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于磊
于磊
作品数:
3
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供职机构:
华南师范大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李凯
华南师范大学
李述体
华南师范大学
王幸福
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硅
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MOCVD生...
1篇
MOCVD系...
1篇
衬底
机构
3篇
华南师范大学
作者
3篇
于磊
2篇
王幸福
2篇
李述体
2篇
李凯
年份
1篇
2017
1篇
2015
1篇
2014
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集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法,包括衬底和位于衬底上的绝缘介质层,所述绝缘介质层上刻蚀有多个间隔排列的凹槽,所述多个凹槽内分别生长有异质结纳米线,所述绝缘介质层上形成有源极和漏极,所述源...
李述体
李凯
于磊
王幸福
Si图形衬底上半极性、非极性GaN的MOCVD生长及性能研究
GaN作为典型的Ⅲ族氮化物半导体材料,具有宽直接带隙、高电子迁移率、高热导率、耐高压、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等特点,在微电子和光电子领域得到广泛应用。但是,适合GaN生长的体单晶衬底很少,通常采用异质外延的方式来进行生长...
于磊
关键词:
氮化镓
MOCVD系统
集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法,包括衬底和位于衬底上的绝缘介质层,所述绝缘介质层上刻蚀有多个间隔排列的凹槽,所述多个凹槽内分别生长有异质结纳米线,所述绝缘介质层上形成有源极和漏极,所述源...
李述体
李凯
于磊
王幸福
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