发明提供一种Si/Ge超薄超晶格结构的外延方法,包括:步骤S1,提供衬底,对该衬底进行预处理;步骤S2,调节该衬底的温度至第一预设温度后,在该衬底上以第一预设速率沉积第一预设厚度的Si缓冲层;步骤S3,调节该衬底的温度...
张点点
鲁军
刘智
成步文
郑军
左玉华
磁控溅射掺铒氮化硅薄膜的光致荧光谱
采用磁控溅射法生长了掺铒氮化硅薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了铒离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对...
丁武昌
郑军
左玉华
成步文
余金中
王启明
郭亨群
吕蓬
申继伟
关键词:
磁控溅射法
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硅基锗锡厚膜的生长方法
本公开提供了一种硅基锗锡厚膜的生长方法,包括:在硅衬底上生长锗缓冲层;在锗缓冲层上生长第一锗锡层,当第一锗锡层的厚度超过临界厚度时,锗缓冲层发生弛豫;在第一锗锡层上生长第二锗锡层,第二锗锡层的锡组分随生长厚度的增加逐渐增...
崔金来
郑军
吴亦旸
贺晨
刘香全
黄秦兴
刘智
左玉华
成步文
一种Cu@SiO<Sub>2</Sub>核壳结构的制备方法
本发明公开了一种Cu@SiO<Sub>2</Sub>核壳结构的制备方法,包括:Cu(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>2</Sub>作为铜源,以纳米Si颗粒作为硅源。在水浴加热条件下,将纳米Si加入LiOH溶液中,...
张均营
李传波
郑军
左玉华
薛春来
成步文
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