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文献类型

  • 4篇专利
  • 4篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 7篇量子级联
  • 7篇量子级联激光...
  • 7篇激光
  • 7篇激光器
  • 4篇中红外
  • 4篇施主
  • 4篇施主掺杂
  • 4篇红外
  • 3篇中红外波段
  • 3篇气态源分子束...
  • 3篇缓冲层
  • 3篇含磷
  • 3篇含砷
  • 3篇红外波段
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇波段
  • 2篇电子浓度
  • 2篇阈值电流
  • 2篇阈值电流密度

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇陈建新
  • 8篇李爱珍
  • 7篇张永刚
  • 6篇徐刚毅
  • 3篇李存才
  • 3篇杨全魁
  • 3篇李华
  • 3篇林春
  • 2篇胡建
  • 2篇郑燕兰
  • 1篇茹国平
  • 1篇南矿军
  • 1篇魏茂林
  • 1篇赵智彪
  • 1篇任尧成
  • 1篇齐鸣
  • 1篇李伟

年份

  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2006
  • 2篇2001
  • 1篇1995
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法
李爱珍陈建新徐刚毅张永刚
利用本专利方法生长的InP缓冲层,可以作为下波导包裹层,有效裁剪下波导层包裹层的折射率,实现了对激光器有效的光学限制和自由载流子限制;或作为量子级联激光器的高台面深度腐蚀的腐蚀终止层,防止中红外量子级联激光器有源区电流向...
关键词:
关键词:激光器缓冲层
磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法
本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构是在10<Sup>18</Sup>cm<Sup>-3</Sup>高施主掺杂InP衬底上外延生长1-5×10<Sup>1...
李爱珍陈建新徐刚毅张永刚
文献传递
中红外量子级联与量子阱激光器材料、器件与物理研究
李爱珍王占国刘峰奇陈建新张永刚杨全魁张永照郑燕兰林春张权生江德生徐刚毅毕文刚南矿军
该项目深入研究了基于导带内电子在子能级间跃迁的单极激光器(QCL)的基本理论,创新性的首次将窄禁带半导体的载流子色散理论,应变微扰,能量过滤器和严格的分波理论应用于量子级联激光器的设计,发展了有特色的缓冲层、波导层、应变...
关键词:
关键词:量子级联激光器量子阱激光器
磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法
本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是:(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是:(a)都包括了InP基含砷含磷GaInA...
李爱珍陈建新李华徐刚毅张永刚林春杨全魁李存才胡建
文献传递
磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法
本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是:(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是:(a)都包括了InP基含砷含磷GaInA...
李爱珍陈建新李华徐刚毅张永刚林春杨全魁李存才胡建
文献传递
磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法
本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构是在10<Sup>18</Sup>cm<Sup>-3</Sup>高施主掺杂InP衬底上外延生长1-5×10<Sup>1...
李爱珍陈建新徐刚毅张永刚
文献传递
气态源分子束外延Ⅲ-Ⅴ族化合物材料、器件及物理研究
陈建新
关键词:分子束外延技术半导体材料
GaN基材料RF等离子体MBE生长
齐鸣李爱珍李伟任尧成李存才赵智彪陈建新张永刚郑燕兰魏茂林茹国平
通过研究建立了射频等离子体分子束外延系统及辅助系统。在白宝石、SiC、HVPEGaN/Al2O3三种衬底上生长出具有光学特性、结构特性、电学特性的GaN、AlGaN(XAL0-0.25)材料。研制了AlGaN/GaN/A...
关键词:
关键词:GANMBE
磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生方法
李爱珍陈建新李华
本发明设计中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断生长制备方法。其特征是:(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是:(a)都包括了InP基含砷含磷GaInAs/...
关键词:
关键词:激光器GAINAS
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