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朱超群

作品数：30 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 14篇半导体
  • 11篇外延层
  • 10篇导电类型
  • 8篇元胞
  • 8篇半导体器件
  • 7篇掺杂
  • 5篇功率半导体
  • 5篇功率半导体器...
  • 5篇MOSFET
  • 4篇氧化层
  • 4篇栅结构
  • 4篇终端区
  • 4篇闩锁
  • 4篇IGBT
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应管
  • 3篇导体
  • 3篇杂质离子
  • 3篇栅氧化
  • 3篇栅氧化层

机构

  • 30篇比亚迪汽车股...

作者

  • 30篇陈宇
  • 30篇朱超群
  • 8篇曾爱平
  • 4篇冯卫
  • 4篇吴海平
  • 4篇唐盛斌
  • 4篇刘林
  • 3篇姚金才
  • 2篇万祎
  • 2篇李俊俏
  • 1篇唐翠

年份

  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 6篇2015
  • 4篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种超级结MOSFET、该超级结MOSFET的形成方法
本发明提出了一种具有均衡结构的超级结MOSFET，其包括形成在衬底上的元胞区和包围所述元胞区的终端区，所述元胞区内和终端区内分别形成有间距相等的直条型沟槽，所述沟槽内形成有第一导电类型的第一外延层，所述沟槽之间为第二导电...
钟树理朱超群万祎曾爱平陈宇
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一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：漏极、第一导电型半导体衬底及外延层；第一导电型半导体外延层内包括隔开的第二导电型半导体第一阱区、第二导电型半导体第二阱区；第二导电型半导体第一阱区内部设有第一导电型半导体...
朱超群钟树理任文珍曾爱平陈宇
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一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET的及其制造方法
本发明提出了一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET的及其制造方法，该沟槽MOSFE在元胞区内和终端区内分别形成有沟槽，终端区的沟槽为至少两个环绕元胞区的封闭的环形沟槽，靠近元胞区的至少一个环形沟槽为隔离环，该隔离环与零电...
朱超群钟树理陈宇
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一种IGBT的制作方法
本发明提供了一种IGBT的制作方法。本发明利用多晶硅层作为两次掩模得到具有改善闩锁效应的IGBT，第一次多晶硅层作掩模时，注入第一导电类型杂质离子，形成重掺杂的阱区；第二次多晶硅层作掩模时，与源区光罩同时作用，注入第二导...
朱超群任文珍钟树理陈宇
一种超级结MOSFET元器件
本实用新型提供一种超级结MOSFET元器件，将与终端耐压环相邻四分之一圆弧相邻的沟槽设计成同心圆的圆弧，将有源区与终端耐压环之间的间隔处处相等，通过对超级结的优化，器件在加反向偏压的时候，超级结的有源区和终端耐压环以及二...
曾爱平钟树理朱超群陈宇
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碳化硅功率半导体器件
本实用新型提出了一种碳化硅功率半导体器件，通过在碳化硅外延层之上硅接触层以及在硅接触层之上形成二氧化硅栅氧层，使得硅接触层的硅与二氧化硅栅氧层的二氧化硅的晶格相匹配，能够大大减小二氧化硅栅氧层与硅接触层的界面陷阱电荷的数...
李俊俏朱超群陈宇
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MOSFET功率器件及其形成方法
本发明公开了一种MOSFET功率器件及其形成方法，其中该MOSFET功率器件包括：衬底；外延层；形成在外延层中的多个条形的MOSFET元胞，多个元胞沿第一方向相互平行，每个元胞包括源区、栅结构和第一阱区，第一阱区位于源区...
朱超群钟树理陈宇
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一种IGBT及其制作方法
本发明涉及功率半导体器件，提供一种IGBT及其制作方法。所述IGBT，其第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区，所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管，所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的...
唐盛斌朱超群冯卫陈宇吴海平刘林
带静电保护结构的MOSFET及其制备方法
本发明公开一种带静电保护结构的MOSFET及其制备方法，该MOSFET包括：衬底；第一导电类型的外延层；源区和栅结构；位于外延层之上的介质层，介质层中具有彼此相邻的源接触孔和栅接触孔；与源区相连的源极金属层，源极金属层的...
钟树理朱超群陈宇
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一种功率半导体器件的制造方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种功率半导体器件的制造方法，包括：在形成于半导体衬底上的半导体层或第二导电类型的单晶正面上依次形成氧化层、氮化硅层；在氮化硅层上形成光刻胶图形，然后除去氮化硅，用残留的氮化硅层作掩模，...
朱超群唐盛斌冯卫陈宇吴海平刘林
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共3页<123>
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