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文献类型

  • 22篇中文专利

领域

  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇半导体
  • 4篇锐角
  • 4篇瓶体
  • 4篇自定位
  • 4篇进气
  • 4篇卡紧
  • 4篇衬底
  • 3篇导轨
  • 3篇钝化
  • 3篇钝化膜
  • 3篇室温条件
  • 3篇气体
  • 3篇流体
  • 3篇螺钉
  • 3篇螺柱
  • 3篇接口
  • 3篇接口连接
  • 3篇固定螺钉
  • 3篇光电转换
  • 3篇光电转换效率

机构

  • 22篇北京七星华创...

作者

  • 22篇兰云峰
  • 11篇苏艳波
  • 8篇任鑫
  • 5篇赵星梅
  • 4篇王勇飞
  • 3篇孙月峰
  • 3篇龙睿芬
  • 3篇李一吾
  • 3篇李春雷
  • 2篇魏景峰
  • 1篇刘东
  • 1篇白鹏
  • 1篇王丽荣
  • 1篇陈添明
  • 1篇刘俊豪

年份

  • 8篇2016
  • 2篇2015
  • 8篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2011
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器
本发明公开了一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器,在本体内设有辐射状的气体分配主管,在气体分配主管两侧错位设置气体分配支管,并沿气体分配主管向气体分配支管方向管路横截面积逐渐减小,形成树状的气体分配网络,使从气体分配网络中...
苏艳波赵星梅克雷格·伯考兰云峰
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一种应用于原子层沉积设备的源瓶
本发明公开了一种应用于原子层沉积设备的源瓶,在插入至瓶体近底部的进气管底端,连通若干支水平设置的带有若干气孔的鼓泡管,各鼓泡管为末端封闭的等长、等径空心管,并以进气管底端为中心等角度分布,气孔孔间距与孔径具有一定对应关系...
苏艳波兰云峰任鑫
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一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法
本发明属于半导体部件领域,提供一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法,包括步骤:1)在原子层沉积反应腔室中装载硅衬底,将所述反应腔室抽真空;2)以三甲基铝为铝源、H<Sub>2</Sub>O为氧源,进行原子层沉积;3)以...
李春雷赵星梅兰云峰孙月峰
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一种用于反应源瓶的取放装置
本实用新型公开了一种用于反应源瓶的取放装置,所述取放装置包括两枚调整螺柱和调整支撑板,调整螺柱与调整支撑板螺纹连接,通过调节调整螺柱的螺纹位置控制调整支撑板的升降;还包括导向轴套、导向轴、导向轴固定螺钉,导向轴套套装在导...
兰云峰龙睿芬李一吾苏艳波
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一种进气分配装置
本实用新型涉及半导体工艺设备技术领域,尤其涉及一种进气分配装置。该进气分配装置包括具有导热功能的集成块和用于为集成块加热的加热元件,集成块内设有多个流道,加热元件设置于集成块中,流道与气源端连接,且还与腔室连接。本实用新...
兰云峰任鑫刘东
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一种气体分配器
本实用新型公开了一种气体分配器,在本体内设有辐射状的气体分配主管,在气体分配主管两侧错位设置气体分配支管,并沿气体分配主管向气体分配支管方向管路横截面积逐渐减小,形成树状的气体分配网络,使从气体分配网络中心的进气管通入的...
苏艳波赵星梅克雷格·伯考兰云峰
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一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法
本发明属于半导体部件领域,提供一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法,包括步骤:1)在原子层沉积反应腔室中装载硅衬底,将所述反应腔室抽真空;2)以三甲基铝为铝源、H<Sub>2</Sub>O为氧源,进行原子层沉积;3)以...
李春雷赵星梅兰云峰孙月峰
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外延设备
1.本外观设计产品的名称:外延设备。;2.本外观设计产品的用途:外延生长设备,用于淀积单晶硅衬底上的外延层。;3.本外观设计的设计要点:在于产品的整体形状及用管道连接的两机箱分体结构。;4.本外观设计为大型设备,底面不常...
陈添明兰云峰任鑫
半导体成膜设备、衬底自动定位卡紧结构及卡紧方法
本发明公开了一种半导体成膜设备、半导体衬底的自动定位卡紧结构及卡紧方法,包括M个定位卡紧结构,其与所述基座同轴心地环形分布在所述基座上表面的周围,用于在工艺过程中卡紧衬底;其中,M为大于等于3的整数;所述定位卡紧结构包括...
王勇飞兰云峰
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一种用于反应源瓶的取放装置
本发明公开了一种用于反应源瓶的取放装置,包括:两枚调整螺柱和调整支撑板,调整螺柱与调整支撑板螺纹连接,通过调节调整螺柱的螺纹位置控制调整支撑板的升降;还包括导向轴套、导向轴、导向轴固定螺钉,导向轴套套装在导向轴上,导向轴...
兰云峰龙睿芬李一吾苏艳波
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共3页<123>
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