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任晓飞

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇氧化层
  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇氧化物半导体
  • 3篇栅氧化
  • 3篇栅氧化层
  • 3篇迁移率
  • 3篇金属氧化物半...
  • 3篇高电子迁移率
  • 2篇电压
  • 2篇电压特性
  • 2篇电阻
  • 2篇信号
  • 2篇信号频率
  • 2篇载流子
  • 2篇热载流子
  • 2篇埋层
  • 2篇模型参数
  • 2篇金属氧化物半...

机构

  • 7篇东南大学

作者

  • 7篇任晓飞
  • 6篇孙伟锋
  • 6篇时龙兴
  • 6篇陆生礼
  • 6篇刘斯扬
  • 2篇张春伟
  • 2篇陈欣
  • 2篇袁永胜
  • 1篇叶然
  • 1篇周迁
  • 1篇李秀军

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性修正方法
本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性修正方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容-电压特性测试；其次根据不同输入电压信号频率条件下的金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压测试电路...
孙伟锋张春伟任晓飞袁永胜刘斯扬陆生礼时龙兴
一种P型埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管
一种P型埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成AlN成核层，在AlN成核层上形成本征GaN层，在本征GaN层上形成AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅氧化层，在栅氧化层...
孙伟锋陈欣魏家行杨翰琪任晓飞刘斯扬陆生礼时龙兴
一种AlGaN/GaN高电子迁移率功率半导体器件
一种AlGaN/GaN高电子迁移率功率半导体器件，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层中形成有栅氧化层，所述栅...
刘斯扬魏家行周迁任晓飞孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种高可靠性的横向双扩散金属氧化物半导体管
一种高可靠性的横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型体接触区，在N型漂移区中设有N型缓冲层，在N型缓冲层中设有...
刘斯扬任晓飞李秀军叶然方云超孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种P型埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管
一种P型埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成AlN成核层，在AlN成核层上形成本征GaN层，在本征GaN层上形成AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅氧化层，在栅氧化层...
孙伟锋陈欣魏家行杨翰琪任晓飞刘斯扬陆生礼时龙兴
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BCD工艺70V LDMOS器件热载流子可靠性研究
功率集成电路广泛应用于汽车电子、以太网供电系统及显示驱动等领域，BCD工艺因其具有高集成度以及高功率密度等优势，已成为功率集成电路制造的主流工艺，LDMOS是其核心器件。目前，小尺寸工艺下的LDMOS面临着严峻的热载流子...
任晓飞
关键词：功率集成电路横向扩散金属氧化物半导体BCD工艺热载流子可靠性
金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法
本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容‑电压特性测试；其次根据不同输入电压信号频率条件下的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压测试电路...
孙伟锋张春伟任晓飞袁永胜刘斯扬陆生礼时龙兴
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