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文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇二极管
  • 6篇贴装
  • 6篇高可靠
  • 6篇表面贴装
  • 4篇平行缝焊
  • 4篇键合
  • 4篇封装
  • 3篇电流
  • 3篇陶瓷
  • 3篇封装工艺
  • 2篇电流冲击
  • 2篇引线
  • 2篇生产加工工艺
  • 2篇陶瓷基
  • 2篇内引线
  • 2篇金属
  • 2篇击穿电压
  • 2篇焊区
  • 2篇超声键合
  • 1篇导电

机构

  • 12篇济南市半导体...
  • 2篇电子科技大学

作者

  • 12篇侯杰
  • 9篇马捷
  • 7篇李东华
  • 4篇张宝财
  • 2篇李泽宏
  • 2篇任敏
  • 2篇侯秀萍
  • 2篇张庆猛
  • 2篇杨旭东
  • 2篇王爱敏
  • 1篇罗蕾
  • 1篇黄璐
  • 1篇伊新兵
  • 1篇崔玉琦
  • 1篇宋迎新

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种高可靠表面贴装的二极管及其制备方法
本发明提供了一种高可靠表面贴装的二极管及其制备方法,该二极管器件使用金属陶瓷外壳、芯片通过焊料烧结固定在外壳的烧结区、采用超声键合的方式用键合丝把芯片的键合区与外壳的键合区相连以及平行缝焊密封,克服了原有塑料封装器件因工...
张宝财迟一鸣李东华马捷侯杰
文献传递
超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计
2022年
雪崩耐量是表征超结双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(SJ-DMOSFET)可靠性的重要指标。寻找提高SJ-DMOSFET雪崩耐量的方法一直是学术界和产业界的研究热点。通过对SJ-DMOSFET器件-电路联合仿真,深入分析了非钳位感性开关(UIS)过程中雪崩击穿点在元胞区和终端区之间的转移。结果表明元胞区和终端区的耐压匹配状况对SJ-DMOSFET的雪崩耐量具有显著影响。将元胞区耐压设计为略低于终端区耐压,是兼顾SJ-DMOSFET击穿电压和可靠性的最优方案。通过器件制作并测试,器件的雪崩耐量平均值由原来的0.65 J提高到0.89 J,验证了新设计的正确性。
王迎春马捷侯杰刘进松罗蕾任敏李泽宏
关键词:元胞终端区击穿电压
一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管及其制备方法
本发明公开了一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管及其制备方法,该二极管器件使用金属陶瓷外壳、芯片通过焊料烧结固定在外壳的烧结区、采用烧结方式用内引线焊片把芯片的电极与外壳的电极相连以及平行缝焊密封,克服了原有塑料封装器...
张宝财马捷李东华侯杰王爱敏
文献传递
一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管及其制备方法
本发明公开了一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管及其制备方法,该二极管器件使用金属陶瓷外壳、芯片通过焊料烧结固定在外壳的烧结区、采用烧结方式用内引线焊片把芯片的电极与外壳的电极相连以及平行缝焊密封,克服了原有塑料封装器...
张宝财马捷李东华侯杰王爱敏
文献传递
高可靠表面贴装玻封二极管的封装工艺
本发明公开了一种高可靠表面贴装玻封二极管的封装工艺,所述二极管包括玻壳、位于玻壳内的芯片、套设在玻壳两端的引出端,引出端与芯片之间设有焊片,二极管的引出端与玻壳、引出端与焊片、芯片通过高温冶金工艺键合在一起。冶金键合结构...
李东华马捷侯杰韩希方侯秀萍张庆猛
文献传递
基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计
2022年
为改善传统结终端延伸(JTE)结构的终端注入剂量偏低、终端对表面固定电荷敏感、终端尺寸优化不够等缺陷,设计了一种基于场板(FP)与埋层(BL)的新型终端结构,用于降低表面固定电荷对击穿电压的影响,并且通过提高JTE区域的掺杂剂量,同时优化表面电场,实现了终端电场更加均衡,提高了击穿电压及减少结终端尺寸。利用仿真软件对提出的新型终端结构进行仿真,对新结构的电场分布、击穿电流电压曲线、击穿电压随终端JTE区注入剂量变化和击穿电压随表面固定电荷Qf变化四个方面进行分析,结果表明:相比传统JTE终端,本文设计的新型终端尺寸缩短16%,耐压提升约20%,同时可靠性也有所提升。
宋迎新马捷侯杰孙德福刘进松李泽宏任敏
关键词:埋层击穿电压
高可靠表面贴装玻封二极管的封装工艺
本发明公开了一种高可靠表面贴装玻封二极管的封装工艺,所述二极管包括玻壳、位于玻壳内的芯片、套设在玻壳两端的引出端,引出端与芯片之间设有焊片,二极管的引出端与玻壳、引出端与焊片、芯片通过高温冶金工艺键合在一起。冶金键合结构...
李东华马捷侯杰韩希方侯秀萍张庆猛
一种陶瓷覆铜框架及基于该框架的场效应晶体管
本实用新型公开一种陶瓷覆铜框架及基于该框架的场效应晶体管,所述陶瓷覆铜框架包括陶瓷基板、位于陶瓷基板上的金属化层以及位于金属化层上的铜层,金属化层通过金属化浆料印刷技术印刷在陶瓷基板上,印刷在陶瓷基板上的金属化层与陶瓷基...
侯杰万兴兴
文献传递
用于TO-252封装的金属陶瓷外壳及制备方法
本发明公开一种用于TO‑252封装的金属陶瓷外壳及制备方法,所述金属陶瓷外壳包括壳体、底板、盖板、无氧铜压焊区、陶瓷绝缘体、无氧铜引线和陶瓷承托柱,底板和盖板分别封装在壳体的底部和顶部,无氧铜压焊区位于壳体内部,通过陶瓷...
侯杰黄璐杨旭东张振兴相裕兵
文献传递
控制半导体腔内可动多余物的封装工艺
本发明公开了一种控制半导体腔内可动多余物的封装工艺,所述封装工艺包括清洗管座和管帽、选择缓冲剂、缓冲剂制备、涂缓冲剂和密封5个步骤,本发明利用高真空微孔密封剂的粘性,在管帽和管座的密封筋处涂缓冲剂,将管座和管帽焊接在一起...
于宗智李东华侯杰马捷崔玉琦
共2页<12>
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