您的位置： 专家智库 > >

吴俊峰

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 14篇HEMT器件
  • 12篇半导体
  • 11篇导通
  • 10篇导通电阻
  • 10篇电阻
  • 8篇槽栅
  • 7篇比导通电阻
  • 6篇电场
  • 6篇增强型
  • 5篇功率半导体
  • 5篇功率半导体器...
  • 5篇半导体器件
  • 4篇栅极
  • 4篇势垒
  • 4篇漂移区
  • 4篇埋层
  • 4篇介质
  • 4篇沟道
  • 4篇RESURF
  • 3篇电场分布

机构

  • 28篇电子科技大学

作者

  • 28篇吴俊峰
  • 27篇罗小蓉
  • 20篇魏杰
  • 16篇张波
  • 14篇杨超
  • 12篇彭富
  • 9篇周坤
  • 8篇马达
  • 7篇李肇基
  • 6篇张彦辉
  • 5篇邓高强
  • 4篇尹超
  • 4篇葛薇薇
  • 3篇孙涛
  • 2篇刘建平
  • 2篇刘庆
  • 2篇黄琳华

年份

  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 6篇2017
  • 9篇2016
  • 5篇2015
共 28 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种横向IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向IGBT。本发明的横向IGBT器件，其技术方案是：SOI层上层两端分别具有P型阱区和N型阱区；N型阱区表面远离P型阱区的一端具有P型阳极区，P型阱区表面远离N型阱区的一端具有...
罗小蓉邓高强周坤吴俊峰张彦辉
文献传递
一种横向SOI功率LDMOS
本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种横向SOI功率LDMOS。与现有结构相比，本发明主要特点为具有三栅结构和分离栅结构。三栅结构增加了沟道长度，调制了体内电流分布，从而减小了导通电阻；凹槽形成的分离栅结构减小了栅漏...
罗小蓉马达吴俊峰魏杰
文献传递
一种具有N型浮空埋层的RESURF HEMT器件
本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有N型浮空埋层RESURF HEMT器件。本发明的技术方案，通过引入P型缓冲层及N型浮空埋层，P型缓冲层与沟道处2DEG形成RESURF效应，调制器件横向电场；N型浮空埋层与P型缓冲层...
罗小蓉彭富杨超吴俊峰魏杰邓思宇张波李肇基
一种功率MOS器件
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种功率MOS器件。本发明包括具有高K介质延伸栅结构的元胞结构、漏延伸区和介质槽终端，且多个元胞结构并联排布，使得器件具有以下特点：兼顾VDMOS可并联产生大电流以及LDMOS易集成...
罗小蓉尹超谭桥张彦辉刘建平周坤魏杰马达吴俊峰
一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件。本发明的技术方案，主要通过在较厚的缓冲层中引入负电荷，达到提高器件击穿电压或者阈值电压的目的，且不会引入附加寄生电容，同时与在较薄的势垒层中...
罗小蓉杨超熊佳云魏杰周坤吴俊峰张波李肇基
一种功率MOS器件
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种功率MOS器件。本发明包括具有高K介质延伸栅结构的元胞结构、漏延伸区和介质槽终端，且多个元胞结构并联排布，使得器件具有以下特点：兼顾VDMOS可并联产生大电流以及LDMOS易集成...
罗小蓉尹超谭桥张彦辉刘建平周坤魏杰马达吴俊峰
文献传递
一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件。本发明的技术方案，主要通过在较厚的缓冲层中引入负电荷，达到提高器件击穿电压或者阈值电压的目的，且不会引入附加寄生电容，同时与在较薄的势垒层中...
罗小蓉杨超熊佳云魏杰周坤吴俊峰张波李肇基
文献传递
一种具有高K介质槽的纵向增强型MIS HEMT器件
本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有高K介质槽的纵向增强型MIS HEMT器件。本发明在源电极下方引入高K介质材料，且高K介质材料延伸至缓冲层；在沟道层之下引入与缓冲层导电类型相反的阻挡层，且阻挡层与栅极两侧接触。阻挡...
罗小蓉彭富杨超吴俊峰魏杰邓思宇张波李肇基
一种增强型HEMT器件
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种增强型HEMT器件。本发明主要通过在栅漏之间的势垒层上表面生长一层反向极化层，反向极化层与势垒层产生反向极化并在异质结界面处形成二维空穴气(2DHG)，反向极化层/势垒层/缓冲层...
罗小蓉熊佳云杨超魏杰吴俊峰彭富张波
文献传递
一种具有结型半导体层的HEMT器件
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种具有结型半导体层的HEMT器件。本发明的器件，主要为通过在栅漏之间的势垒层上表面生长一层结型半导体层，结型半导体层与势垒层形成二维空穴气(2DHG)。栅极金属与结型半导体层形成整...
罗小蓉杨超熊佳云魏杰吴俊峰彭富张波
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0