王晨辉
- 作品数：36 被引量：68H指数：4
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 静态随机存储器与电源芯片小系统中子辐射效应研究
- 在西安脉冲反应堆，实验研究了静态随机存储器(SRAM)与电源芯片典型电路结构中，电源芯片对SRAM 存储器中子单粒子效应的影响。由于电源芯片位移损伤效应的影响，中子辐照造成电源芯片失效、输出电压陡降，导致后级SRAM 存...
- 杨善潮齐超金晓明刘岩王晨辉王桂珍林东生李瑞宾
- 关键词：静态随机存储器
- 商用CMOS工艺SRAM脉冲中子辐射效应实验被引量：2
- 2016年
- 为研究互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺静态随机处理内存(SRAM)脉冲中子辐射效应机理,对SRAM翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下SRAM翻转是单粒子翻转的叠加的假设,计算了单位翻转和伪多位翻转在总翻转数中的百分比。在西安脉冲反应堆上对3种特征尺寸商用SRAM开展了脉冲工况实验研究,得到了单位翻转和伪2位翻转数据,结合模拟结果分析了SRAM在脉冲中子作用下的翻转机制。
- 齐超杨善潮刘岩陈伟林东生金晓明王晨辉
- 关键词：脉冲中子单粒子翻转静态随机存储器
- 脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法
- 本发明涉及一种脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，包括分类翻转字节；将不同翻转类型的字节对应的翻转位数进行蒙特卡罗模拟计算；统计计算随着翻转位数的累积，不同翻转类型的字节数及不同翻转类型字节包含的翻转位数...
- 陈伟齐超王晨辉郭晓强杨善潮王桂珍李瑞宾白小燕刘岩金晓明李俊霖
- 文献传递
- 一种双极型晶体管位移效应数值模拟方法
- 本发明属于辐射效应数值模拟技术领域，涉及一种双极型晶体管位移效应数值模拟方法。该方法从中子辐照后双极型晶体管位移损伤缺陷的实测数据出发，建立位移损伤缺陷模型，完成中子位移效应的数值模拟。本发明突破了现有少数载流子寿命法不...
- 陈伟王晨辉郭晓强杨善潮刘岩李俊霖龚建成
- 文献传递
- 敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片γ射线响应特性被引量：2
- 2016年
- 敏化LiF（Mg,Ti）热释光剂量片（LiF（Mg,Ti）-M TLD）是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器.对国内4个厂家生产的敏化LiF（Mg,Ti）热释光剂量片进行了γ射线响应的一致性、重复性和线性的比较研究,测量了γ射线辐照后4种敏化LiF（Mg,Ti）热释光剂量片试验样品的吸收剂量读数平均值及标准偏差,比较了4种样品在不同吸收剂量下的灵敏度及其变异系数,并获得了超出线性上限的大剂量辐照对剂量片线性响应特性的影响规律.研究结果表明,北京防化研究院生产的剂量片性能最优,试验样品在吸收剂量为6Gy（Si）时读数变异系数为3.11%,重复性指标在5%以内,线性响应上限在50-100Gy（Si）之间.吸收剂量为150Gy（Si）并退火后再次使用时的灵敏度漂移幅度约为11%.
- 王晨辉陈伟金军山金晓明杨善潮白小燕林东生王桂珍李斌
- 关键词：Γ射线响应特性灵敏度
- 横向PNP晶体管质子辐照损伤的缺陷间能级耦合机制被引量：1
- 2022年
- 为分析质子电离对位移损伤效应的影响机制,基于栅控电荷分离方法,对比分析了横向PNP晶体管3 MeV质子辐照与反应堆中子辐照位移损伤效应的差异,并对质子辐照后的长期退火特征进行了分析。通过对栅扫描峰值展宽机理的分析,提出了位移损伤深能级缺陷与界面浅能级缺陷之间的耦合机制。研究结果表明,当深能级与浅能级缺陷同时存在时,缺陷间的电荷转移将会显著加剧电子器件的载流子复合过程。
- 刘岩陈伟王忠明王茂成王迪刘卧龙王百川杨业姚志斌郭晓强王晨辉白小燕
- 关键词：质子辐照中子辐照
- 散裂中子源1MeV等效中子注量的测量方法
- 本发明属于辐射探测领域，涉及一种散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法。解决了现有散裂中子源中子束流无法直接提供1MeV等效中子注量且计算等效注量不确定度较大的技术问题，本发明采用的方法是利用双极型晶体管增益倒数和1M...
- 刘岩陈伟郭晓强金晓明李俊霖杨善潮王晨辉白小燕
- 文献传递
- 中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管电流增益退化的数值模拟
- 建立了中子位移效应、总剂量效应以及总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟方法,运用半导体仿真工具TCAD,通过同时改变少数载流子寿命、表面复合速度以及在SiO2钝化层中添加电荷陷阱,完成了对中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶...
- 王晨辉白小燕陈伟杨善潮刘岩金晓明
- 关键词：总剂量效应
- 器件辐射效应耦合关系对系统中子辐射效应的影响
- 对电源模块和运算放大器组成的电子系统开展了中子辐射环境下的耦合规律及实验研究，开展了不同偏置条件下的辐照实验和失效分析，分析了系统中分立器件辐射效应与单独辐照条件下的差异。研究认为：在中子辐射环境下，器件单独输出与在系统...
- 刘岩金晓明王晨辉杨善潮齐超贺朝会
- 关键词：电子系统运算放大器电源模块
- 脉冲中子辐照下三极管电流-时间响应曲线的试验研究
- 2020年
- 利用西安脉冲反应堆(XAPR)的脉冲中子进行辐照,在固定发射极电流下,测量了9种类型三极管的电流-时间响应曲线。理论分析认为,可将基极电流的时间响应分为3个阶段:第1阶段基极电流随时间增大而减小,该过程主要受光电流的影响;第2阶段基极电流随时间增大而快速增大,该过程主要受位移损伤缺陷累积作用的影响;第3阶段基极电流随时间增大而减小并趋于稳定,该过程主要受位移损伤缺陷短期退火的影响。基于测量的集电极电流和基极电流,计算了三极管的放大倍数及短期退火曲线。结果表明,9种类型三极管辐照前后放大倍数的变化率之比大于2,但短期退火曲线差别较小,最大退火因子为1.2~1.3,远小于快堆上得到的短期退火因子2~5。分析认为,该结果是因为加电辐照和XAPR脉宽较长造成的,高载流子密度和长脉宽下,脉冲中子辐照期间缺陷的产生与演化同步发生,导致有效的缺陷数量减少,短期退火因子变小。同时,研究发现,短期退火曲线呈指数衰减,这与缺陷演化的一级动力学过程相符。
- 白小燕白小燕王桂珍刘岩金晓明王桂珍王晨辉齐超
- 关键词：脉冲中子三极管
