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唐盛斌

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇功率半导体
  • 4篇功率半导体器...
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体器件
  • 2篇导电类型
  • 2篇电极接触
  • 2篇电阻
  • 2篇闩锁
  • 2篇结型
  • 2篇结型场效应
  • 2篇结型场效应管
  • 2篇扩散
  • 2篇横向电阻
  • 2篇发射极
  • 2篇饱和电流
  • 2篇IGBT
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应管
  • 1篇杂质离子

机构

  • 4篇比亚迪汽车股...

作者

  • 4篇陈宇
  • 4篇冯卫
  • 4篇吴海平
  • 4篇唐盛斌
  • 4篇朱超群
  • 4篇刘林

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种IGBT及其制作方法
本发明涉及功率半导体器件，提供一种IGBT及其制作方法。所述IGBT，其第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区，所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管，所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的...
唐盛斌朱超群冯卫陈宇吴海平刘林
一种功率半导体器件的制造方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种功率半导体器件的制造方法，包括：在形成于半导体衬底上的半导体层或第二导电类型的单晶正面上依次形成氧化层、氮化硅层；在氮化硅层上形成光刻胶图形，然后除去氮化硅，用残留的氮化硅层作掩模，...
朱超群唐盛斌冯卫陈宇吴海平刘林
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一种功率半导体器件及其制造方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：形成于半导体衬底上的半导体层；形成于所述半导体层上的阱区；所述阱区中间填充有一电极接触层，所述电极接触层与所述半导体层表面平齐；所...
朱超群唐盛斌冯卫陈宇吴海平刘林
一种IGBT及其制作方法
本发明涉及功率半导体器件，提供一种IGBT及其制作方法。所述IGBT，其第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区，所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管，所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的...
唐盛斌朱超群冯卫陈宇吴海平刘林
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