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孙月峰

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京七星华创电子股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇钝化
  • 3篇钝化膜
  • 3篇光电转换
  • 3篇光电转换效率
  • 3篇硅衬底
  • 3篇衬底
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇三氧化二铝
  • 2篇铝源
  • 1篇疏松
  • 1篇体硅
  • 1篇晶体硅
  • 1篇精确控制

机构

  • 3篇北京七星华创...

作者

  • 3篇孙月峰
  • 3篇李春雷
  • 3篇兰云峰
  • 3篇赵星梅

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法
本发明属于半导体部件领域，提供一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法，包括步骤：1）在原子层沉积反应腔室中装载硅衬底，将所述反应腔室抽真空；2）以三甲基铝为铝源、H<Sub>2</Sub>O为氧源，进行原子层沉积；3）以...
李春雷赵星梅兰云峰孙月峰
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一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法
本发明属于半导体部件领域，提供一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法，包括步骤：1）在原子层沉积反应腔室中装载硅衬底，将所述反应腔室抽真空；2）以三甲基铝为铝源、H<Sub>2</Sub>O为氧源，进行原子层沉积；3）以...
李春雷赵星梅兰云峰孙月峰
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有三氧化二铝钝化膜的晶体硅
本实用新型提供一种有三氧化二铝钝化膜的晶体硅，所述晶体硅包括硅衬底，以及从硅衬底依次排布的第一层三氧化二铝钝化膜、第二层三氧化二铝钝化膜和SiNx帽层；所述第一层三氧化二铝钝化膜厚度小于第二层三氧化二铝钝化膜厚度。本实用...
李春雷赵星梅兰云峰孙月峰
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