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杨杰

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇基板
  • 4篇封装
  • 4篇封装基板
  • 2篇倒装
  • 2篇导电
  • 2篇导电材料
  • 2篇电镀
  • 2篇电镀方法
  • 2篇嵌入式
  • 2篇芯片
  • 2篇静电
  • 2篇静电力
  • 2篇开关
  • 2篇孔径
  • 2篇互联
  • 2篇机械开关
  • 2篇键合
  • 2篇焊盘
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体封装

机构

  • 7篇中国科学院微...

作者

  • 7篇杨杰
  • 4篇王启东
  • 3篇粟雅娟
  • 3篇朱慧珑
  • 3篇聂鹏飞
  • 1篇赵超

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2016
  • 2篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种不同焊盘孔径的埋入型封装基板的电镀方法
本发明涉及一种不同焊盘孔径的埋入型封装基板的电镀方法，涉及半导体封装领域，用于解决在基板的焊盘孔和转接板的焊盘孔上电镀焊盘时，转接板对应的焊盘与基板对应的焊盘存在厚度差的技术问题。方法包括：确定各所述焊盘孔的孔径；根据所...
杨杰丁才华王启东
一种不同焊盘孔径的埋入型封装基板的电镀方法
本发明涉及一种不同焊盘孔径的埋入型封装基板的电镀方法，涉及半导体封装领域，用于解决在基板的焊盘孔和转接板的焊盘孔上电镀焊盘时，转接板对应的焊盘与基板对应的焊盘存在厚度差的技术问题。方法包括：确定各所述焊盘孔的孔径；根据所...
杨杰丁才华王启东
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互连结构及其制造方法
本发明公开了一种互连结构，包括：位于衬底上的下层布线结构；位于下层布线结构上的屏蔽层，其中屏蔽层包括石墨烯；位于屏蔽层上的上层布线结构。依照本发明的互连结构及其制造方法，采用石墨烯这种单晶薄层导电材料作为上下层金属连线之...
聂鹏飞粟雅娟朱慧珑赵超贾昆鹏杨杰
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微纳尺度静电力开关及其制造方法
本发明公开了一种微纳尺度静电力开关，包括：衬底，包括绝缘层与背电极；源电极与漏电极，位于衬底上，沿第一方向排列；支撑电极，位于衬底上，沿第二方向排列；石墨烯层，位于支撑电极上并与其电连接；源漏电极连接层，沿第一方向延伸，...
聂鹏飞朱慧珑粟雅娟贾昆鹏杨杰
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提高嵌入式硅桥与芯片间互联精度的结构的制作方法
本发明提供了一种提高嵌入式硅桥与芯片间互联精度的结构的制作方法，包括：提供一基础结构，所述基础结构至少包括：封装基板，以及设置在所述封装基板一侧的至少两个高密度焊盘区；对所述封装基板背离所述高密度焊盘区的一侧表面进行开槽...
杨杰王启东
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微纳尺度静电力开关及其制造方法
本发明公开了一种微纳尺度静电力开关，包括：衬底，包括绝缘层与背电极；源电极与漏电极，位于衬底上，沿第一方向排列；支撑电极，位于衬底上，沿第二方向排列；石墨烯层，位于支撑电极上并与其电连接；源漏电极连接层，沿第一方向延伸，...
聂鹏飞朱慧珑粟雅娟贾昆鹏杨杰
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提高嵌入式硅桥与芯片间互联精度的结构的制作方法
本发明提供了一种提高嵌入式硅桥与芯片间互联精度的结构的制作方法，包括：提供一基础结构，所述基础结构至少包括：封装基板，以及设置在所述封装基板一侧的至少两个高密度焊盘区；对所述封装基板背离所述高密度焊盘区的一侧表面进行开槽...
杨杰王启东
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