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于磊

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:华南师范大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇晶体管
  • 2篇非极性
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇GAN纳米线
  • 1篇氮化镓
  • 1篇性能研究
  • 1篇异质结
  • 1篇有源
  • 1篇图形衬底
  • 1篇漏极
  • 1篇介质层
  • 1篇
  • 1篇MOCVD生...
  • 1篇MOCVD系...
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇华南师范大学

作者

  • 3篇于磊
  • 2篇王幸福
  • 2篇李述体
  • 2篇李凯

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法,包括衬底和位于衬底上的绝缘介质层,所述绝缘介质层上刻蚀有多个间隔排列的凹槽,所述多个凹槽内分别生长有异质结纳米线,所述绝缘介质层上形成有源极和漏极,所述源...
李述体李凯于磊王幸福
Si图形衬底上半极性、非极性GaN的MOCVD生长及性能研究
GaN作为典型的Ⅲ族氮化物半导体材料,具有宽直接带隙、高电子迁移率、高热导率、耐高压、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等特点,在微电子和光电子领域得到广泛应用。但是,适合GaN生长的体单晶衬底很少,通常采用异质外延的方式来进行生长...
于磊
关键词:氮化镓MOCVD系统
集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法,包括衬底和位于衬底上的绝缘介质层,所述绝缘介质层上刻蚀有多个间隔排列的凹槽,所述多个凹槽内分别生长有异质结纳米线,所述绝缘介质层上形成有源极和漏极,所述源...
李述体李凯于磊王幸福
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共1页<1>
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