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李凯

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：华南师范大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇学位论文
  • 4篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇纳米
  • 5篇纳米线
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体管
  • 3篇非极性
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 3篇GAN纳米线
  • 3篇衬底
  • 2篇异质结
  • 2篇有源
  • 2篇GAN
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电器件
  • 1篇支持向量
  • 1篇支持向量机
  • 1篇入侵
  • 1篇入侵检测
  • 1篇塑料光纤

机构

  • 8篇华南师范大学

作者

  • 8篇李凯
  • 4篇李述体
  • 2篇王幸福
  • 2篇于磊
  • 2篇宋伟东
  • 2篇王汝鹏
  • 1篇陈航

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
合作学习中同伴脚手架策略对相互启发的影响研究
在小组合作学习中，小组内的互动情形就像一个大大的黑箱。只靠教师在各组间的短暂停留，并无法清楚看到同伴间是如何进行讨论和互动。同伴之间是否可以通过相互启发来实现有关概念的获得？同伴互动的结构及相互启发的情况是怎么样的？异质...
李凯
关键词：初等教育科学课堂
集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括衬底和位于衬底上的绝缘介质层，所述衬底表面为多个方形台面间隔排列，所述方形台面上刻蚀有多个凹槽，所述多个凹槽长度与方形台面内分别生长有异质结纳米线，所...
李述体宋伟东李凯王汝鹏
文献传递
集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括衬底和位于衬底上的绝缘介质层，所述绝缘介质层上刻蚀有多个间隔排列的凹槽，所述多个凹槽内分别生长有异质结纳米线，所述绝缘介质层上形成有源极和漏极，所述源...
李述体李凯于磊王幸福
GaN基微纳光电器件的材料生长与性能测试
纳米材料因其所具有分立能级、弹道传输、量子尺寸效应等诸多新颖特性，在宏观上表现出区别传统材料独特的电学、光学特性，因而越来越受到人们的关注。纳米材料的作为21世纪材料科学的前沿领域，在现代科学研究中有着非常重要的地位。氮...
李凯
关键词：图形衬底氮化镓
纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法
本发明公开了一种纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法，本发明的纳米线阵列的制备方法，包括：在衬底上刻蚀出呈矩阵排列的方形凸台；在刻蚀后的衬底上表面及方形凸台上表面蒸镀掩膜层；在方形凸台上刻蚀出等间距的梯形槽...
李述体王汝鹏宋伟东郭德霄陈航李凯
文献传递
GaN基绿光谱振腔发光二极管的研究
聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)塑料光纤(POF)具有性能优越和成本低的特点，在光纤入户工程中广泛应用，但它需要廉价可靠的光传输系统。PMMA的最小吸收的窗口位于510nm和570nm之间、GaN基绿光谐振腔发光二极管(RC...
李凯
关键词：分布布拉格反射器塑料光纤
集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括衬底和位于衬底上的绝缘介质层，所述绝缘介质层上刻蚀有多个间隔排列的凹槽，所述多个凹槽内分别生长有异质结纳米线，所述绝缘介质层上形成有源极和漏极，所述源...
李述体李凯于磊王幸福
文献传递
支持向量机在入侵检测中的应用研究
随着互联网技术的迅速发展，各种网络应用正在逐步深入和改变我们的生活，如电子商务，电子政务以及即时通讯等等，但是在享受各种网络技术带来的便利的同时，各种网络安全问题也急剧增多，设计安全措施来防范未经授权访问系统的资源和数据...
李凯
关键词：入侵检测粒子群算法支持向量机决策树互联网
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