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黄宝伟

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 4篇导电类型
  • 4篇功率器件
  • 3篇半导体
  • 2篇温度检测
  • 2篇类型区
  • 2篇功率半导体
  • 2篇功率半导体器...
  • 2篇沟槽
  • 2篇感应电势
  • 2篇半导体器件
  • 2篇传导介质
  • 1篇导体
  • 1篇电极
  • 1篇电压
  • 1篇电压变化
  • 1篇栅极
  • 1篇栅极电压
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇平面型

机构

  • 7篇比亚迪汽车股...
  • 1篇深圳比亚迪微...

作者

  • 7篇黄宝伟
  • 4篇吴海平
  • 2篇刘鹏飞

年份

  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种半导体结构及其形成方法
本发明提出一种半导体结构及其形成方法，其中该方法包括：提供衬底；在衬底的背面进行掺杂；在衬底的背面形成衬垫层；在衬底的正面制作正面结构；去除衬垫层及减薄衬底，以暴露出衬底的背面；在衬底的背面制作背面结构。该方法通过预先处...
吴海平黄宝伟刘鹏飞肖秀光
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带温度检测的功率半导体器件及其制作方法
本发明提出了一种带温度检测的功率半导体器件，通过在第一导电类型衬底的正面形成有相互连接的第一金属区和第二金属区，且所述第一金属区和第二金属区在相同的温度下可以产生不同的感应电势，当需要进行温度检测时，只需要将从第一金属区...
吴海平肖秀光黄宝伟
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IGBT芯片及其制造方法
本公开涉及一种IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括依次层叠的背面金属层(1)、第二导电类型的截止层(2)、第一导电类型的衬底(3)、有源区、发射极金属层(10)，有源区包括栅极沟槽(5)、发射极沟槽(6)、沟槽氧化...
黄宝伟肖秀光
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垂直MOS功率器件及其形成方法
本发明提出一种垂直MOS功率器件，该垂直MOS功率器件可以为平面型或者沟槽型。本发明实施例的垂直MOS功率器件中，通过去除了整个或者部分形成米勒电容的栅极，米勒电容明显减小，从而消除或明显减小第二电极电压变化对栅极电压的...
黄宝伟肖秀光刘鹏飞吴海平
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带温度检测的功率半导体器件及其制作方法
本发明提出了一种带温度检测的功率半导体器件，通过在第一导电类型衬底的正面形成有相互连接的第一金属区和第二金属区，且所述第一金属区和第二金属区在相同的温度下可以产生不同的感应电势，当需要进行温度检测时，只需要将从第一金属区...
吴海平肖秀光黄宝伟
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一种逆导型沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
本公开涉及一种逆导型沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，涉及半导体领域，本公开晶体管包括背面金属层(101)、背面第一导电类型区(102)、缓冲层(104)、漂移层(105)、正面第一导电类型区(108)、栅极(106)...
黄宝伟肖秀光
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功率器件终端结构及其制作方法以及功率器件
本公开涉及一种功率器件终端结构及其制作方法以及功率器件，所述终端结构包括：基片；在所述基片上的第一预定区域形成的第一导电区，以及在所述基片上的第二预定区域形成的第二导电区，在所述第一预定区域与所述第二预定区域之间形成有预...
黄宝伟肖秀光
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