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曾爱平

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

主题

  • 6篇导电类型
  • 5篇肖特基
  • 4篇外延层
  • 4篇半导体
  • 3篇电极
  • 3篇氧化层
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇金属
  • 3篇金属电极
  • 3篇二极管
  • 2篇导电
  • 2篇导电型
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇有源
  • 2篇栅极
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇漂移
  • 2篇肖特基接触
  • 2篇漏极

机构

  • 11篇比亚迪汽车股...

作者

  • 11篇陈宇
  • 11篇曾爱平
  • 8篇朱超群
  • 3篇李春霞
  • 3篇陈朝伟
  • 3篇张兴来
  • 2篇万祎

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种肖特基二极管及其制造方法
本发明涉及半导体器件，特别涉及一种新型沟槽肖特基整流管，包括，第一半导体层，设于第一半导体层之下的第一金属电极，设于第一半导体层中相互隔开的第一沟槽和第二沟槽，位于沟槽中的隔离层，设于第一半导体层之上位于第一沟槽和第二沟...
张兴来李春霞陈朝伟曾爱平陈宇
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一种超级结半导体元件及其制造方法
一种超级结半导体元件，包括：第一导电类型衬底；设置于第一导电类型衬底上的至少一层第一导电类型的第一外延层，所述第一外延层中包括第二导电类型掺杂；设置于第一导电类型的第一外延层上的至少第一导电类型第二外延层；所述第二外延层...
朱超群任文珍钟树理陈宇曾爱平
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一种形成肖特基二极管的方法
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种形成肖特基二极管方法，包括以下步骤：a）提供第一导电类型第一半导体层；b）于第一半导体层中形成第二导电类型保护环,以及多个相互间隔且位于保护环内第二导电类型掩埋区；c)于第一导电类型第一...
曾爱平张兴来陈朝伟李春霞陈宇
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一种超级结MOSFET、该超级结MOSFET的形成方法
本发明提出了一种具有均衡结构的超级结MOSFET，其包括形成在衬底上的元胞区和包围所述元胞区的终端区，所述元胞区内和终端区内分别形成有间距相等的直条型沟槽，所述沟槽内形成有第一导电类型的第一外延层，所述沟槽之间为第二导电...
钟树理朱超群万祎曾爱平陈宇
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一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：漏极、第一导电型半导体衬底及外延层；第一导电型半导体外延层内包括隔开的第二导电型半导体第一阱区、第二导电型半导体第二阱区；第二导电型半导体第一阱区内部设有第一导电型半导体...
朱超群钟树理任文珍曾爱平陈宇
文献传递
一种VDMOS器件及其制作方法
本发明公开了一种VDMOS器件及其制作方法，VDMOS器件包括：第一导电类型衬底，在其背面设置有漏极；第一导电类型漂移区，设置在第一导电类型衬底上；第二导电类型阱区，其在第一导电类型漂移区的表面区域选择性的形成，与第一导...
朱超群钟树理任文珍曾爱平陈宇
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一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：漏极、第一导电型半导体衬底及外延层；第一导电型半导体外延层内包括隔开的第二导电型半导体第一阱区、第二导电型半导体第二阱区；第二导电型半导体第一阱区内部设有第一导电型半导体...
朱超群钟树理任文珍曾爱平陈宇
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一种超级结MOSFET元器件
本实用新型提供一种超级结MOSFET元器件，将与终端耐压环相邻四分之一圆弧相邻的沟槽设计成同心圆的圆弧，将有源区与终端耐压环之间的间隔处处相等，通过对超级结的优化，器件在加反向偏压的时候，超级结的有源区和终端耐压环以及二...
曾爱平钟树理朱超群陈宇
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一种VDMOS器件及其制作方法
本发明公开了一种VDMOS器件及其制作方法，VDMOS器件包括：第一导电类型衬底，在其背面设置有漏极；第一导电类型漂移区，设置在第一导电类型衬底上；第二导电类型阱区，其在第一导电类型漂移区的表面区域选择性的形成，与第一导...
朱超群钟树理任文珍曾爱平陈宇
文献传递
一种形成肖特基二极管的方法
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种形成肖特基二极管方法，包括以下步骤：a）提供第一导电类型第一半导体层；b）于第一半导体层中形成第二导电类型保护环，以及多个相互间隔且位于保护环内第二导电类型掩埋区；c)于第一导电类型第一...
曾爱平张兴来陈朝伟李春霞陈宇
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