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滕渊

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电压
  • 1篇电压变化
  • 1篇电压变化率
  • 1篇预设
  • 1篇制作方法
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇漂移区
  • 1篇芯片
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇绝缘栅双极型...
  • 1篇划片
  • 1篇基底
  • 1篇建模与仿真研...
  • 1篇高压IGBT
  • 1篇关断
  • 1篇反型层
  • 1篇仿真
  • 1篇感性负载

机构

  • 3篇中国科学院微...
  • 1篇江苏物联网研...

作者

  • 3篇卢烁今
  • 3篇田晓丽
  • 3篇朱阳军
  • 3篇滕渊
  • 1篇杨飞
  • 1篇张广银

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法及测量系统
本发明公开了一种IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法及测量系统，通过第一电源在IGBT芯片的栅极和发射极之间施加一第一预设电压，使得IGBT芯片内部的沟道产生反型层，反型层将发射极与漂移区连接起来，在测量时，将第二电...
滕渊朱阳军卢烁今田晓丽高君宇
文献传递
绝缘栅双极型晶体管感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究被引量：3
2016年
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)多用于感性负载下的电力电子线路中,这导致了在器件关断过程中集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在额定电流值,从而造成大量的能量损耗.集电极电压的上升过程可以看作是栅极电流对集电极与栅极之间的电容(即米勒电容)充电的过程.本文提出一种解析模型,通过计算米勒电容值随时间的变化来预测IGBT在关断过程中集电极电压值的变化.在对米勒电容的计算上,不仅考虑了电容值与其端电压之间的依赖关系,同时也考虑到关断过程中耗尽区存在的大量载流子对电容值的影响,使得模型更加准确.最后,运用数值计算仿真软件对绝缘栅双极型晶体管的关断过程进行了模拟,对本文提出的模型进行了验证.仿真结果与模型计算结果显示出良好的一致性.
谭骥朱阳军卢烁今田晓丽滕渊杨飞张广银沈千行
关键词：绝缘栅双极型晶体管感性负载电压变化率
高压IGBT芯片及其制作方法
本发明提供了一种高压IGBT芯片及其制作方法，包括：提供基底，所述基底包括多个IGBT单元；在所述基底的划片区形成沟槽，以便通过所述沟槽对所述基底进行分割，其中，所述划片区位于所述IGBT单元之间。从而可以将具有IGBT...
滕渊朱阳军卢烁今田晓丽高君宇
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