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梁军

作品数:10 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇带隙
  • 3篇电学
  • 3篇晶体薄膜
  • 3篇宽带隙
  • 3篇半导体
  • 3篇
  • 3篇
  • 3篇MIS结构
  • 3篇ZNMGO
  • 2篇电路
  • 2篇电学特性
  • 2篇电学性能
  • 2篇微结构
  • 2篇物理特性
  • 2篇立方相
  • 2篇晶体管
  • 2篇集成电路
  • 2篇光学
  • 2篇光学特性
  • 2篇半导体工业

机构

  • 10篇中国科学院
  • 4篇浙江大学

作者

  • 10篇梁军
  • 9篇吴惠桢
  • 8篇劳燕锋
  • 3篇邱东江
  • 3篇徐天宁
  • 2篇余萍
  • 2篇金国芬
  • 1篇陈乃波

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 3篇2004
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种含镁锌氧的金属-绝缘层-半导体结构及制备工艺
本发明涉及一种电高介电常数(κ)材料-立方镁锌氧(MgZnO)晶体薄膜作为金属—绝缘层—半导体(MIS)结构中的绝缘层材料及制备工艺,属于微电子技术领域。特征在于生长在单晶硅衬底上的立方MgZnO薄膜为绝缘层,MIS结构...
吴惠桢梁军劳燕锋
文献传递
立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性
介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透...
吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江
关键词:微结构光学特性
文献传递
一种含镁锌氧的金属-绝缘层-半导体结构及制备工艺
本发明涉及一种电高介电常数(κ)材料-立方镁锌氧(MgZnO)晶体薄膜作为金属—绝缘层—半导体(MIS)结构中的绝缘层材料及制备工艺,属于微电子技术领域。特征在于生长在单晶硅衬底上的立方MgZnO薄膜为绝缘层,MIS结构...
吴惠桢梁军劳燕锋
文献传递
一种含镁锌氧的金属-绝缘层-半导体结构及制备工艺
吴惠桢梁军劳燕锋
以半导体单晶Si为衬底,通过沉积立方相MgZnO纳米薄膜和后续的金属膜、并通过光刻等器件工艺,制成了金属-绝缘层-半导体结构(MIS)器件结构,其应用趋向是在微电子领域,如薄膜电阻、薄膜电容、薄膜晶体管等。
关键词:
关键词:MGZNOMIS结构
ZnMgO纳米薄膜在MOSFET和透明TFT中的应用
日益增长的信息技术对超高集成度、高速、低功耗集成电路的需求,驱使晶体管的尺寸越来越小,随之而来的问题是作为MOS栅氧化物和DRAM电容介质的SiO2迅速减薄至物理极限。另一方面,新材料的应用推动薄膜晶体管(TFT)平板显...
梁军
关键词:材料结构电学性能
文献传递
立方相ZnMgO的电学特性研究
立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲...
金国芬梁军吴惠桢劳燕锋余萍徐天宁
关键词:立方相宽带隙半导体材料电学性能MIS结构
文献传递
低温制备宽带隙MgZnO晶体薄膜及其物理特性研究
吴惠桢邱东江陈奶波徐天宁劳燕锋梁军
当前国际上对ZnO和MgxZn_(1-x)O具体薄膜的研究十分活跃,采用的方法有脉冲激光沉积(PLD)、激光分子束外延(L-MBE)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)。但这些方法只有在高生长温度(550~750℃)下才...
关键词:
关键词:MGZNO晶体薄膜
立方相ZnMgO的电学特性
2007年
在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1~8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行了讨论与分析.
金国芬吴惠桢梁军劳燕锋余萍徐天宁
关键词:MIS结构介电常数
宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管
2006年
首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜,并通过光刻、电极工艺等,研制了透明的ZnO基TFT,TFT的电流开关比达到104,场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为10-8A.
吴惠桢梁军劳燕锋余萍徐天宁邱东江
关键词:电学特性
立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性
2004年
介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率.与已报道的六方相MgxZn1-xO(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400~800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgxZn1-xO薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55%增至100%时,其折射率由1.89衰减至1.73.
吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江
关键词:微结构光学特性
共1页<1>
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