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刘鹏飞

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇导电类型
  • 5篇功率器件
  • 4篇半导体
  • 4篇MOS型
  • 3篇压降
  • 3篇IGBT
  • 2篇导通
  • 2篇导通压降
  • 2篇电极
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇氧化层
  • 2篇元胞
  • 2篇势垒
  • 2篇内置
  • 2篇终端
  • 2篇终端区
  • 2篇自对准
  • 2篇闩锁
  • 2篇芯片

机构

  • 17篇比亚迪汽车股...

作者

  • 17篇刘鹏飞
  • 15篇吴海平
  • 2篇黄宝伟
  • 1篇陈奎宇
  • 1篇白兴军

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2012
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种芯片结构及其制作方法
本发明提供一种芯片结构及其制作方法，该芯片结构包括：衬底；形成在所述衬底中的有源区，所述有源区内包括所述芯片的逻辑电路；形成在所述衬底中的终端区，所述终端区包括：主结，所述主结环绕所述有源区；多个场限环，所述多个场限环依...
刘鹏飞吴海平
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一种半导体结构及其形成方法
本发明提出一种半导体结构及其形成方法，其中该方法包括：提供衬底；在衬底的背面进行掺杂；在衬底的背面形成衬垫层；在衬底的正面制作正面结构；去除衬垫层及减薄衬底，以暴露出衬底的背面；在衬底的背面制作背面结构。该方法通过预先处...
吴海平黄宝伟刘鹏飞肖秀光
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一种半导体器件及其制造方法
本发明涉及半导体器件，器件包括，第一导电类型第一半导体层；形成于第一半导体层中的第二导电类型的阱区；设置于第一半导体层与阱区之间的第二半导体层；形成于阱区中的第一导电类型源区；设置于第一半导体层之上覆盖了部分源区和部分阱...
刘鹏飞贾荣本吴海平
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一种具有内置二极管的IGBT结构及其制造方法
本发明提供一种具有内置二极管的IGBT结构及其制造方法，通过在半导体衬底的正面形成条形元胞区，在半导体衬底的背面形成交替平行排列的p型和n型条形掺杂区，正面条形元胞区和背面p型和n型条形掺杂区相互垂直，从而实现在制造IG...
肖秀光刘鹏飞吴海平
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两进线一母联的配电系统
本实用新型提供一种两进线一母联的配电系统，所述两进线一母联的配电系统包括第一进线柜、第二进线柜和母联柜，第一进线柜、第二进线柜和母联柜均包括断路器和控制回路，断路器包括常闭辅助触点和用于使该断路器脱扣的脱扣器，脱扣器包括...
蒋文凭刘鹏飞范长胜张泽柯杨梦可
垂直MOS功率器件及其形成方法
本发明提出一种垂直MOS功率器件，该垂直MOS功率器件可以为平面型或者沟槽型。本发明实施例的垂直MOS功率器件中，通过去除了整个或者部分形成米勒电容的栅极，米勒电容明显减小，从而消除或明显减小第二电极电压变化对栅极电压的...
黄宝伟肖秀光刘鹏飞吴海平
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一种MOS型功率器件及其制造方法
本发明所提供了一种MOS型功率器件制造方法，包括以下步骤：(1)于一半导体基体上形成第一氧化层；(2)于第一层氧化层之上形成多晶硅层；(3)于所述多晶硅层两侧形成阻挡层；(4)于所述半导体基体上形成第一导电类型阱区；(5...
刘鹏飞吴海平谢怀亮
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MOS型功率器件及其形成方法
本发明公开了一种MOS型功率器件及其形成方法。该MOS型功率器件包括：第一导电类型的耐压层；位于耐压层之上的第一导电类型的阻挡层；位于阻挡层中的第二导电类型的阱区；位于阱区中的第一导电类型的源区；位于阻挡层之上的栅极；位...
吴海平肖秀光刘鹏飞
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一种MOS型功率器件及其制造方法
本发明所提供了一种MOS型功率器件制造方法，包括以下步骤：(1)于一半导体基体上形成第一氧化层；(2)于第一层氧化层之上形成多晶硅层；(3)于所述多晶硅层两侧形成阻挡层；(4)于所述半导体基体上形成第一导电类型阱区；(5...
刘鹏飞吴海平谢怀亮
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晶圆的处理方法、制备半导体元件的方法及其应用
本发明公开了晶圆的处理方法、制备半导体元件的方法及其应用。根据本发明的实施例，晶圆的处理方法包括：(1)对晶圆的背面进行打磨；(2)对经过打磨的晶圆背面进行喷砂。由此，采用晶圆的处理方法在消除晶圆背面研磨损伤的同时，可以...
白兴军刘鹏飞吴海平
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共2页<12>
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