王朋
- 作品数：9 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信环境科学与工程更多>>
- 一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法
- 本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法，其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF，使应变在两个界面处得到释放，解决了GaAs与...
- 王朋龚谦曹春芳丁彤彤
- 文献传递
- InAlPBi稀铋半导体材料的分子束外延生长和表征
- 在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体中掺人少量铋(Bi)原子形成的稀铋材料具有很多新奇的物理特性,如禁带宽度变窄、自旋轨道分裂能级增大[1,2],因此,能够拓展发光波长,有效抑制俄歇复合效应,提高光电器件的温度稳定性,近年来受到国际上的...
- 岳丽龚谦王庶民王朋吴晓燕张立瑶潘文武张振谱刘娟娟陈其苗宋禹忻
- GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法
- 本发明提供一种GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法，其特征在于利用Ga原子束流的变化使GaAs生长过程中交替出现富Ga和富As的表面，并记录表面再构变化的时间，最终通过求解表面富余原子总量的表达式，得...
- 龚谦王朋曹春芳丁彤彤
- 文献传递
- 一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法
- 本发明提供一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法，通过在生长磷化铟(InP)材料时加入少量镓(Ga)和铋(Bi)元素形成全新的InGaPBi材料，通过改变Ga元素的百分比含量实现晶格常数的调控，室温下短波红外区域光致发光...
- 王庶民潘文武李耀耀王朋王凯吴晓燕崔健
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- GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法
- 本发明提供一种GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法，其特征在于利用Ga原子束流的变化使GaAs生长过程中交替出现富Ga和富As的表面，并记录表面再构变化的时间，最终通过求解表面富余原子总量的表达式，得...
- 龚谦王朋曹春芳丁彤彤
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- InPBi薄膜分子束外延生长
- 稀铋Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由于铋原子的引入，能有效增强自旋轨道分裂，减小禁带宽度，可用于制备多种光电子器件，引起了广泛的关注[1-3].通过引入Bi原子来调控InP的能带结构和材料应变，能够有效地调节材料的发光波长.K.W...
- 张立瑶潘文武王凯王朋吴晓燕崔健张振普岳丽王庶民
- 气源MBE生长的室温连续工作InAs量子点激光器
- 龚谦王朋王凯曹春芳李耀耀王庶民
- 一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法
- 本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法，其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF，使应变在两个界面处得到释放，解决了GaAs与...
- 王朋龚谦曹春芳丁彤彤
- 文献传递
- 锗基InAs量子点激光器的腔面失效及再生的研究
- 2017年
- 围绕锗基InAs量子点激光器,开展了激光器腔面失效及再生的研究。研究并分析了灾变性光学镜面损伤产生的机理及其对激光器腔面的影响,开展了腔面再生研究,发展了一套创新性的腔面再生工艺并实现了失效的锗基InAs量子点激光器的再生。根据锗基InAs量子点激光器材料结构设计腐蚀工艺,通过选择性腐蚀在激光器腔面制备出悬臂结构,采用细针解理使悬臂结构自然解理,获得新的激光器谐振腔面,失效激光器重新工作。对比了激光器失效前和再生后的工作性能,结果表明因灾变性光学镜面损伤而失效的锗基InAs量子点激光器获得全新的谐振腔面,锗基激光器器件性能和失效前相当。
- 王亚楠李耀耀王朋曹春芳朱忠赟珅王庶民
- 关键词：激光器
