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丁彤彤

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 2篇压应变
  • 2篇原子
  • 2篇砷化镓
  • 2篇失配位错
  • 2篇束流
  • 2篇锑化物
  • 2篇结合率
  • 2篇硅基
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇复合衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇快门
  • 1篇测量方法

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇龚谦
  • 4篇曹春芳
  • 4篇王朋
  • 4篇丁彤彤

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法
本发明提供一种GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法，其特征在于利用Ga原子束流的变化使GaAs生长过程中交替出现富Ga和富As的表面，并记录表面再构变化的时间，最终通过求解表面富余原子总量的表达式，得...
龚谦王朋曹春芳丁彤彤
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GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法
本发明提供一种GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法，其特征在于利用Ga原子束流的变化使GaAs生长过程中交替出现富Ga和富As的表面，并记录表面再构变化的时间，最终通过求解表面富余原子总量的表达式，得...
龚谦王朋曹春芳丁彤彤
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一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法
本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法，其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF，使应变在两个界面处得到释放，解决了GaAs与...
王朋龚谦曹春芳丁彤彤
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一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法
本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法，其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF，使应变在两个界面处得到释放，解决了GaAs与...
王朋龚谦曹春芳丁彤彤
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