梁广华 作品数:44 被引量:29 H指数:3 供职机构: 中国电子科技集团第五十四研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 中国人民解放军总装备部预研基金 更多>> 相关领域: 电子电信 文化科学 自动化与计算机技术 更多>>
一种低损耗石英探针的制备方法 本发明公开了一种低损耗石英探针的制备方法,其特征在于在双面抛光的石英基片上,通过磁控溅射、光刻、电镀、刻蚀、划片等工艺,获得低损耗、一致性好的石英探针。本发明所述的石英探针,具有硬度高、损耗低、精度高的优点。该方法加工一... 赵飞 党元兰 梁广华 刘晓兰 刘巍巍 杨宗亮 唐小平 朱二涛 严英占 王康 徐亚新一种毫米波RF MEMS开关的制备方法 本发明涉及MEMS器件制造领域,特别涉及一种毫米波RF MEMS开关的制备方法,主要包括高阻硅片表面多晶硅及二氧化硅的生长、硅片清洗、CPW图形制作、RF传输线上氮化硅绝缘层的制作、RF传输线氮化硅绝缘层上导体层的制作、... 党元兰 赵飞 梁广华 刘晓兰 徐亚新 董自强 唐小平 朱二涛 杨宗亮 严英占 王康文献传递 一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法 本发明涉及LTCC、薄膜及混合基板制造领域,特别涉及一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法,主要包括带腔LTCC基板研磨抛光、腔体填充、表面薄膜电路图形制备、表面介质层制备等步骤。采用本发明的技术方案,可以提... 徐亚新 刘晓兰 段龙帆 卢会湘 赵飞 王康 庄治学 梁广华文献传递 一种基于光敏BCB技术的兰格耦合器制备工艺研究 2018年 根据介质隔离兰格耦合器的结构特点,设计了基于BCB介质桥的兰格耦合器的加工工艺流程。通过对工艺流程中的关键技术和重要影响因素进行分析,得到了加工过程中的工艺参数。按此工艺参数进行加工,得到兰格耦合器样件,与空气桥兰格耦合器相比,在保证电性能的基础上提高了组装的可靠性。 梁广华 贾世旺 赵飞 韩威 徐亚新 庄治学 陈雨 刘晓兰 何超关键词:光刻工艺 兰格耦合器 一种RF MEMS器件光刻胶牺牲层的释放方法 本发明公开了RFMEMS器件制造领域的一种RFMEMS器件光刻胶牺牲层的释放方法,主要包括去膜剂浸泡、去离子水浸泡、异丙醇浸泡、环己烷浸泡和快速冷冻升华干燥步骤。过程中所用材料环保,且对器件上的金属膜层无损伤;采用本发明... 党元兰 梁广华 刘晓兰 徐亚新 赵飞 严英占 唐小平 杨宗亮 朱二涛 王康一种基于LCP多层堆叠技术的MEMS器件的封装方法 本发明公开了一种基于LCP多层堆叠技术的MEMS器件的封装方法,其特征在于在双面抛光的硅基片上,通过溅射、光刻、刻蚀、电镀等工艺,获得MEMS器件,同时形成易于引出、对位精确的硅凹槽;基于LCP多层堆叠技术,在多层LCP... 赵飞 党元兰 徐亚新 梁广华 刘晓兰 唐小平 王康一种LTCC基板表面高精度电阻的制备方法 本发明涉及LTCC、薄膜及混合基板制造领域,特别涉及一种LTCC基板表面高精度电阻的制备方法,主要包括LTCC基板研磨抛光、清洗、腔体填充、电阻图形制作、电极图形制作、退火、电阻阻值测量步骤。采用本发明的技术方案,可使L... 党元兰 赵飞 刘晓兰 徐亚新 梁广华 唐小平 严英占 卢会湘 朱二涛 杨宗亮 王康文献传递 一种含有折纸结构的MEMS器件制备方法 本发明公开了MEMS器件制造领域的一种含有折纸结构的MEMS器件制备方法,主要包括底层CPW结构制备、牺牲层结构制备、折痕结构制备、悬浮结构制备等步骤。采用本发明的技术方案,可以实现含有折纸结构的MEMS器件制备,且器件... 徐亚新 梁广华 刘晓兰 赵飞 王康 庄治学 周拥华一种掩模版及光波导反射面和光波导的制备方法 本发明公开了一种掩模版及光波导反射面和光波导的制备方法,涉及光传输结构及制造技术领域。其通过一种特殊设计的掩模版实现对光刻过程的透光量的控制,当紫外光穿过掩模版时,不同透光量位置处的光刻深度不同,从而形成一个坡面结构,同... 肖垣明 赵飞 党元兰 陈雨 刘晓兰 梁广华 徐亚新 庄治学 张莹 卢立东文献传递 毫米波RF MEMS开关的研制 被引量:6 2016年 RF MEMS开关加工工序多,过程复杂,加工难度较大,影响开关加工质量的因素众多。从工艺流程入手,对加工过程中的牺牲层平坦化、牺牲层释放、薄膜微桥厚度及均匀性控制、薄膜微桥应力处理等关键技术和重要影响因素进行了分析。研制的20-40 GHz RF MEMS开关,其插入损耗≤0.4 d B,回波损耗≤-20 d B,隔离度≥20 d B,驱动电压50-100 V,热切换寿命≥106次。 党元兰 赵飞 梁广华 刘晓兰 徐亚新关键词:MEMS开关 应力释放