- 一种极化掺杂增强型HEMT器件
- 本发明属于半导体技术领域，涉及一种极化掺杂增强型HEMT器件。本发明的技术方案，通过在缓冲层上依次生长Al组分渐变的第一势垒层和第二势垒层，两层势垒层的Al组分变化趋势相反，势垒层内部由于极化差分别诱导产生三维电子气(3...
- 罗小蓉彭富杨超魏杰邓思宇欧阳东法张波
- 文献传递
- 一种对称极化掺杂增强型高压GaN HFET
- 2018年
- 针对传统AlGaN/GaN HFET击穿电压远低于理论值,以及阈值电压与开态电流之间存在制约关系的问题,提出一种对称极化掺杂增强型高压GaN HFET。采用Al组分对称渐变的AlGaN势垒层,因极化梯度分别在正向渐变AlGaN层和逆向渐变AlGaN层中诱导产生了三维电子气(3DEG)和三维空穴气(3DHG)。利用3DHG,阻断了源极与3DEG之间的纵向导通沟道,实现了新的增强型模式。同时,正向渐变AlGaN层的高浓度3DEG显著提升了器件输出电流。器件关断时,极化电荷形成的极化结有助于耗尽漂移区,优化了电场分布,提升了器件耐压。与传统AlGaN/GaN HFET相比,新器件的击穿电压从39V提高至919V,饱和漏电流提升了103.5%。
- 彭富欧阳东法杨超魏杰邓思宇张波罗小蓉
- 关键词：击穿电压增强型
- 一种具有高K介质槽的纵向增强型MIS HEMT器件
- 本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有高K介质槽的纵向增强型MIS HEMT器件。本发明在源电极下方引入高K介质材料，且高K介质材料延伸至缓冲层；在沟道层之下引入与缓冲层导电类型相反的阻挡层，且阻挡层与栅极两侧接触。阻挡...
- 罗小蓉彭富杨超吴俊峰魏杰邓思宇张波李肇基
- 一种增强型HEMT器件
- 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种增强型HEMT器件。本发明主要通过在栅漏之间的势垒层上表面生长一层反向极化层，反向极化层与势垒层产生反向极化并在异质结界面处形成二维空穴气(2DHG)，反向极化层/势垒层/缓冲层...
- 罗小蓉熊佳云杨超魏杰吴俊峰彭富张波
- 文献传递
- 一种具有结型半导体层的HEMT器件
- 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种具有结型半导体层的HEMT器件。本发明的器件，主要为通过在栅漏之间的势垒层上表面生长一层结型半导体层，结型半导体层与势垒层形成二维空穴气(2DHG)。栅极金属与结型半导体层形成整...
- 罗小蓉杨超熊佳云魏杰吴俊峰彭富张波
- 文献传递
- 一种积累型垂直HEMT器件
- 本发明属于半导体技术领域，涉及一种积累型垂直HEMT器件。本发明正向导通状态下，绝缘栅极结构侧壁处形成高浓度的电子积累层，大大地降低了器件的导通电阻，从而保证了器件具有很好的正向电流驱动能力；反向阻断状态下，绝缘栅极结构...
- 罗小蓉杨超吴俊峰彭富魏杰邓思宇张波
- 文献传递
- 一种具有N型浮空埋层的RESURF HEMT器件
- 本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有N型浮空埋层RESURF HEMT器件。本发明的技术方案，通过引入P型缓冲层及N型浮空埋层，P型缓冲层与沟道处2DEG形成RESURF效应，调制器件横向电场；N型浮空埋层与P型缓冲层...
- 罗小蓉彭富杨超吴俊峰魏杰邓思宇张波李肇基
- 高压增强型GaN HFET机理与新结构研究
- AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)因其优异的材料特性、良好的器件性能,被认为是未来替代硅基功率器件的热门选择之一。AlGaN/GaN异质结在形成高面密度、高电子迁移率的二维电子气(2DE...
- 彭富
- 关键词：增强型击穿电压
- 文献传递
- 一种具有高K介质槽的纵向增强型MIS HEMT器件
- 本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有高K介质槽的纵向增强型MIS HEMT器件。本发明在源电极下方引入高K介质材料，且高K介质材料延伸至缓冲层；在沟道层之下引入与缓冲层导电类型相反的阻挡层，且阻挡层与栅极两侧接触。阻挡...
- 罗小蓉彭富杨超吴俊峰魏杰邓思宇张波李肇基
- 文献传递
- 一种具有结型半导体层的HEMT器件
- 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种具有结型半导体层的HEMT器件。本发明的器件，主要为通过在栅漏之间的势垒层上表面生长一层结型半导体层，结型半导体层与势垒层形成二维空穴气(2DHG)。栅极金属与结型半导体层形成整...
- 罗小蓉杨超熊佳云魏杰吴俊峰彭富张波
